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公开(公告)号：CN118284325A
公开(公告)日：2024-07-02
申请号：CN202410375640.4
申请日：2024-03-29
Applicant: 重庆邮电大学
Abstract: 本申请公开了基于InGaZnO忆阻薄膜电极的感知器件、制备方法及应用，涉及电子器件技术领域，解决了现有技术无法实现精准的入射光子能谱信息进行诊断的问题，其技术方案要点是：感知器件包括从下到上依次设置的阴极电极层、CdZnTe辐射作用介质层、导电衬底、InGaZnO忆阻功能薄膜层以及顶电极层；其中，所述导电衬底、InGaZnO忆阻功能薄膜层以及顶电极层构成忆阻电极结构，所述导电衬底位于所述CdZnTe辐射作用介质层的阳极侧，所述阴极电极层位于所述CdZnTe辐射作用介质层的阴极侧。
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公开(公告)号：CN118138040A
公开(公告)日：2024-06-04
申请号：CN202410134646.2
申请日：2024-01-30
Applicant: 重庆邮电大学
Abstract: 本发明涉及一种高速无盲区的非线性鉴频鉴相器电路，属于模拟集成电路设计领域。该电路包括：主鉴频鉴相电路，其输入信号包括参考信号和反馈信号，用于对参考信号和反馈信号进行鉴频鉴相；复位控制电路，其输入信号包括参考信号、反馈信号和主鉴频鉴相电路的输出信号，复位控制电路输出复位信号用于控制主鉴频鉴相电路进行复位，使主鉴频鉴相电路产生线形和非线性增益，从而避免盲区问题；以及输出调整电路，其输入信号为主鉴频鉴相电路的输出信号，用于调整主鉴频鉴相电路的输出信号。本发明采用预处理的方式进行提前复位解决了鉴频鉴相器的盲区问题，可提供非线性的增益，加快锁相环的锁定；同时使电荷泵不会同时充放电，减小电荷泵无用功耗。
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公开(公告)号：CN115695977B
公开(公告)日：2024-04-19
申请号：CN202211333864.6
申请日：2022-10-28
Applicant: 重庆邮电大学
Abstract: 本发明涉及一种曝光时间不受限的压缩超快成像系统及方法，属于计算成像领域。通过互补式轮流采样方式，将长时间曝光的采集过程，按时间交替分配到两个或多个条纹相机和积分相机的组合上，同时利用一个额外的积分相机来记录轮次切换中可能遗漏的信息，这样每个条纹相机上得到采样帧数就可以控制在较低水平。而目前的主流重构算法，即使在具有SI辅助的条件下，当压缩帧率大于50帧时，重构图像的PSNR也难以超过30dB。这种成像方式不受采样帧率的影响，并且切换过程也不会丢失信息，还可以进行长时间曝光，当每组帧数控制在10帧以内时，重构图像的PSNR可以优于30dB，这样的图像质量从视觉上已经难以察觉其与原始图像的差别。
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公开(公告)号：CN117492029A
公开(公告)日：2024-02-02
申请号：CN202311455541.9
申请日：2023-11-03
Applicant: 重庆邮电大学
IPC: G01S17/90
Abstract: 本发明涉及一种无编码CUP‑VISAR系统及数据重构方法，属于以采用光学方法为特征的计量设备领域。本发明根据积分相机上采集到的空间混叠二维数据和条纹相机上采集到的时间维度数据构建数学模型，使用适配的最优化方法求解，结合行锚定降噪方法，实现数据在空间和时间上的高质量重构。本发明通过积分相机将干涉仪产生的动态条纹在时间维度上积分，得到高空间分辨率的采样数据，作为第一保真项，同时结合从条纹相机采集的时间维度数据作为第二保真项，共同来构建数学模型；然后使用混合整数非线性规划方法或整数规划方法，完整地重构出三维动态条纹数据；最后使用行锚定降噪方法，得到高质量的重构数据。
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公开(公告)号：CN117278049A
公开(公告)日：2023-12-22
申请号：CN202311299049.7
申请日：2023-10-09
Applicant: 重庆邮电大学
IPC: H03M7/30
Abstract: 本发明公开了基于权重化QR分解的OMP重构方法、装置、设备及介质，涉及信号处理技术领域。本发明的方法包括：第一步，获取测量值并构造传感矩阵；第二步，初始化参；第三步，对原子集、权重、残差向量进行迭代更新，当迭代次数满足阈值，停止迭代，输出迭代结果向量；第四步，根据结果向量计算稀疏向量，并基于稀疏向量重构信号。本方法针对贪婪算法中的正交匹配追踪算法(Orthogonal Matching Pursuit，OMP)算法进行改进，在迭代求解过程中引入了增量式权重，只采用部分元素向量进行迭代运算，保证重构信号质量同时降低资源消耗，使得本发明的实施方案有利于在轻量化硬件平台上实现。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110676330B
公开(公告)日：2021-07-13
