公开(公告)号：CN1890580B

公开(公告)日：2010-09-01

申请号：CN200480036265.1

申请日：2004-12-02

Applicant: 皇家飞利浦电子股份有限公司

Inventor： G·福格特迈尔 ,  R·斯蒂德曼 ,  K·J·恩格尔 ,  H·维措勒克 ,  W·埃肯巴赫

IPC: G01T1/20 ,  G21F1/00 ,  G01F3/00

CPC classification number: G01T1/2018

Abstract: 本发明涉及具有排列成一层的检测器元件(1)的X射线检测器。检测器元件(1)包括：将X射线(X)转换成光子(v)的闪烁器元件(2)：用于检测光子(v)的光电二极管(5)：以及用于处理由光电二极管(5)产生的电信号的处理电路(4)。为了防止X射线对电子线路(4)的影响，在电子线路(4)的前面安装有可变有效厚度(d1、d2)的屏蔽罩(3)。屏蔽罩(3)尤其可以具有L形。可以通过把屏蔽罩(3)的有效厚度减小到所需的最小值来使闪烁器单元(2)的体积达到最大值。

公开(公告)号：CN1890580A

公开(公告)日：2007-01-03

申请号：CN200480036265.1

申请日：2004-12-02

Applicant: 皇家飞利浦电子股份有限公司

Inventor： G·福格特迈尔 ,  R·斯蒂德曼 ,  K·J·恩格尔 ,  H·维措勒克 ,  W·埃肯巴赫

IPC: G01T1/20

CPC classification number: G01T1/2018

Abstract: 本发明涉及具有排列成一层的检测器元件(1)的X射线检测器。检测器元件(1)包括：将X射线(X)转换成光子(v)的闪烁器元件(2)：用于检测光子(v)的光电二极管(5)：以及用于处理由光电二极管(5)产生的电信号的处理电路(4)。为了防止X射线对电子线路(4)的影响，在电子线路(4)的前面安装有可变有效厚度(d1、d2)的屏蔽罩(3)。屏蔽罩(3)尤其可以具有L形。可以通过把屏蔽罩(3)的有效厚度减小到所需的最小值来使闪烁器单元(2)的体积达到最大值。

公开(公告)号：CN101107206B

公开(公告)日：2011-06-08

申请号：CN200580015618.4

申请日：2005-05-12

Applicant: 皇家飞利浦电子股份有限公司

Inventor： L·波利亚斯尼科瓦 ,  V·德米登科 ,  E·戈罗克霍瓦 ,  O·奥夫延尼科瓦 ,  O·克里斯蒂奇 ,  H·维措勒克 ,  C·R·隆达 ,  G·蔡特勒

IPC: C04B35/547 ,  C09K11/77 ,  C04B35/053 ,  C04B35/50

CPC classification number: C04B35/645 ,  C04B35/547 ,  C04B35/64 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3229 ,  C04B2235/446 ,  C04B2235/5409 ,  C04B2235/5436 ,  C04B2235/656 ,  C04B2235/6581 ,  C04B2235/662 ,  C04B2235/77 ,  C04B2235/786 ,  C04B2235/9653 ,  C09K11/7771

Abstract: 本发明涉及用M掺杂的具有通式Gd2O2S的荧光陶瓷，其中M代表至少一种选自Ce、Pr、Eu、Tb、Yb、Dy、Sm和/或Ho的元素，其中所述荧光陶瓷在其体积内包括单相；本发明还涉及采用单轴热压制备荧光陶瓷的方法；用于检测电离辐射的检测器和所述检测器用于检测电离辐射的用途。所述采用单轴热压制造荧光陶瓷材料的方法包括下列步骤：a)选择用M掺杂的Gd2O2S颜料粉末，且M代表至少一种选自Eu、Tb、Yb、Dy、Sm、Ho、Ce和/或Pr的元素，其中所述用于热压的粉末的晶粒大小为1μm，且所述热压在1000℃-1400℃温度下进行；和/或在100MPa-300Mpa压力下进行；在700℃-1200℃下空气退火0.5小时至30小时。

公开(公告)号：CN101107206A

公开(公告)日：2008-01-16

申请号：CN200580015618.4

申请日：2005-05-12

Applicant: 皇家飞利浦电子股份有限公司

Inventor： L·波利亚斯尼科瓦 ,  V·德米登科 ,  E·戈罗克霍瓦 ,  O·奥夫延尼科瓦 ,  O·克里斯蒂奇 ,  H·维措勒克 ,  C·R·隆达 ,  G·蔡特勒

IPC: C04B35/547 ,  C09K11/77 ,  C04B35/053 ,  C04B35/50

CPC classification number: C04B35/645 ,  C04B35/547 ,  C04B35/64 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3229 ,  C04B2235/446 ,  C04B2235/5409 ,  C04B2235/5436 ,  C04B2235/656 ,  C04B2235/6581 ,  C04B2235/662 ,  C04B2235/77 ,  C04B2235/786 ,  C04B2235/9653 ,  C09K11/7771

Abstract: 本发明涉及用M掺杂的具有通式Gd2O2S的荧光陶瓷，其中M代表至少一种选自Ce、Pr、Eu、Tb、Yb、Dy、Sm和/或Ho的元素，其中所述荧光陶瓷在其体积内包括单相；本发明还涉及采用单轴热压制备荧光陶瓷的方法；用于检测电离辐射的检测器和所述检测器用于检测电离辐射的用途。所述采用单轴热压制造荧光陶瓷材料的方法包括下列步骤：a)选择用M掺杂的Gd2O2S颜料粉末，且M代表至少一种选自Eu、Tb、Yb、Dy、Sm、Ho、Ce和/或Pr的元素，其中所述用于热压的粉末的晶粒大小为1μm，且所述热压在1000－1400℃温度下进行；和/或在100MPa－300MPa压力下进行；在700℃－1200℃下空气退火0.5小时至30小时。