公开(公告)号：CN1532957A

公开(公告)日：2004-09-29

申请号：CN200410008849.X

申请日：2004-03-24

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 佐佐木诚志 ,  东海林慎也 ,  立本一志 ,  工藤南 ,  本间光尚

IPC: H01L41/24 ,  H01L41/083

Abstract: 本发明提供可利用通孔在陶瓷层的一端面与另一端面之间形成可靠电连接的陶瓷元件的制造方法和制造系统。它通过(一)在底膜(32)的上面形成印刷电路基板(34)后、在该基板(34)上形成通孔之前，在加热炉(36)内对底膜(32)和基板(34)进行加热使其热收缩；(二)对含钛酸锆酸铅的基板(34)照射激光L，形成通孔；(三)在基板(34)上印刷导电膏，形成覆盖通孔一端的导电布图，然后使用加热炉(51)以低于导电膏干燥温度的加热温度加热基板(34)；(四)以位置基准孔(45)为位置基准，形成通孔(13)，通过印刷同时形成覆盖通孔(13)的一端面的基底布图(47)和印刷标记48，以此检测位置基准孔45和印刷标记48的位置关系，由此实现本发明的目的。

公开(公告)号：CN1460093A

公开(公告)日：2003-12-03

申请号：CN02800959.2

申请日：2002-03-04

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 佐佐木诚志

IPC: C04B35/49 ,  H01L41/187

CPC classification number: H01L41/187 ,  C04B35/493 ,  C04B35/6262 ,  C04B2235/3201 ,  C04B2235/3206 ,  C04B2235/3213 ,  C04B2235/3215 ,  C04B2235/3251 ,  C04B2235/3272 ,  C04B2235/3275 ,  C04B2235/3279 ,  C04B2235/3281 ,  C04B2235/3284 ,  C04B2235/3294 ,  C04B2235/656 ,  C04B2235/77 ,  C04B2235/79 ,  C04B2235/96 ,  H01L41/083

Abstract: 本发明提供具有大的压电应变常数，而且在低温下可以烧成的压电陶瓷及压电元件。其是以PbA[(Mg1/3Nb2/3)a(Zn1/3Nb2/3)bTicZrd]O3(其中，a+b+c+d＝1，0.99≤A≤1.01，0.15≤a+b≤0.5，0.05≤b≤0.25，0.2≤c≤0.5，0.15≤d≤0.6)作为主成份，对于主成份1mol的质量，含有作为第1辅助成份是从铁、钴、镍及铜组成群中选择至少1种，换算成氧化物后为0.01～0.8质量％。由此，可以得到大的压电应变常数，同时可以降低烧成温度。主成份的铅的一部分可以用钙、锶及钡中的至少一种置换。进而，也可以作为第2辅助成份含有锑、铌及钽中的至少一种，对于主成份1mol的质量，换算成氧化物后为0.05～1.0质量％。

公开(公告)号：CN111261770B

公开(公告)日：2023-07-18

申请号：CN202010142985.7

申请日：2017-07-06

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 太田佳生 ,  佐佐木诚志 ,  太田义明 ,  毛塚贵大 ,  稻叶胜也 ,  佐藤琳 ,  立本一志 ,  井上正良 ,  小松雄三

IPC: H10N30/50 ,  H10N30/87 ,  H10N30/80

Abstract: 本发明涉及一种压电元件，在该压电元件中，制作压电元件的过程中在烧成的时候产生于非活性部的内部应力或从外部被附加到非活性部的应力由第1通孔导体下面的低洼部和第2通孔导体上面的低洼部而被缓和。由此，例如通孔导体的变形或断裂等被抑制，并且发生电极层或通孔导体的导通不良或断线的事态被抑制。而且，在非活性部分中，因为压电体层的突部进入到通孔导体的低洼部，所以相对于通孔导体的压电体层的保持力增加，并且通孔导体的变形被抑制或者被阻碍。

公开(公告)号：CN107591476A

公开(公告)日：2018-01-16

申请号：CN201710547890.1

申请日：2017-07-06

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 太田佳生 ,  佐佐木诚志 ,  太田义明 ,  毛塚贵大 ,  稻叶胜也 ,  佐藤琳 ,  立本一志 ,  井上正良 ,  小松雄三

