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公开(公告)号：CN111884593B
公开(公告)日：2021-04-20
申请号：CN202010772341.6
申请日：2020-08-04
Applicant: 重庆邮电大学
Abstract: 本发明公开了一种基于HEMT的环形开口太赫兹幅度调制器及其制作方法，包括：半导体衬底、位于半导体衬底表面的外延层，外延层上设置有调制阵列、肖特基电极和欧姆电极；所述调制阵列由M×N个调制阵元周期排列组成，调制阵元由4个开口圆环形的结构单元构成，结构单元开口处匹配一个高电子迁移率晶体管，高电子迁移率晶体管的栅极通过栅极馈线与肖特基电极连接后连接电源负极，高电子迁移率晶体管的源极和漏极分别连接结构单元开口的两侧，结构单元通过源漏馈线与欧姆电极连接后连接电源正极。通过外加偏置电压控制高电子迁移率晶体管来进行超表面谐振模式的转换，实现对自由空间传播的太赫兹波的快速调幅，结构单元不同模式相互转换以达到多个频点的调制。
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公开(公告)号：CN112987345B
公开(公告)日：2024-07-02
申请号：CN202110350364.2
申请日：2021-03-31
Applicant: 重庆邮电大学
Abstract: 本发明公开了一种极化不敏感的太赫兹调制器及其制备方法，每个调制单元包括两个开口的弓形超材料结构、高电子迁移率晶体管、十字形结构连通的第一栅极馈线和第二栅极馈线和源漏馈线，两个弓形超材料结构关于第一栅极馈线对称，弓形超材料结构的开口处匹配高电子迁移率晶体管，高电子迁移率晶体管的源极和漏极分别连接弓形超材料结构开口的两侧，高电子迁移率晶体管通过第二栅极馈线与肖特基电极连接，弓形超材料结构通过源漏馈线与欧姆电极连接，采用弓形超材料结构开口，通过外加激励可控制HEMT中的二维电子气的浓度，可控制太赫兹波的通断，器件对极化方向x和y的太赫兹波不敏感，在220GHz处的调制器的调制深度均为93％。
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公开(公告)号：CN111884593A
公开(公告)日：2020-11-03
申请号：CN202010772341.6
申请日：2020-08-04
Applicant: 重庆邮电大学
Abstract: 本发明公开了一种基于HEMT的环形开口太赫兹幅度调制器及其制作方法，包括：半导体衬底、位于半导体衬底表面的外延层，外延层上设置有调制阵列、肖特基电极和欧姆电极；所述调制阵列由M×N个调制阵元周期排列组成，调制阵元由4个开口圆环形的结构单元构成，结构单元开口处匹配一个高电子迁移率晶体管，高电子迁移率晶体管的栅极通过栅极馈线与肖特基电极连接后连接电源负极，高电子迁移率晶体管的源极和漏极分别连接结构单元开口的两侧，结构单元通过源漏馈线与欧姆电极连接后连接电源正极。通过外加偏置电压控制高电子迁移率晶体管来进行超表面谐振模式的转换，实现对自由空间传播的太赫兹波的快速调幅，结构单元不同模式相互转换以达到多个频点的调制。
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公开(公告)号：CN111854945A
公开(公告)日：2020-10-30
申请号：CN202010757137.7
申请日：2020-07-31
Applicant: 重庆邮电大学
Abstract: 本发明公开了一种单像素紫外光谱偏振成像方法及系统，包括紫外光源，紫外光源依次经过滤波单元、第一透镜、成像目标、第二透镜、空间光调制器、第三透镜、偏振单元和单像素紫外探测模块，单像素紫外探测模块、数据采集模块和图像复原模块依次连接，控制模块、数据采集模块和空间光调制器连接，控制模块用于控制空间光调制器和数据采集模块。发明运用了压缩感知理论，将图像或者光谱信息进行压缩编码，仅使用单个像素的紫外探测器就能获取目标的二维偏振图像或光谱信息，解决了现有的紫外成像仪价格昂贵，存储数据量大的所带来的数据传输问题，并且为实现紫外偏振成像提供了一种新方案。
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公开(公告)号：CN111781160B
公开(公告)日：2024-11-05
申请号：CN202010771780.5
申请日：2020-08-04
Applicant: 重庆邮电大学
IPC: G01N21/3586 , G01N21/03
