公开(公告)号：CN1276959C

公开(公告)日：2006-09-27

申请号：CN200410073976.8

申请日：2004-09-17

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 南幅学 ,  松井之辉 ,  矢野博之

IPC: C09G1/16 ,  H01L21/304

CPC classification number: C09G1/02 ,  B24B37/044

Abstract: 本文公开了一种抛光方法，包括：使半导体基片的抛光面与含有树脂作主要组分并连接到转盘上的抛光垫接触，并向抛光垫滴加CMP浆料以打磨抛光面，该CMP浆料含有树脂微粒、无机微粒、可聚合组分和聚合引发剂。

公开(公告)号：CN1616573A

公开(公告)日：2005-05-18

申请号：CN200410073976.8

申请日：2004-09-17

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 南幅学 ,  松井之辉 ,  矢野博之

IPC: C09G1/16 ,  H01L21/304

CPC classification number: C09G1/02 ,  B24B37/044

Abstract: 本文公开了一种抛光方法，包括：使半导体基片的抛光面与含有树脂作主要组分并连接到转盘上的抛光垫接触，并向抛光垫滴加CMP浆料以打磨抛光面，该CMP浆料含有树脂微粒、无机微粒、可聚合组分和聚合引发剂。

公开(公告)号：CN102376565B

公开(公告)日：2014-07-30

申请号：CN201110222413.0

申请日：2011-08-04

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 南幅学 ,  松井之辉 ,  仓嶋延行 ,  江田元

IPC: H01L21/321 ,  H01L21/768

CPC classification number: B24B37/015 ,  B24B37/042 ,  B24B37/107 ,  B24B49/10 ,  B24B49/14 ,  H01L21/31053 ,  H01L21/3212 ,  H01L21/7684

Abstract: 根据一个实施例，公开了一种半导体器件制造方法。所述方法可包括：通过将半导体衬底上的膜压向抛光垫而抛光所述膜。抛光所述膜包括进行第一抛光，其中所述抛光垫的入口温度被调整为大于等于40℃且小于等于50℃，并且所述抛光垫的出口温度被调整为比所述入口温度高5℃或更高。抛光所述膜包括进行第二抛光，其中所述入口温度被调整为小于等于30℃，并且所述出口温度被调整为比所述入口温度高5℃或更高。

公开(公告)号：CN102376565A

公开(公告)日：2012-03-14

申请号：CN201110222413.0

申请日：2011-08-04

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 南幅学 ,  松井之辉 ,  仓嶋延行 ,  江田元

IPC: H01L21/321 ,  H01L21/768

CPC classification number: B24B37/015 ,  B24B37/042 ,  B24B37/107 ,  B24B49/10 ,  B24B49/14 ,  H01L21/31053 ,  H01L21/3212 ,  H01L21/7684

Abstract: 根据一个实施例，公开了一种半导体器件制造方法。所述方法可包括：通过将半导体衬底上的膜压向抛光垫而抛光所述膜。抛光所述膜包括进行第一抛光，其中所述抛光垫的入口温度被调整为大于等于40℃且小于等于50℃，并且所述抛光垫的出口温度被调整为比所述入口温度高5℃或更高。抛光所述膜包括进行第二抛光，其中所述入口温度被调整为小于等于30℃，并且所述出口温度被调整为比所述入口温度高5℃或更高。

公开(公告)号：CN100402624C

公开(公告)日：2008-07-16

申请号：CN01122494.0

申请日：2001-07-13

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 松井之辉 ,  南幅学 ,  矢野博之 ,  福岛大

IPC: C09K3/14 ,  C08J5/14 ,  H01L21/302

CPC classification number: H01L21/3212 ,  C11D3/14 ,  C11D11/0047

Abstract: CMP用淤浆，它具有：液体；包含于此液体中的多种研磨粒子，此研磨粒子包含至少一种以上的有机粒子和至少一种以上的无机粒子，而此有机与无机粒子则通过热结合一体化。

公开(公告)号：CN1292460C

公开(公告)日：2006-12-27

申请号：CN200410048782.2

申请日：2004-06-18

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 南幅学 ,  松井之辉 ,  矢野博之

IPC: H01L21/304 ,  C09K3/14 ,  B24B1/00 ,  B24B37/04 ,  H01L21/00

CPC classification number: H01L21/3212 ,  C09G1/02

Abstract: 所公开的是一种CMP浆料，其所含第一种胶粒的初级粒子直径范围从5nm到30nm并且平均粒径为d1，掺入的第一种胶粒的重量为w1，第二种胶粒的初级粒子直径比第一种的大并且其平均粒径为d2，第二种胶粒是用与第一种胶粒相同的材料制成，掺入的重量为w2，其中所选择的d1、d2、w1、w2应同时满足下列条件(A)和(B)，排除d1、d2、w1、w2同时满足下列条件(C)和(D)的情形：3≤d2/d1≤8 (A)；0.7≤w1/(w1+w2)≤0.97 (B)；3≤d2/d1≤5 (C)；0.7≤w1/(w1+w2)≤0.9 (D)。

公开(公告)号：CN1576347A

公开(公告)日：2005-02-09

申请号：CN200410069162.7

申请日：2004-07-05

Applicant: 捷时雅株式会社 ,  株式会社东芝

Inventor： 内仓和一 ,  西元和男 ,  服部雅幸 ,  川桥信夫 ,  矢野博之 ,  松井之辉 ,  南幅学 ,  福岛大 ,  仓嵨延行

IPC: C09K3/14

CPC classification number: H01L21/02074 ,  C09G1/02 ,  C09K3/1463 ,  H01L21/3212

Abstract: 本发明中所涉及的化学机械研磨用水性分散体含有：研磨粉粒成分(A)、喹啉羧酸及吡啶羧酸中至少一种所组成的成分(B)、喹啉羧酸及吡啶羧酸以外的有机酸组成的成分(C)、氧化剂成分(D)，且其中成分(B)的含量(WB)与成分(C)的含量(WC)的质量比(WB/WC)在0.01到2之间，氨及铵离子组成的氨成分浓度在0.005摩尔/升以下。这种化学机械研磨用水性分散体，可高效研磨各种被加工层各处，获得非常平坦且高精度的最终面。

公开(公告)号：CN1574238A

公开(公告)日：2005-02-02

申请号：CN200410048782.2

申请日：2004-06-18

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 南幅学 ,  松井之辉 ,  矢野博之

IPC: H01L21/304 ,  C09K3/14 ,  B24B1/00 ,  B24B37/04 ,  H01L21/00

CPC classification number: H01L21/3212 ,  C09G1/02

Abstract: 所公开的是一种CMP浆料，其所含第一种胶粒的初级粒子直径范围从5nm到30nm并且平均粒径为d1，掺入的第一种胶粒的重量为w1，第二种胶粒的初级粒子直径比第一种的大并且其平均粒径为d2，第二种胶粒是用与第一种胶粒相同的材料制成，掺入的重量为w2，其中所选择的d1、d2、w1、w2应同时满足下列条件(A)和(B)，排除d1、d2、w1、w2同时满足下列条件(C)和(D)的情形：3≤d2/d1≤8 (A)；0.7≤w1/(w1+w2)≤0.97 (B)；3≤d2/d1≤5 (C)；0.7≤w1/(w1+w2) ≤0.9 (D)。