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公开(公告)号:CN107850836A
公开(公告)日:2018-03-27
申请号:CN201680044441.9
申请日:2016-05-26
IPC: G03F7/00
Abstract: 本发明涉及用于降低嵌段共聚物膜(BCP1)的缺陷率的方法,所述嵌段共聚物膜(BCP1)的底表面与基底(S)的预中性化的表面(N)接触且所述嵌段共聚物膜(BCP1)的顶表面覆盖有顶表面中性化层(TC),以得到垂直于底界面和顶界面两者的所述嵌段共聚物(BCP1)的纳米畴的取向,所述方法的特征在于为了覆盖嵌段共聚物膜(BCP1)的顶表面而实施的所述顶表面中性化层(TC)由第二前端共聚物(BCP2)构成。
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公开(公告)号:CN107108824B
公开(公告)日:2020-05-12
申请号:CN201580068369.9
申请日:2015-12-15
Applicant: 阿科玛法国公司
IPC: C08F297/02 , C09D153/00 , G03F7/00 , G03F7/004 , B82Y30/00
Abstract: 控制包含至少两个嵌段的嵌段共聚物的合成的方法,所述至少两个嵌段包括至少一个非极性嵌段和至少一个极性嵌段,所述方法使得可特别地控制嵌段之间的比率和各嵌段的分子量,所述共聚物为意图通过直接自组装件(DSA)用作纳米光刻方法中的掩模的嵌段共聚物,所述控制是通过在非质子非极性介质中的半连续阴离子聚合实现的并且包括下列步骤:‑合成大分子引发剂形式的第一非极性嵌段,‑通过在非质子非极性溶剂中混合先前合成的大分子引发剂与碱金属醇盐而制备所述先前合成的大分子引发剂的溶液,‑在非质子非极性溶剂中制备极性单体的溶液,‑以恒定的流量比,将两种先前制备的大分子引发剂和极性单体的溶液注入连接至聚合反应器的微混合器中,‑收取所获得的共聚物。
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公开(公告)号:CN108475009A
公开(公告)日:2018-08-31
申请号:CN201680073419.7
申请日:2016-12-16
Applicant: 阿科玛法国公司
IPC: G03F7/00
CPC classification number: G03F7/0002
Abstract: 本发明涉及一种减少嵌段共聚物的组合物的有序膜在表面上的结构化时间而不增加缺陷水平的方法,无论取向如何(垂直于基底,平行于基底等);该组合物具有在10.5和40之间的χ有效*N的乘积(其中χ有效=chi有效的弗洛里哈金斯参数,且N为总聚合度)。
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公开(公告)号:CN106413833A
公开(公告)日:2017-02-15
申请号:CN201580030290.7
申请日:2015-06-01
Applicant: 阿科玛法国公司
CPC classification number: B01J39/20 , B01D15/362 , B01J39/05 , B01J39/07 , B01J39/26 , B01J47/02 , C08F6/02 , C08G85/002 , C08J5/2287 , C08J11/02 , C08L53/00 , C08L33/12 , C08F6/12
Abstract: 本发明涉及从粘性有机溶液中除去金属离子的方法,所述粘性有机溶液在20℃下的粘度介于1和1000cP之间。所述方法包括以下步骤:将大孔离子交换树脂置于柱中,所述树脂包括至少一种羧基型的酸性树脂,其基于具有羧基形式(CO2H)的活性基团的共聚物;和随后使所述粘性有机溶液连续地通过所述离子交换树脂。
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公开(公告)号:CN108463772A
公开(公告)日:2018-08-28
申请号:CN201680078180.2
申请日:2016-12-16
Applicant: 阿科玛法国公司
CPC classification number: G03F7/0002 , C08F297/02
Abstract: 本发明涉及一种减少沉积在表面上的包含嵌段共聚物(BCP)的组合物的有序膜中的缺陷数量而不降低其他关键结构化参数(动力学、厚度、临界尺寸均匀性)的方法,无论纳米畴的取向如何(垂直于基底,平行于基底等);该组合物具有在10.5和40之间的χ有效*N的乘积(其中χ有效=所考虑的嵌段之间的弗洛里哈金斯参数,且N为这些嵌段的总聚合度)。
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公开(公告)号:CN107108824A
公开(公告)日:2017-08-29
申请号:CN201580068369.9
申请日:2015-12-15
Applicant: 阿科玛法国公司
IPC: C08F297/02 , C09D153/00 , G03F7/00 , G03F7/004 , B82Y30/00
Abstract: 控制包含至少两个嵌段的嵌段共聚物的合成的方法,所述至少两个嵌段包括至少一个非极性嵌段和至少一个极性嵌段,所述方法使得可特别地控制嵌段之间的比率和各嵌段的分子量,所述共聚物为意图通过直接自组装件(DSA)用作纳米光刻方法中的掩模的嵌段共聚物,所述控制是通过在非质子非极性介质中的半连续阴离子聚合实现的并且包括下列步骤:‑合成大分子引发剂形式的第一非极性嵌段,‑通过在非质子非极性溶剂中混合先前合成的大分子引发剂与碱金属醇盐而制备所述先前合成的大分子引发剂的溶液,‑在非质子非极性溶剂中制备极性单体的溶液,‑以恒定的流量比,将两种先前制备的大分子引发剂和极性单体的溶液注入连接至聚合反应器的微混合器中,‑收取所获得的共聚物。
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公开(公告)号:CN106661171A
公开(公告)日:2017-05-10
申请号:CN201580042917.0
申请日:2015-06-01
Applicant: 阿科玛法国公司
IPC: C08F297/02 , C08J5/18 , G03F7/00
CPC classification number: C09D153/00 , B05D1/005 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C08F297/026 , C08J5/18 , C08J2325/08 , C08J2333/08 , C08L53/00 , G03F7/0002 , C08J2353/00
Abstract: 本发明涉及纳米结构化成纳米畴的嵌段共聚物膜,其由具有大于50kg/mol、和优选地大于100kg/mol且小于250kg/mol的分子量的基础嵌段共聚物制备,并且其中至少一个嵌段包括苯乙烯,和至少一个其它嵌段包括甲基丙烯酸甲酯。所述膜的特征在于基于苯乙烯的嵌段由苯乙烯和二苯乙烯(DPE)的共聚物P(S‑共‑DPE)制成。
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