公开(公告)号：CN105518089A

公开(公告)日：2016-04-20

申请号：CN201480049607.7

申请日：2014-09-05

Applicant: 阿科玛法国公司 ,  国家科学研究中心 ,  波尔多大学 ,  波尔多理工学院

Inventor： C.纳瓦罗 ,  X.希瓦利埃 ,  C.尼科利特 ,  I.伊利奥普洛斯 ,  R.蒂朗 ,  G.弗勒里 ,  G.哈齐约安努

IPC: C09D153/00 ,  C08F293/00 ,  C08J5/18 ,  G03F7/16 ,  C08L53/00 ,  G03F7/06

CPC classification number: B05D3/046 ,  B05D1/005 ,  B05D3/0254 ,  C08F293/005 ,  C08F2438/02 ,  C08J5/18 ,  C08J2353/00 ,  C08L53/00 ,  C08L2205/025 ,  C08L2205/03 ,  C09D153/00 ,  G03F1/50 ,  G03F1/68 ,  G03F7/0002

Abstract: 本发明涉及用于在表面上无纳米结构缺陷地制造由嵌段共聚物获得的纳米结构化膜的方法，所述嵌段共聚物呈现在1.1和2之间的分散度指数(包括界限)，从而使该经处理的表面能够用作在微电子应用中使用的掩模。

公开(公告)号：CN107430332A

公开(公告)日：2017-12-01

申请号：CN201680017316.9

申请日：2016-01-21

Applicant: 阿科玛法国公司

Inventor： X.舍瓦利耶 ,  R.伊努布利 ,  C.纳瓦罗 ,  C.尼科利特

IPC: G03F7/00

Abstract: 本发明涉及用于减少包括嵌段共聚物(BCP)的有序膜中的缺陷数量的方法。本发明也涉及用于制造所述有序膜的组合物，和涉及由此制造的有序膜，其特别地可用作光刻领域中的掩模。

公开(公告)号：CN107430331A

公开(公告)日：2017-12-01

申请号：CN201680017307.X

申请日：2016-01-21

Applicant: 阿科玛法国公司

Inventor： X.舍瓦利耶 ,  R.伊努布利 ,  C.纳瓦罗 ,  C.尼科利特

IPC: G03F7/00

Abstract: 本发明涉及用于制造厚(典型地>20nm)的和在纳米尺度上高周期(典型地>10nm)的有序膜的方法，所述有序膜包括嵌段共聚物(BCP)。本发明也涉及用于制造所述厚的有序膜的组合物，和涉及由此制造的有序膜，其可特别地用作光刻领域中的掩模。

公开(公告)号：CN107430330A

公开(公告)日：2017-12-01

申请号：CN201680017300.8

申请日：2016-01-21

Applicant: 阿科玛法国公司

Inventor： X.舍瓦利耶 ,  R.伊努布利 ,  C.纳瓦罗 ,  C.尼科利特

IPC: G03F7/00

Abstract: 本发明涉及用于减少包括嵌段共聚物(BCP)的有序膜的组装时间的方法。本发明也涉及用于制造所述有序膜的组合物，和涉及由此制造的有序膜，其特别地可用作光刻领域中的掩模。

公开(公告)号：CN107406660A

公开(公告)日：2017-11-28

申请号：CN201680017108.9

申请日：2016-01-21

Applicant: 阿科玛法国公司

Inventor： C.纳瓦罗 ,  C.尼科利特 ,  R.伊努布利 ,  X.舍瓦利耶

IPC: C08L53/00 ,  G03F7/004 ,  C08J5/18 ,  C09D153/00 ,  C08F212/08 ,  C08F220/14 ,  C08F297/02 ,  G03F1/68

CPC classification number: G03F7/0002 ,  B05D1/005 ,  B05D3/0254 ,  C08L53/00 ,  C08L2205/02 ,  C09D153/00 ,  G03F1/68 ,  G03F7/162 ,  G03F7/168 ,  C08F212/08 ,  C08F220/14 ,  C08F297/02 ,  C08J5/18 ,  C08J2353/00 ,  C08J2453/00 ,  C08L2203/16 ,  C08L2205/025 ,  G03F7/004

Abstract: 本发明涉及用于在纳米尺度上控制嵌段共聚物的有序膜的关键尺寸均匀性的方法。本发明还涉及用于控制嵌段共聚物的有序膜的关键尺寸均匀性的组合物，和涉及由此获得的有序膜，所述有序膜特别地可用作光刻领域中的掩模。

