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公开(公告)号：CN111307850A
公开(公告)日：2020-06-19
申请号：CN201911378479.1
申请日：2019-12-27
Applicant: 西安空间无线电技术研究所
IPC: G01N23/2251
Abstract: 本发明公开了一种介质二次电子发射产额的测量方法，包括：将金属导电栅网覆盖在待测介质的表面；将入射电子照射到金属导电栅网范围内，测量得到入射电流和样品电流；根据入射电流和样品电流，解算得到测量得到的总体二次电子产额；获取金属导电栅网在待测介质的表面上的覆盖比例、金属导电栅网对下层待测介质表面出射电子的遮挡系数，以及金属导电栅网自身的二次电子产额；解算得到待测介质表面出射的二次电子产额；解算得到待测介质的本征二次电子产额。本发明无需高精度的中和手段，可通用于普通金属二次电子产额测试设备，测量结果准确且不受样品厚度限制，能较好适应于低能端。
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公开(公告)号：CN108387597A
公开(公告)日：2018-08-10
申请号：CN201711374694.5
申请日：2017-12-19
Applicant: 西安空间无线电技术研究所
IPC: G01N23/22
Abstract: 一种测量低能量范围金属材料二次电子发射系数的装置及方法，其中装置包括收集极、两只电流表和电子枪；收集极为两层且开口朝下的结构，结构顶部开有预留孔；样品的上表面置于收集极内部且位于预留孔的正下方，电子枪通过预留孔将入射电子打到样品上；一只电流表记为电流表A连接在样品与地之间；另一只电流表记为电流表B连接在收集极内表面与地之间，收集极的外表面接地。
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公开(公告)号：CN106156440A
公开(公告)日：2016-11-23
申请号：CN201610585498.1
申请日：2016-07-22
Applicant: 西安空间无线电技术研究所
CPC classification number: G06F17/5009 , H01P1/207
Abstract: 一种快速确定腔体滤波器无源互调电平的方法，首先将腔体滤波器接触部位进行等分，在两个载波频率处进行两次频域电磁场仿真，分别获得接触部位的表面电流。然后结合接触电阻确定接触部位每部分的电压降，根据接触部位非线性电流电压特性确定每部分的非线性电流。最后以该非线性电流为激励，在无源互调频率处进行电磁场仿真，最终确定出腔体滤波器端口无源互调功率电平，从而实现腔体滤波器无源互调电平的快速确定。本发明方法解决了腔体滤波器无源互调仿真的问题，可在滤波器设计阶段，有效仿真优化其无源互调性能。
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公开(公告)号：CN102925893B
公开(公告)日：2014-10-08
申请号：CN201210431364.6
申请日：2012-10-31
Applicant: 西安空间无线电技术研究所
IPC: C23F1/00
Abstract: 本发明公开了一种抑制微波部件微放电效应的微刻蚀工艺方法，这一方法的核心是在保证微波部件良好导电性的基础上，利用化学方法微刻蚀铝合金镀银表面，使微波部件光滑的镀银表面形成纳米微陷阱结构，从而抑制微波部件表面的二次电子发射，以达到提高微放电阈值，抑制微放电的目的。该方法主要包括以下处理步骤：微波部件经必要清洗后，利用Fe(NO3)3溶液进行刻蚀，在部件镀银表面形成纳米微结构；然后在50％的盐酸中浸泡去除Fe3+。该方法与现有的微波部件处理工艺衔接良好，微波部件表面的二次电子发射系数受到明显抑制，部件的微放电阈值也有显著提高。
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公开(公告)号：CN117010098A
公开(公告)日：2023-11-07
申请号：CN202310611486.1
申请日：2023-05-26
Applicant: 北京信息科技大学 , 西安空间无线电技术研究所
Abstract: 本发明公开了设计最优二次电子发射系数圆柱孔阵列结构尺寸的方法，包括以下步骤：S1、建立规则阵列圆柱孔陷阱结构的尺寸范围；S2、将规则阵列圆柱孔陷阱结构的尺寸看做种群中的个体，对所有个体进行二进制编码，形成二进制编码位串，并对每个个体逐一进行编号；S3、根据规则阵列圆柱孔陷阱结构的尺寸计算二次电子发射系数曲线并获取对应的最大二次电子发射系数；S4、基于工作频率以及规则阵列圆柱孔陷阱结构的尺寸计算表面阻抗；所述方法能同时兼顾降低二次电子发射系数和表面阻抗，可用于降低金属表面二次电子发射系数，为空间大功率微波部件微放电的抑制提供支撑。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112281141A
公开(公告)日：2021-01-29
