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公开(公告)号：CN108624949A
公开(公告)日：2018-10-09
申请号：CN201810386669.7
申请日：2018-04-26
Applicant: 长安大学
Abstract: 本发明涉及一种碲镁镉单晶材料的制备方法、晶体材料及其应用，制备方法包括利用高温熔融法制备碲镁镉多晶料、再利用垂直布里奇曼法进行晶体材料的生长，最后进行原位退火即得；制备原料包括：按照化学计量比，满足Cd0.95Mg0.05Te的Cd、Mg和Te为基础原料，在基础原料的基础上加入过量的Cd或者过量的Te，再掺杂In；垂直布里奇曼法的高温区的温度为1120～1150℃，低温区的温度为900～960℃，下降速率为0.5～1mm/h。本发明制备方法简单、成本低，通过控制合适的晶体生长参数，可制备出大尺寸的碲镁镉单晶，解决了现有碲镁镉单晶制备方法复杂和尺寸偏小的技术问题。同时，多晶料合成和晶体生长在一个坩埚内，避免了原料的污染。
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公开(公告)号：CN118932491A
公开(公告)日：2024-11-12
申请号：CN202411035101.2
申请日：2024-07-31
Applicant: 长安大学
Abstract: 本发明公开了一种CdTe基半导体晶体的制备方法及应用，首先，使用分析天平称量一定质量的CdTe基粉体，将粉体在模具中单轴压制，形成圆柱形坯体；其次，将圆柱形坯体置于真空管式炉中，通过控制炉温和施加电场进行闪烧，在预设电流下保持一定时间后关闭电源，得到CdTe基半导体晶体。本发明利用电场辅助条件下的短时间内和物质快速传质的特点，加快烧结过程中晶体的生长速度。在烧结过程中，电场的作用能够有效地降低活化能，使得晶粒能够更快速地移动和结合，从而缩短晶体生长所需的时间。与此同时，短时间内可以迅速达到所需的烧结温度，减少高温下晶体暴露的时间，从而减少易挥发物质和化合物体系中元素的挥发损失。
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公开(公告)号：CN108624949B
公开(公告)日：2021-02-09
申请号：CN201810386669.7
申请日：2018-04-26
Applicant: 长安大学
Abstract: 本发明涉及一种碲镁镉单晶材料的制备方法、晶体材料及其应用，制备方法包括利用高温熔融法制备碲镁镉多晶料、再利用垂直布里奇曼法进行晶体材料的生长，最后进行原位退火即得；制备原料包括：按照化学计量比，满足Cd0.95Mg0.05Te的Cd、Mg和Te为基础原料，在基础原料的基础上加入过量的Cd或者过量的Te，再掺杂In；垂直布里奇曼法的高温区的温度为1120～1150℃，低温区的温度为900～960℃，下降速率为0.5～1mm/h。本发明制备方法简单、成本低，通过控制合适的晶体生长参数，可制备出大尺寸的碲镁镉单晶，解决了现有碲镁镉单晶制备方法复杂和尺寸偏小的技术问题。同时，多晶料合成和晶体生长在一个坩埚内，避免了原料的污染。
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