公开(公告)号：CN105579498A

公开(公告)日：2016-05-11

申请号：CN201480052279.6

申请日：2014-07-18

Applicant: 阿科玛法国公司

Inventor： C.纳瓦罗 ,  X.希瓦利埃 ,  C.尼科利特

IPC: C08J5/18 ,  C08F297/02 ,  G03F7/00 ,  C09D153/00 ,  C08F2/00 ,  B82Y30/00

CPC classification number: B05D3/046 ,  B05D3/0254 ,  B05D3/0493 ,  C08F2/001 ,  C08F297/026 ,  C09D153/00 ,  G03F1/68 ,  G03F7/00 ,  G03F7/0002 ,  C08L25/06

Abstract: 本发明涉及采用特别的方式进行嵌段共聚物和所述嵌段之一的(共)聚合物的共混物的合成来控制表征在表面上的从嵌段共聚物和所述嵌段之一的(共)聚合物的共混物获得的形态的周期的方法。

公开(公告)号：CN106687862B

公开(公告)日：2020-12-22

申请号：CN201580048764.0

申请日：2015-09-09

Applicant: 阿科玛法国公司

Inventor： C.纳瓦罗 ,  C.尼科利特 ,  X.切瓦利耶

IPC: G03F7/00

Abstract: 本发明涉及用于控制在使用沉积在表面上的包括嵌段共聚物和聚合物的混合物的组合物获得的膜中的缺陷率的方法。所述聚合物包括至少一种与所述嵌段共聚物的任一嵌段中存在的单体相同的单体。

公开(公告)号：CN108463772A

公开(公告)日：2018-08-28

申请号：CN201680078180.2

申请日：2016-12-16

Applicant: 阿科玛法国公司

Inventor： C.纳瓦罗 ,  C.尼科利特 ,  X.舍瓦利耶

IPC: G03F7/00 ,  C08L53/00

CPC classification number: G03F7/0002 ,  C08F297/02

Abstract: 本发明涉及一种减少沉积在表面上的包含嵌段共聚物(BCP)的组合物的有序膜中的缺陷数量而不降低其他关键结构化参数(动力学、厚度、临界尺寸均匀性)的方法，无论纳米畴的取向如何(垂直于基底，平行于基底等)；该组合物具有在10.5和40之间的χ有效*N的乘积(其中χ有效＝所考虑的嵌段之间的弗洛里哈金斯参数，且N为这些嵌段的总聚合度)。

公开(公告)号：CN107108824A

公开(公告)日：2017-08-29

申请号：CN201580068369.9

申请日：2015-12-15

Applicant: 阿科玛法国公司

Inventor： C.纳瓦罗 ,  C.尼科利特 ,  X.舍瓦利耶

IPC: C08F297/02 ,  C09D153/00 ,  G03F7/00 ,  G03F7/004 ,  B82Y30/00

Abstract: 控制包含至少两个嵌段的嵌段共聚物的合成的方法，所述至少两个嵌段包括至少一个非极性嵌段和至少一个极性嵌段，所述方法使得可特别地控制嵌段之间的比率和各嵌段的分子量，所述共聚物为意图通过直接自组装件(DSA)用作纳米光刻方法中的掩模的嵌段共聚物，所述控制是通过在非质子非极性介质中的半连续阴离子聚合实现的并且包括下列步骤：‑合成大分子引发剂形式的第一非极性嵌段，‑通过在非质子非极性溶剂中混合先前合成的大分子引发剂与碱金属醇盐而制备所述先前合成的大分子引发剂的溶液，‑在非质子非极性溶剂中制备极性单体的溶液，‑以恒定的流量比，将两种先前制备的大分子引发剂和极性单体的溶液注入连接至聚合反应器的微混合器中，‑收取所获得的共聚物。

公开(公告)号：CN106661171A

公开(公告)日：2017-05-10

申请号：CN201580042917.0

申请日：2015-06-01

Applicant: 阿科玛法国公司

Inventor： C.纳瓦罗 ,  C.尼科利特 ,  X.舍瓦利耶

IPC: C08F297/02 ,  C08J5/18 ,  G03F7/00

CPC classification number: C09D153/00 ,  B05D1/005 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  C08F297/026 ,  C08J5/18 ,  C08J2325/08 ,  C08J2333/08 ,  C08L53/00 ,  G03F7/0002 ,  C08J2353/00

Abstract: 本发明涉及纳米结构化成纳米畴的嵌段共聚物膜，其由具有大于50kg/mol、和优选地大于100kg/mol且小于250kg/mol的分子量的基础嵌段共聚物制备，并且其中至少一个嵌段包括苯乙烯，和至少一个其它嵌段包括甲基丙烯酸甲酯。所述膜的特征在于基于苯乙烯的嵌段由苯乙烯和二苯乙烯(DPE)的共聚物P(S‑共‑DPE)制成。