申请号：CN202011024329.3
申请日：2020-09-25
Applicant: 西安空间无线电技术研究所
IPC: C23C16/455 , C23C16/02 , C23C16/26 , C23C16/52
Abstract: 本发明涉及一种基于可控碳纳米镀层的介质表面二次电子发射系数抑制方法，属于介质表面二次电子发射系数抑制技术领域。本发明实现了多约束条件下基于可控碳纳米镀层的介质表面二次电子发射抑制方法，通过在金属基片表面原子层沉积可控的碳纳米薄膜，实现表面的二次电子发射系数的降低，二次电子发射系数降低幅度超过60％，在解决介质微波部件微放电效应及粒子加速器的电子云方面有较好的应用前景。
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公开(公告)号：CN108546929B
公开(公告)日：2020-07-14
申请号：CN201810293001.8
申请日：2018-03-30
Applicant: 西安空间无线电技术研究所
IPC: C23C16/34 , C23C16/455 , C23C16/02 , C23C16/50
Abstract: 本发明提供一种在基片表面制备氮化钛纳米薄膜的方法、具有薄膜的基片及其应用，属于二次电子发射抑制技术领域。所述方法包括：将基片经预真空室传送至反应腔中，给所述反应腔抽真空；向所述反应腔中通入惰性气体，对所述基片进行退火处理；将退火处理后的所述基片退回所述预真空室，采用氨气等离子体和气态钛源对所述反应腔进行若干次洗气循环；将所述基片送回所述反应腔，保持所述反应腔温度为150‑220℃，采用所述氨气等离子体和钛源进行等离子体增强氮化钛原子层沉积反应，得到表面具有氮化钛纳米薄膜的基片。本发明制备的超薄薄膜可控性强、薄膜与基片结合强度高、表面共形性好、在平面及多孔等复杂结构表面均匀性高。
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公开(公告)号：CN109060854A
公开(公告)日：2018-12-21
申请号：CN201810695524.5
申请日：2018-06-29
Applicant: 西安空间无线电技术研究所
IPC: G01N23/22
CPC classification number: G01N23/22
Abstract: 一种周期性孔隙介质表面二次电子发射特性确定方法，首先确定介质材料的材料特性、表面周期性孔隙特性、射频电磁场、静电荷积累场、静态磁场和初始电子信息，然后确定介质材料表面孔隙中的各个电子运动轨迹、电子与孔隙边界碰撞前运动时间，进而计算得到电子与孔隙边界的碰撞角度、碰撞能量，最后根据各个电子与孔隙边界碰撞后的二次电子出射信息，结合电子运动轨迹方程与孔隙边界条件，判断电子是否从孔隙中出射，得到周期性孔隙介质材料表面二次电子发射特性。
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公开(公告)号：CN106156440B
公开(公告)日：2018-12-21
申请号：CN201610585498.1
申请日：2016-07-22
Applicant: 西安空间无线电技术研究所
Abstract: 一种快速确定腔体滤波器无源互调电平的方法，首先将腔体滤波器接触部位进行等分，在两个载波频率处进行两次频域电磁场仿真，分别获得接触部位的表面电流。然后结合接触电阻确定接触部位每部分的电压降，根据接触部位非线性电流电压特性确定每部分的非线性电流。最后以该非线性电流为激励，在无源互调频率处进行电磁场仿真，最终确定出腔体滤波器端口无源互调功率电平，从而实现腔体滤波器无源互调电平的快速确定。本发明方法解决了腔体滤波器无源互调仿真的问题，可在滤波器设计阶段，有效仿真优化其无源互调性能。
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公开(公告)号：CN108546929A
公开(公告)日：2018-09-18
申请号：CN201810293001.8
申请日：2018-03-30
Applicant: 西安空间无线电技术研究所
IPC: C23C16/34 , C23C16/455 , C23C16/02 , C23C16/50
Abstract: 本发明提供一种在基片表面制备氮化钛纳米薄膜的方法、具有薄膜的基片及其应用，属于二次电子发射抑制技术领域。所述方法包括：将基片经预真空室传送至反应腔中，给所述反应腔抽真空；向所述反应腔中通入惰性气体，对所述基片进行退火处理；将退火处理后的所述基片退回所述预真空室，采用氨气等离子体和气态钛源对所述反应腔进行若干次洗气循环；将所述基片送回所述反应腔，保持所述反应腔温度为150-220℃，采用所述氨气等离子体和钛源进行等离子体增强氮化钛原子层沉积反应，得到表面具有氮化钛纳米薄膜的基片。本发明制备的超薄薄膜可控性强、薄膜与基片结合强度高、表面共形性好、在平面及多孔等复杂结构表面均匀性高。
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