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公开(公告)号：CN1656595A
公开(公告)日：2005-08-17
申请号：CN03812385.1
申请日：2003-05-27
Applicant: 皇家飞利浦电子股份有限公司
Inventor： T·杰斯特 , W·梅尔 , C·R·隆达 , V·D·希尔登布兰德
IPC: H01J61/42
CPC classification number: H01J61/42
Abstract: 描述了一种紫外反射层和一种荧光灯，其包含具有内表面的灯管、在该灯管内的用于产生紫外辐射的装置、具有当被紫外辐射照射时能产生可见光的发光材料的光发射层以及位于光发射层与灯管内表面之间的所述紫外反射层，其中该紫外反射层包含金属磷酸盐和/或金属硼酸盐，所述金属选自Sc、Y、La、Gd、Lu和Al或其结合。在该紫外反射层中使用的磷酸盐或硼酸盐可以任意地掺杂Tb3+和/或Dy3+活化剂，以进一步提高UV辐射转化成可见光的量子产率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101107206A
公开(公告)日：2008-01-16
申请号：CN200580015618.4
申请日：2005-05-12
Applicant: 皇家飞利浦电子股份有限公司
IPC: C04B35/547 , C09K11/77 , C04B35/053 , C04B35/50
CPC classification number: C04B35/645 , C04B35/547 , C04B35/64 , C04B2235/3224 , C04B2235/3229 , C04B2235/446 , C04B2235/5409 , C04B2235/5436 , C04B2235/656 , C04B2235/6581 , C04B2235/662 , C04B2235/77 , C04B2235/786 , C04B2235/9653 , C09K11/7771
Abstract: 本发明涉及用M掺杂的具有通式Gd2O2S的荧光陶瓷，其中M代表至少一种选自Ce、Pr、Eu、Tb、Yb、Dy、Sm和/或Ho的元素，其中所述荧光陶瓷在其体积内包括单相；本发明还涉及采用单轴热压制备荧光陶瓷的方法；用于检测电离辐射的检测器和所述检测器用于检测电离辐射的用途。所述采用单轴热压制造荧光陶瓷材料的方法包括下列步骤：a)选择用M掺杂的Gd2O2S颜料粉末，且M代表至少一种选自Eu、Tb、Yb、Dy、Sm、Ho、Ce和/或Pr的元素，其中所述用于热压的粉末的晶粒大小为1μm，且所述热压在1000－1400℃温度下进行；和/或在100MPa－300MPa压力下进行；在700℃－1200℃下空气退火0.5小时至30小时。
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公开(公告)号：CN1331187C
公开(公告)日：2007-08-08
申请号：CN03812385.1
申请日：2003-05-27
Applicant: 皇家飞利浦电子股份有限公司
Inventor： T·杰斯特 , W·梅尔 , C·R·隆达 , V·D·希尔登布兰德
IPC: H01J61/42
CPC classification number: H01J61/42
Abstract: 描述了一种紫外反射层和一种荧光灯，其包含具有内表面的灯管、在该灯管内的用于产生紫外辐射的装置、具有当被紫外辐射照射时能产生可见光的发光材料的光发射层以及位于光发射层与灯管内表面之间的所述紫外反射层，其中该紫外反射层包含金属磷酸盐和/或金属硼酸盐，所述金属选自Sc、Y、La、Gd、Lu和Al或其结合。在该紫外反射层中使用的磷酸盐或硼酸盐可以任意地掺杂Tb3+和/或Dy3+活化剂，以进一步提高UV辐射转化成可见光的量子产率。
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公开(公告)号：CN1669112A
公开(公告)日：2005-09-14
申请号：CN03816783.2
申请日：2003-07-02
Applicant: 皇家飞利浦电子股份有限公司
IPC: H01J61/067
CPC classification number: H01J61/067
Abstract: 一种低压气体放电灯。这种灯装有密封的放电管，管内充有气体。这种灯还装有用来维持放电管内气体放电的电极。至少有一个电极置于放电管内，这个电极包括含有芯的线圈；芯由具有第一种负电性的第一种高熔点金属材料制成；此线圈还含有围绕绕组，此绕组由具有第二种负电性的第二种高熔点金属材料制成；此线圈在芯与绕组之间还有电子发射材料涂层；此线圈还带有电流供给。这种灯还装有用于起动和维持气体放电的装置。本发明还涉及电极。
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公开(公告)号：CN101107206B
公开(公告)日：2011-06-08
申请号：CN200580015618.4
申请日：2005-05-12
Applicant: 皇家飞利浦电子股份有限公司
IPC: C04B35/547 , C09K11/77 , C04B35/053 , C04B35/50
CPC classification number: C04B35/645 , C04B35/547 , C04B35/64 , C04B2235/3224 , C04B2235/3229 , C04B2235/446 , C04B2235/5409 , C04B2235/5436 , C04B2235/656 , C04B2235/6581 , C04B2235/662 , C04B2235/77 , C04B2235/786 , C04B2235/9653 , C09K11/7771
Abstract: 本发明涉及用M掺杂的具有通式Gd2O2S的荧光陶瓷，其中M代表至少一种选自Ce、Pr、Eu、Tb、Yb、Dy、Sm和/或Ho的元素，其中所述荧光陶瓷在其体积内包括单相；本发明还涉及采用单轴热压制备荧光陶瓷的方法；用于检测电离辐射的检测器和所述检测器用于检测电离辐射的用途。所述采用单轴热压制造荧光陶瓷材料的方法包括下列步骤：a)选择用M掺杂的Gd2O2S颜料粉末，且M代表至少一种选自Eu、Tb、Yb、Dy、Sm、Ho、Ce和/或Pr的元素，其中所述用于热压的粉末的晶粒大小为1μm，且所述热压在1000℃-1400℃温度下进行；和/或在100MPa-300Mpa压力下进行；在700℃-1200℃下空气退火0.5小时至30小时。
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公开(公告)号：CN1902762A
公开(公告)日：2007-01-24
申请号：CN200480039896.9
申请日：2004-12-22
Applicant: 皇家飞利浦电子股份有限公司
Inventor： S·P·格拉波夫斯基 , C·R·隆达
IPC: H01L29/792 , H01L21/336 , H01L21/8246
CPC classification number: B82Y10/00 , H01L21/28273 , H01L21/28282 , H01L29/42332 , H01L29/792
Abstract: 本发明描述了一种半导体组件，其设置在半导体本体(1)中，在所有情况下都具有第一导电类型的至少一个源区(4)和至少一个漏区(5)，在所有情况下都具有设置在源区和漏区之间的第二导电类型的至少一个本体区(8)，以及具有借助绝缘层(9)与半导体本体绝缘的至少一个栅电极(10)，该绝缘层(9)是固结的、优选烧结的、包含量子点的层。本发明还描述了一种制造这种半导体组件的方法，其中将包含量子点的电介质悬浮体施加到半导体本体上，并且然后例如通过烧结使悬浮体固结。
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