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公开(公告)号：CN115428196A
公开(公告)日：2022-12-02
申请号：CN202180004947.8
申请日：2021-03-30
Applicant: TDK株式会社
IPC: H01M4/70 , H01M4/02 , H01M4/13 , H01M10/052
Abstract: 蓄电器件用电极包括：具有第1表面和位于与第1表面相反侧的第2表面的树脂层；位于树脂层的第1表面侧的第1导电层；和位于第1导电层的与树脂层相反侧的第1颗粒层。在与树脂层的厚度方向平行的截面中，第1导电层具有包含向树脂层侧弯曲成凸状的多个凸部和配置于多个凸部中的相邻的2个凸部之间的凹部的第1形状。从相邻的2个凸部的顶点的一者至凹部的底点的厚度方向上的距离H比树脂层的厚度小。
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公开(公告)号：CN102540041A
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN201110403014.4
申请日：2011-12-07
CPC classification number: G11B5/3166 , G11B5/314 , G11B5/3173 , G11B5/3189 , G11B2005/0021 , H01L2924/0002 , Y10T29/49021 , Y10T29/49032 , H01L2924/00
Abstract: 本发明涉及热辅助头的老化测试方法。测试条带状态的多个激光二极管单元，每个激光二极管单元中的激光二极管包括形成在彼此面对表面上的第一电极和第二电极，且安装在子底座的安装表面上，使第一电极面对安装表面。方法包括：准备条带，条带中安装区域和切分边沿沿纵向交替排列，每个安装区域包括其上形成的激光二极管单元，切分边沿用于将条带分成分立的激光二极管单元，在每个安装区域的安装表面上设置与第一电极电连接的第一焊盘，在每个切分边沿的安装表面上设置同与之相邻的安装区域中的第一焊盘电连接的第二焊盘；使片状探针相对于第二电极和第二焊盘成倾斜角而与之相接触，并按压探针使探针变形；以及通过探针在第二电极和第二焊盘之间提供电势差，使激光二极管发射激光。
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公开(公告)号：CN101471075B
公开(公告)日：2011-04-20
申请号：CN200810188837.8
申请日：2008-12-26
Applicant: TDK株式会社
IPC: G11B5/31
CPC classification number: G11B5/314 , G11B2005/0021
Abstract: 本发明涉及一种热辅助磁头，其特征在于，如果向第1及第2近场光发生部照射激光等能量线，则在两个近场光发生部的前端发生近场光。利用发生的近场光，加热与介质相对面相对的磁记录介质，使磁记录介质的矫顽力降低。由于主磁极的至少一部分位于包含第1及第2近场光发生部之间的区域的光斑区域内，因此，两个近场光发生部的前端和主磁极非常接近，可以进行高密度的记录。
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公开(公告)号：CN101373598A
公开(公告)日：2009-02-25
申请号：CN200810146838.6
申请日：2008-08-25
Applicant: TDK株式会社
CPC classification number: G11B5/314 , G11B2005/001 , G11B2005/0021
Abstract: 本发明涉及一种热辅助磁头。一边使来自光波导路的出射光的出射位置和磁极端部靠近，一边实现对磁记录介质的高密度的写入。热辅助磁头包括：主磁极层，具有露出于与磁记录介质相对的介质相对面的磁极端部；以及光波导路，使入射的激光向层叠方向偏转。主磁极层位于光因光波导路而发生偏转的一侧。磁极端部向光因光波导路而发生偏转的一侧突出。光波导路在介质相对面侧比磁极端部更突出。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117321745A
公开(公告)日：2023-12-29
申请号：CN202280034429.5
申请日：2022-03-25
Applicant: TDK株式会社
IPC: H01L21/60
Abstract: 在本发明的电子部件(1)中，防扩散层(35)的第二部分(37)与基材(5)的主面(5a)平行地延伸。在将电子部件(1)表面安装于安装基板时，在电子部件(1)的电极(30A、30B)和安装基板的接地电极之间介设有焊料等导电性的接合材料。当防扩散层(35)和基板(10)之间的接合面较宽时，接合材料的金属成分难以通过接合面(S)到达电极(30A、30B)的主体部(31)。因此，抑制了接合材料的金属成分扩散到主体部(31)的情况，并抑制了扩散所引起的电极(30A、30B)的强度降低。