申请号：CN201910973410.7
申请日：2019-10-14
Applicant: 重庆邮电大学
IPC: H01L31/0232 , H01L31/0352 , H01L31/102
Abstract: 本发明请求保护一种光敏台面与N接触台面之间光隔离的低功耗波导光探测器结构，该结构将光波导与光电二极管集成在半绝缘衬底上。其中光电二极管具有优化的能带结构、参杂分布和外延层厚度，主要包括具有线性梯度掺杂分布的非耗尽P型光吸收层，具有线性梯度掺杂分布的N型电子收集层(非光吸收层)，以及在吸收层和收集层之间的具有三明治偶极掺杂分布的带隙渐变间隔层。通过在N台面上制作沟槽并沉积上金属薄膜电极将光敏台面与N接触台面进行光隔离，从而提高光波导对光的限制；在光波导的尾端制作一个与N台面隔离的台面并沉积上金属薄膜作为光反射镜，从而提高器件的有效吸收长度，是一种缓解光探测器带宽和量子效率相互制约的技术方案。
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公开(公告)号：CN110277648B
公开(公告)日：2020-09-22
申请号：CN201910655580.0
申请日：2019-07-19
Applicant: 重庆邮电大学
IPC: H01Q15/00
Abstract: 本发明公开了一种对称型太赫兹偏振不敏感人工微结构，具有中心对称裂环结构的透射型超曲面，用于产生各种谐振模式，包括衬底介质基板，所述衬底介质基板上设置有金属结构，所述金属结构由多个十字金属谐振单元周期性排列组成，每个十字金属谐振单元包括正方形外框和十字形格栅结构，所述十字形格栅结构为正方形外框内部设置的十字形且中心处被隔断的格栅。无论是LC谐振还是偶极谐振，几何结构的振动对谐振频率和传输振幅的影响都很小。在TE和TM激励下，透射率结果一致，具有偏振不敏感的特点，可用于提高无偏振入射光高速调制器的调制深度。由于高阶谐振模的激励，本发明还可以在高灵敏度生物检测和窄带滤波等各种环境中得到运用。
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公开(公告)号：CN111121984A
公开(公告)日：2020-05-08
申请号：CN201911303312.9
申请日：2019-12-17
Applicant: 重庆邮电大学
IPC: G01J11/00
Abstract: 本发明涉及一种可双模式工作的雪崩光电探测器，属于传感器领域。包括可调电阻器R1，雪崩光电二极管APD，取样电阻Rs，低噪声放大器，多路开关1，线性放大器，计数器，信号处理器，数-模转换器，以及多路开关2；APD通过可调电阻器R1被偏置高压反向偏置，然后通过取样电阻Rs接到地端；通过取样电阻Rs，APD探测光子得到的电流信号，被转化为电压信号后，输入低噪声放大器；低噪声放大器提供一定的增益，提高信噪比和后端驱动能力，以免APD输出信号在后续处理中被引入的噪声淹没，便于后续处理。
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公开(公告)号：CN110931575A
公开(公告)日：2020-03-27
申请号：CN201911018076.6
申请日：2019-10-24
Applicant: 重庆邮电大学
IPC: H01L31/0232 , H01L31/101
Abstract: 本发明请求保护一种与DBR包层及反射镜单片集成的波导光探测器，该结构将光电二极管、光波导、光波导侧向DBR包层、DBR反射镜单片集成在半绝缘衬底上。所请求保护的结构中，在光波导的左右两侧存在由半导体和有机物绝缘体构成的DBR包层以提高其对光的限制，在光波导的末端存在由半导体和有机物绝缘体构成的DBR反射镜以提高器件的有效光吸收长度，从而提高光探测器的量子效率，缓解光探测器带宽和量子效率相互制约的矛盾。
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公开(公告)号：CN110071194A
公开(公告)日：2019-07-30
申请号：CN201910280919.3
申请日：2019-04-09
Applicant: 重庆邮电大学
IPC: H01L31/107 , H01L31/0304 , H01L31/02 , H01L31/0216 , H01L31/18
Abstract: 本发明请求保护一种宽光谱响应的InGaAs单光子雪崩光电二极管，包括衬底，在所述衬底上设有短波透光窗口，在所述衬底一侧设有n电极,另一侧设有腐蚀截止层,在所述腐蚀截止层上依次设有InGaAs标准波长吸收层、长波吸收层、渐变层、电荷层、倍增层以及钝化层。在所述倍增层内设有阶梯型PN结,而在所述倍增层另一侧设有p电极和钝化层。所述p电极和阶梯型PN结、以及透光窗口三者处于同一轴线上。本发明采用长波吸收层对1700nm-1800nm波长的光子进行吸收，同时通过衬底上的透光窗口，防止760nm-900nm波段光子在衬底材料中被吸收。将InGaAs单光子雪崩光电二极管的响应波长范围从900nm-1700nm拓展到760nm-1800nm，为该波段范围内提供了单个光子的探测灵敏度。
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