基于铽的探测器闪烁体
    1.
    发明授权

    公开(公告)号:CN103718063B

    公开(公告)日:2017-04-26

    申请号:CN201280037639.6

    申请日:2012-07-03

    Abstract: 一种成像系统(100)包括辐射源(110)和辐射敏感探测器阵列(116),所述辐射敏感探测器阵列包括闪烁体阵列(118)和被光学耦合到所述闪烁体阵列的光传感器阵列(120),其中,所述闪烁体阵列包括Gd2O2S:Pr,Tb,Ce。一种方法,包括利用成像系统(100)的辐射敏感探测器阵列(116)探测辐射,其中,所述辐射敏感探测器阵列包括基于Gd2O2S:Pr,Tb,Ce的闪烁体阵列(118)。一种辐射敏感探测器阵列(116)包括闪烁体阵列(118)和被光学耦合到所述闪烁体阵列的光传感器阵列(120),其中,所述闪烁体阵列包括Gd2O2S:Pr,Tb,Ce,并且Gd2O2S:Pr,Tb,Ce中Tb3+的量等于或小于200摩尔百万分率。

    基于铽的探测器闪烁体
    2.
    发明公开

    公开(公告)号:CN103718063A

    公开(公告)日:2014-04-09

    申请号:CN201280037639.6

    申请日:2012-07-03

    Abstract: 一种成像系统(100)包括辐射源(110)和辐射敏感探测器阵列(116),所述辐射敏感探测器阵列包括闪烁体阵列(118)和被光学耦合到所述闪烁体阵列的光传感器阵列(120),其中,所述闪烁体阵列包括Gd2O2S:Pr,Tb,Ce。一种方法,包括利用成像系统(100)的辐射敏感探测器阵列(116)探测辐射,其中,所述辐射敏感探测器阵列包括基于Gd2O2S:Pr,Tb,Ce的闪烁体阵列(118)。一种辐射敏感探测器阵列(116)包括闪烁体阵列(118)和被光学耦合到所述闪烁体阵列的光传感器阵列(120),其中,所述闪烁体阵列包括Gd2O2S:Pr,Tb,Ce,并且Gd2O2S:Pr,Tb,Ce中Tb3+的量等于或小于200摩尔百万分率。

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