IPC: H01L41/083 ,  H01L41/047 ,  H01L41/04

Abstract: 本发明涉及一种压电元件，在该压电元件中，制作压电元件的过程中在烧成的时候产生于非活性部的内部应力或从外部被附加到非活性部的应力由第1通孔导体下面的低洼部和第2通孔导体上面的低洼部而被缓和。由此，例如通孔导体的变形或断裂等被抑制，并且发生电极层或通孔导体的导通不良或断线的事态被抑制。而且，在非活性部分中，因为压电体层的突部进入到通孔导体的低洼部，所以相对于通孔导体的压电体层的保持力增加，并且通孔导体的变形被抑制或者被阻碍。

公开(公告)号：CN100428518C

公开(公告)日：2008-10-22

申请号：CN200410008849.X

申请日：2004-03-24

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 佐佐木诚志 ,  东海林慎也 ,  立本一志 ,  工藤南 ,  本间光尚

IPC: H01L41/24 ,  H01L41/083

Abstract: 本发明提供可利用通孔在陶瓷层的一端面与另一端面之间形成可靠电连接的陶瓷元件的制造方法和制造系统。它通过(一)在底膜(32)的上面形成印刷电路基板(34)后、在该基板(34)上形成通孔之前，在加热炉(36)内对底膜(32)和基板(34)进行加热使其热收缩；(二)对含钛酸锆酸铅的基板(34)照射激光L，形成通孔；(三)在基板(34)上印刷导电膏，形成覆盖通孔一端的导电布图，然后使用加热炉(51)以低于导电膏干燥温度的加热温度加热基板(34)；(四)以位置基准孔(45)为位置基准，形成通孔(13)，通过印刷同时形成覆盖通孔(13)的一端面的基底布图(47)和印刷标记48，以此检测位置基准孔45和印刷标记48的位置关系，由此实现本发明的目的。

公开(公告)号：CN1260174C

公开(公告)日：2006-06-21

申请号：CN03178611.1

申请日：2003-05-30

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 佐佐木诚志 ,  阿部贤

IPC: C04B35/49 ,  C04B35/491 ,  C04B35/622 ,  H01L41/187 ,  H01B3/12

CPC classification number: B32B18/00 ,  B32B2311/08 ,  C04B35/491 ,  C04B35/493 ,  C04B35/6262 ,  C04B35/62665 ,  C04B35/63 ,  C04B2235/3206 ,  C04B2235/3208 ,  C04B2235/3213 ,  C04B2235/3215 ,  C04B2235/3232 ,  C04B2235/3244 ,  C04B2235/3249 ,  C04B2235/3251 ,  C04B2235/3272 ,  C04B2235/3275 ,  C04B2235/3279 ,  C04B2235/3281 ,  C04B2235/3284 ,  C04B2235/3296 ,  C04B2235/5409 ,  C04B2235/5445 ,  C04B2235/5481 ,  C04B2235/656 ,  C04B2235/77 ,  C04B2237/346 ,  C04B2237/348 ,  C04B2237/40 ,  C04B2237/408 ,  C04B2237/62 ,  C04B2237/704 ,  C04B2237/706 ,  H01L41/0474 ,  H01L41/1876 ,  H01L41/273 ,  H01L41/293 ,  H01L41/43 ,  Y10T29/42

Abstract: 一种层叠型压电元件2的制造方法，该层叠型压电元件具有使压电层8和内部电极层4，6交替层叠的元件主体10，上述压电层8由压电陶瓷构成，该压电陶瓷具有呈钙钛矿型结构的复合氧化物，该复合氧化物至少含有铅、锆和钛。该方法包括：使用含有至少铅、锆、钛的各种化合物并具有累积90%粒子径在1μm以下的原料混合物，制作压电层用陶瓷生片的工序；将制作的压电层用陶瓷生片和内部电极层用前驱体层进行交替层叠，形成烧成前元件主体的工序；和将上述烧成前元件主体在1100℃以下的温度进行烧成，形成上述元件主体10的工序。

