公开(公告)号：CN110071194B

公开(公告)日：2021-11-16

申请号：CN201910280919.3

申请日：2019-04-09

Applicant: 重庆邮电大学

Inventor： 王玺 ,  黎淼 ,  李传波 ,  陈伟 ,  高新江 ,  张承 ,  黄超意 ,  何丰 ,  马勇

IPC: H01L31/107 ,  H01L31/0304 ,  H01L31/02 ,  H01L31/0216 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明请求保护一种宽光谱响应的InGaAs单光子雪崩光电二极管，包括衬底，在所述衬底上设有短波透光窗口，在所述衬底一侧设有n电极,另一侧设有腐蚀截止层,在所述腐蚀截止层上依次设有InGaAs标准波长吸收层、长波吸收层、渐变层、电荷层、倍增层以及钝化层。在所述倍增层内设有阶梯型PN结,而在所述倍增层另一侧设有p电极和钝化层。所述p电极和阶梯型PN结、以及透光窗口三者处于同一轴线上。本发明采用长波吸收层对1700nm‑1800nm波长的光子进行吸收，同时通过衬底上的透光窗口，防止760nm‑900nm波段光子在衬底材料中被吸收。将InGaAs单光子雪崩光电二极管的响应波长范围从900nm‑1700nm拓展到760nm‑1800nm，为该波段范围内提供了单个光子的探测灵敏度。

公开(公告)号：CN110071194A

公开(公告)日：2019-07-30

申请号：CN201910280919.3

申请日：2019-04-09

Applicant: 重庆邮电大学

Inventor： 王玺 ,  黎淼 ,  李传波 ,  陈伟 ,  高新江 ,  张承 ,  黄超意 ,  何丰 ,  马勇

IPC: H01L31/107 ,  H01L31/0304 ,  H01L31/02 ,  H01L31/0216 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明请求保护一种宽光谱响应的InGaAs单光子雪崩光电二极管，包括衬底，在所述衬底上设有短波透光窗口，在所述衬底一侧设有n电极,另一侧设有腐蚀截止层,在所述腐蚀截止层上依次设有InGaAs标准波长吸收层、长波吸收层、渐变层、电荷层、倍增层以及钝化层。在所述倍增层内设有阶梯型PN结,而在所述倍增层另一侧设有p电极和钝化层。所述p电极和阶梯型PN结、以及透光窗口三者处于同一轴线上。本发明采用长波吸收层对1700nm-1800nm波长的光子进行吸收，同时通过衬底上的透光窗口，防止760nm-900nm波段光子在衬底材料中被吸收。将InGaAs单光子雪崩光电二极管的响应波长范围从900nm-1700nm拓展到760nm-1800nm，为该波段范围内提供了单个光子的探测灵敏度。