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公开(公告)号：CN102201243B
公开(公告)日：2015-04-22
申请号：CN201010139380.9
申请日：2010-03-23
CPC classification number: G11B5/398 , B82Y25/00 , G01R33/093 , G01R33/098 , G11B5/3932
Abstract: 本发明公开了一种磁阻传感器，该磁阻传感器包括第一屏蔽层、第二屏蔽层、形成于所述第一屏蔽层和所述第二屏蔽层之间的磁阻元件以及一对分别放置于所述磁阻元件两边的硬磁层。所述磁阻元件包括形成于所述第一屏蔽层上的反铁磁层、形成于所述反铁磁层上的被钉扎层以及形成在所述被钉扎层和所述第二屏蔽层之间的自由层。所述自由层为漏斗形，所述自由层具有面对空气承载面的第一边以及与所述第一边相对的第二边，所述第一边的宽度小于第二边的宽度。采用本发明的磁阻传感器，能够改善MR高度控制的性能；并改善ESD性能、降低PCN及RTN从而获得更稳定的性能。本发明还公开了一种磁头、磁头折片组合及磁盘驱动器。
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公开(公告)号：CN102201243A
公开(公告)日：2011-09-28
申请号：CN201010139380.9
申请日：2010-03-23
CPC classification number: G11B5/398 , B82Y25/00 , G01R33/093 , G01R33/098 , G11B5/3932
Abstract: 本发明公开了一种磁阻传感器，该磁阻传感器包括第一屏蔽层、第二屏蔽层、形成于所述第一屏蔽层和所述第二屏蔽层之间的磁阻元件以及一对分别放置于所述磁阻元件两边的硬磁层。所述磁阻元件包括形成于所述第一屏蔽层上的反铁磁层、形成于所述反铁磁层上的被钉扎层以及形成在所述被钉扎层和所述第二屏蔽层之间的自由层。所述自由层为漏斗形，所述自由层具有面对空气承载面的第一边以及与所述第一边相对的第二边，所述第一边的宽度小于第二边的宽度。采用本发明的磁阻传感器，能够改善MR高度控制的性能；并改善ESD性能、降低PCN及RTN从而获得更稳定的性能。本发明还公开了一种磁头、磁头折片组合及磁盘驱动器。
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公开(公告)号：CN101373596B
公开(公告)日：2010-08-25
申请号：CN200810146839.0
申请日：2008-08-25
Applicant: TDK株式会社
CPC classification number: G11B5/02 , G11B5/314 , G11B2005/0005 , G11B2005/0021
Abstract: 本发明提供一种能够实现对磁记录介质的高密度的写入的热辅助磁头。热辅助磁头具备磁头部，该磁头部具有介质相对面以及与其相对的背面。磁头部具有记录磁头部、光波导路、遮光体。光波导路沿着介质相对面和背面的相对方向延伸。遮光体分别沿着介质相对面和背面的相对方向延伸且阻碍介质相对面和背面之间的激光的透过。从背面看时，光波导路和遮光体排列在同一直线上。从背面看时，遮光体隔着该直线相对且排列在与该直线大致垂直的直线上。
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公开(公告)号：CN1312665C
公开(公告)日：2007-04-25
申请号：CN200410069757.2
申请日：2004-07-14
Applicant: TDK株式会社
IPC: G11B5/39
CPC classification number: G11B5/3932 , B82Y25/00 , G01R33/093 , G01R33/098 , Y10T428/1107 , Y10T428/1121
Abstract: 以夹持MR膜(7)的方式在该MR膜(7)的磁道宽度方向的两侧，相互离开地配置一对磁区控制层(9)，对MR膜(7)(自由层(27))施加纵向偏移磁场。该磁区控制层(9)包括基底层(31)、强磁性层(33)和硬质磁性层(35)的层构造体，通过保护层为媒介设置在MR膜(7)的两肋。基底层(31)是使硬质磁性层(35)的磁化方向在平面内方向上一致、用于提高硬质磁性层(35)矫顽力的层，使用具有体心立方构造的材料。是提高作为整个磁区控制层(9)的饱和磁化的层，使用具有体心立方构造的强磁性材料，硬质磁性层(35)是由含Co的硬质磁性材料形成。
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