公开(公告)号：CN1701048A

公开(公告)日：2005-11-23

申请号：CN03825263.5

申请日：2003-09-18

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 佐佐木诚志 ,  小关健二

IPC: C04B35/491 ,  H01L41/187

CPC classification number: H01L41/083 ,  C04B35/493 ,  C04B35/6262 ,  C04B2235/3206 ,  C04B2235/3251 ,  C04B2235/3256 ,  C04B2235/3258 ,  C04B2235/326 ,  C04B2235/3284 ,  C04B2235/3291 ,  C04B2235/656 ,  C04B2235/77 ,  C04B2235/94 ,  C04B2235/95 ,  C04B2235/96 ,  H01L41/0474 ,  H01L41/1876

Abstract: 一种压电陶瓷组合物，它含有以Pb、Zr和Ti为主要成分的具有钙钛矿结构的复合氧化物以及下述(a)成分和/或(b)成分、或、下述(A)成分和/或(B)成分，(a)Ag和/或Ag化合物、和、Mo和/或Mo化合物；(b)钼酸银[Ag2MoO4]。(A)Ag和/或Ag化合物、Mo和/或Mo化合物、和、W和/或W化合物；(B)钼钨酸银[Ag2Mo(1－X)WXO4] (其中，X为0.3～0.7的数)。

公开(公告)号：CN1289130A

公开(公告)日：2001-03-28

申请号：CN00131699.0

申请日：2000-09-20

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 佐佐木诚志

IPC: H01B3/12 ,  C04B35/01 ,  H01L41/18

CPC classification number: C04B35/493 ,  H01L41/1876

Abstract: 本发明提供了一种压电陶瓷组合物,其组成为主组分是x(Pb2Sb2O7)1/2·(1－x)[Pba(ZryTiz)O3](条件是0.98≤a≤0.999,0.005≤x≤0.05,0.50≤y≤0.54,0.46≤z≤0.50,y+z=1),以及每1mol重量的主组分,加入换算成WO3,Sb2O3,Nb2O5和Ta2O5的0.1—1.0重量%W,Sb,Nb,Ta中的至少一种作为副组分以及加入换算成SiO2的0.01—0.1重量%的Si作为另一种副组分。

公开(公告)号：CN117642053A

公开(公告)日：2024-03-01

申请号：CN202311074214.9

申请日：2023-08-24

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 小野习仁 ,  佐佐木诚志 ,  佐藤靖行 ,  小口惠治

IPC: H10N30/87

Abstract: 本发明的压电元件包含：压电素体；和配置在压电素体内的第一、第二、第三及第四电极层。第一、第二、第三及第四电极层分别包含一对第一电极和一对第二电极。第一电极层所包含的第一和第二电极经由压电素体的一部分分别与第二电极层所包含的第二和第一电极相对。第二电极层所包含的第一和第二电极经由压电素体的一部分分别与第三电极层所包含的第一和第二电极相对。第三电极层所包含的第一和第二电极经由压电素体的一部分分别与第四电极层所包含的第二和第一电极相对。

公开(公告)号：CN111261770A

公开(公告)日：2020-06-09

申请号：CN202010142985.7

申请日：2017-07-06

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 太田佳生 ,  佐佐木诚志 ,  太田义明 ,  毛塚贵大 ,  稻叶胜也 ,  佐藤琳 ,  立本一志 ,  井上正良 ,  小松雄三

IPC: H01L41/083 ,  H01L41/047 ,  H01L41/04

Abstract: 本发明涉及一种压电元件，在该压电元件中，制作压电元件的过程中在烧成的时候产生于非活性部的内部应力或从外部被附加到非活性部的应力由第1通孔导体下面的低洼部和第2通孔导体上面的低洼部而被缓和。由此，例如通孔导体的变形或断裂等被抑制，并且发生电极层或通孔导体的导通不良或断线的事态被抑制。而且，在非活性部分中，因为压电体层的突部进入到通孔导体的低洼部，所以相对于通孔导体的压电体层的保持力增加，并且通孔导体的变形被抑制或者被阻碍。