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公开(公告)号：CN118932491A
公开(公告)日：2024-11-12
申请号：CN202411035101.2
申请日：2024-07-31
Applicant: 长安大学
Abstract: 本发明公开了一种CdTe基半导体晶体的制备方法及应用，首先，使用分析天平称量一定质量的CdTe基粉体，将粉体在模具中单轴压制，形成圆柱形坯体；其次，将圆柱形坯体置于真空管式炉中，通过控制炉温和施加电场进行闪烧，在预设电流下保持一定时间后关闭电源，得到CdTe基半导体晶体。本发明利用电场辅助条件下的短时间内和物质快速传质的特点，加快烧结过程中晶体的生长速度。在烧结过程中，电场的作用能够有效地降低活化能，使得晶粒能够更快速地移动和结合，从而缩短晶体生长所需的时间。与此同时，短时间内可以迅速达到所需的烧结温度，减少高温下晶体暴露的时间，从而减少易挥发物质和化合物体系中元素的挥发损失。
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