公开(公告)号：CN118932491A

公开(公告)日：2024-11-12

申请号：CN202411035101.2

申请日：2024-07-31

Applicant: 长安大学

Inventor： 俞鹏飞 ,  杨桂芝 ,  赵世伟 ,  孙星 ,  赵鹏 ,  介万奇

IPC: C30B29/52 ,  C30B1/10

Abstract: 本发明公开了一种CdTe基半导体晶体的制备方法及应用，首先，使用分析天平称量一定质量的CdTe基粉体，将粉体在模具中单轴压制，形成圆柱形坯体；其次，将圆柱形坯体置于真空管式炉中，通过控制炉温和施加电场进行闪烧，在预设电流下保持一定时间后关闭电源，得到CdTe基半导体晶体。本发明利用电场辅助条件下的短时间内和物质快速传质的特点，加快烧结过程中晶体的生长速度。在烧结过程中，电场的作用能够有效地降低活化能，使得晶粒能够更快速地移动和结合，从而缩短晶体生长所需的时间。与此同时，短时间内可以迅速达到所需的烧结温度，减少高温下晶体暴露的时间，从而减少易挥发物质和化合物体系中元素的挥发损失。

公开(公告)号：CN112427648B

公开(公告)日：2022-08-30

申请号：CN202011377293.7

申请日：2020-11-30

Applicant: 长安大学

Inventor： 赵鹏 ,  景明海 ,  俞鹏飞 ,  李辉 ,  蒋自强 ,  孙国栋 ,  贾岩 ,  左羽飞 ,  何凯

IPC: B22F9/30 ,  C01B17/06

Abstract: 一种金属钼粉制备方法与制备装置。所公开的制备方法包括原料二硫化钼或者辉钼矿与适量辅助导电材料混合后，对混合料施压成型为坯体，所述辅助导电材料选自能够辅助导电且不与金属钼粉发生反应的材料；在200‑1300℃环境中，对所述坯体直接通电，在温度场和电场耦合作用下原料进行分解反应，回收分解反应过程中释放的硫磺，反应完成后回收金属钼粉中的辅助导电材料得金属钼粉。所公开的装置主要包括分解炉和设在分解炉内的电极。本发明制备金属钼粉工艺简单，同时节能降耗，绿色环保。

公开(公告)号：CN112429983A

公开(公告)日：2021-03-02

申请号：CN202011295496.1

申请日：2020-11-18

Applicant: 长安大学

Inventor： 赵鹏 ,  杨勇 ,  俞鹏飞 ,  李辉 ,  蒋自强 ,  罗伟华 ,  王士珩

IPC: C04B7/24 ,  C04B7/47 ,  F27D9/00 ,  F27D17/00

Abstract: 本发明公开了一种含水污泥处理方法与设备。所公开的方法是在高温熟料向熟料冷却机输送过程中，将常温含水污泥喷向回转窑熟料下料口输出的高温熟料上，使熟料发生第一次速冷、含水污泥进行水分蒸发后带有污泥的熟料继续进入熟料冷却机进行处理，过程中产生的热量和有机质经二次风和三次风送入水泥回转窑；之后输出水泥熟料与辅助胶凝材料。所公开的设备包括水泥回转窑和熟料冷却机以及设置在水泥回转窑出料口与熟料冷却机连接处的含水污泥喷送装置。本发明充分利用污泥水分冷却水泥熟料，污泥全组分得到充分有效利用，同时对水泥熟料煅烧带来负面影响小，不增加水泥熟料生产线二恶英排放风险，无额外干化设备，污泥处理量大，熟料易磨性好。

公开(公告)号：CN107393820B

公开(公告)日：2019-12-13

申请号：CN201710414294.6

申请日：2017-06-05

Applicant: 长安大学

Inventor： 俞鹏飞 ,  李辉 ,  陈永仁 ,  宋婕 ,  王钰

IPC: H01L21/321 ,  H01L21/322 ,  H01L31/032 ,  H01L31/115

Abstract: 本发明涉及一种表面钝化液及其用于碲锰镉晶体表面钝化的应用。钝化液为质量百分含量是1％～5％的过硫酸钾钝化液，即过硫酸钾与去离子水的质量比为1:99～5:95，应用时，将已经用化学方法两面镀有金电极的碲锰镉晶片放入配制好的钝化液中钝化1‑20min后，用去离子水清洗干净，最后用氮气吹干，得到表面钝化的碲锰镉晶体。本发明的钝化工艺和操作简单、成本低，钝化后可在碲锰镉晶体的表面形成高阻氧化层，有效降低漏电流，从而改善探测器的性能。

公开(公告)号：CN116768621A

公开(公告)日：2023-09-19

申请号：CN202310724605.4

申请日：2023-06-19

Applicant: 长安大学

Inventor： 李辉 ,  周天祥 ,  谢正阳 ,  徐康 ,  王涵 ,  路文科 ,  俞鹏飞

IPC: C04B35/49 ,  C04B35/622 ,  C04B35/64

Abstract: 本发明公开了一种无铅压电陶瓷的制备工艺，涉及压电陶瓷技术领域；该压电陶瓷的成分包括：主相：钛酸钡；副相：氧化镁、氧化锆和氧化钛；所述制备工艺具体包括如下步骤：将钛酸钡、氧化镁、氧化锆、氧化钛和聚乙烯醇按照配方比例称量；将原材料通过球磨机进行混合，并加入乙醇作为助剂；将混合后的原材料经过过筛处理，加入聚乙烯醇作为粘结剂，制备成型料；将制备好的成型料放入模具中，进行压制成型，并进行预烧处理。本发明的无铅压电陶瓷与传统的含铅压电陶瓷相比，本发明所制备的无铅压电陶瓷更加环保，符合现代社会对环保材料的需求；具有很高的压电系数和介电常数，可广泛应用于高精度的压电传感器和压电驱动器等领域。

公开(公告)号：CN108624949B

公开(公告)日：2021-02-09

申请号：CN201810386669.7

申请日：2018-04-26

Applicant: 长安大学

Inventor： 俞鹏飞 ,  陈永仁 ,  介万奇 ,  宋婕 ,  李伟 ,  王钰 ,  王振军

IPC: C30B11/00 ,  C30B29/48 ,  C30B33/02

Abstract: 本发明涉及一种碲镁镉单晶材料的制备方法、晶体材料及其应用，制备方法包括利用高温熔融法制备碲镁镉多晶料、再利用垂直布里奇曼法进行晶体材料的生长，最后进行原位退火即得；制备原料包括：按照化学计量比，满足Cd0.95Mg0.05Te的Cd、Mg和Te为基础原料，在基础原料的基础上加入过量的Cd或者过量的Te，再掺杂In；垂直布里奇曼法的高温区的温度为1120～1150℃，低温区的温度为900～960℃，下降速率为0.5～1mm/h。本发明制备方法简单、成本低，通过控制合适的晶体生长参数，可制备出大尺寸的碲镁镉单晶，解决了现有碲镁镉单晶制备方法复杂和尺寸偏小的技术问题。同时，多晶料合成和晶体生长在一个坩埚内，避免了原料的污染。