Abstract: 本发明公开了一种用于黏稠液体样品太赫兹光谱检测的样品池装置，包括基座和样品池盖，所述基座和样品池盖相互配合，还包括第一凸起、第一凹槽、第二凸起和第三凹槽，所述第一凹槽设置在基座的正面上，所述第一凸起设置在第一凹槽的底部，所述第一凸起端部向下凹陷形成用于放置黏稠液体样品的第三凹槽，第一凹槽比第一凸起低，所述样品池盖背面设置第二凸起，所述第二凸起嵌入于第三凹槽配合。本发明优点是：使用方便、便携并且成本低；易于清洁、易于盛装黏稠液体样品；使待测液体样品厚度均匀，减小了由样品厚度造成的误差。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115145056B
公开(公告)日：2023-05-09
申请号：CN202210956858.X
申请日：2022-08-10
Applicant: 重庆邮电大学
Abstract: 本发明公开了一种基于T型和E型超表面谐振结构的太赫兹调制器，涉及太赫兹波谐振点调制器领域，包括：谐振结构，谐振结构包括双“T”型谐振结构以及双“E”型谐振结构，其中，双“T”型谐振结构沿介质基板的中心线镜面对称从而介质基板上形成用于谐振的第一控制区域，双“E”型谐振结构沿介质基板的中心线镜面对称从而介质基板形成用于谐振的第二控制区域；调制开关，调制开关用于改变谐振点处太赫兹波的透射系数；其中，介质基板的表面附着有超材料结构层，介质基板、双“T”型谐振结构、双“E”型谐振结构以及调制开关均附着于超材料结构层。本发明可以同时产生两个谐振点，极大提高了太赫兹调制器多工作模式的丰富度，调制效果好。
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公开(公告)号：CN113253489A
公开(公告)日：2021-08-13
申请号：CN202110595595.X
申请日：2021-05-28
Applicant: 重庆邮电大学
Abstract: 本发明公开了一种太赫兹多通道调制器及其制备方法，该调制器包括衬底和外延层，所述外延层上设有调制阵列、第一肖特基电极、第二肖特基电极和欧姆电极，所述调制阵元包括结构单元，所述结构单元设有第一开口和第二开口，所述第一开口和第二开口处分别设有第一高电子迁移率晶体管和第二高电子迁移率晶体管；其中，每行第一高电子迁移率晶体管的栅极通过栅极馈线连接至第一肖特基电极，每行第二高电子迁移率晶体管的栅极通过栅极馈线连接至第二肖特基电极；每行第一高电子迁移率晶体管的源极和漏极通过源漏馈线连接至欧姆电极，每行第二高电子迁移率晶体管的源极和漏极通过源漏馈线连接至欧姆电极。通过该方案实现了对多个频点的太赫兹波进行调制。
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公开(公告)号：CN111855607A
公开(公告)日：2020-10-30
申请号：CN202010807051.0
申请日：2020-08-12
Applicant: 重庆邮电大学
IPC: G01N21/3586 , G01N21/3563 , G01N21/01
Abstract: 本发明公开了太赫兹光谱系统、维生素D的检测方法、样品及制样方法，解决了现有的检测维生素D的方法为有损检测，对样品存在破坏，需要一种新的无损检测方法的问题，本发明包括采用太赫兹时域光谱系统对维生素D进行检测，所述维生素D的结构为高密度聚乙烯顶层-维生素D层-高密度聚乙烯底层的三明治结构，维生素D的三明治结构采用压片的方式进行。本发明具有无损检测维生素D，检测快速，准确等优点。
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公开(公告)号：CN111755837A
公开(公告)日：2020-10-09
申请号：CN202010772334.6
申请日：2020-08-04
Applicant: 重庆邮电大学
Abstract: 本发明公开一种开口方环结构的太赫兹窄带吸收器，包括图案层、中间介质层和反射层从上至下依次排列，图案层由N×N个开口方环结构单元周期性排列组成，图案层紧贴于介质层表面，反射层连接在介质层底面；所述开口方环结构单元由外层方环和内层方环组成，以内层方环中心为旋转中心，在内层金属方环的上设4个90°旋转对称的开口；本发明提供的吸收器由简单的金属方环构成，结构简单，易集成，且单元结构具有对称性，能够实现x极化和y极化不敏感效果，加强吸收器的实际应用意义，对于1.7THz～1.8THz中的特定频点，本方案提供的开口方环结构的太赫兹窄带吸收器，吸收率超过99％，品质因数大于190，在该特定频点内可同时实现高吸收率和高品质因数。
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公开(公告)号：CN212275578U
公开(公告)日：2021-01-01
申请号：CN202021591113.0
申请日：2020-08-04
Applicant: 重庆邮电大学
IPC: G01N21/3586 , G01N21/03
Abstract: 本实用新型公开了一种用于黏稠液体样品太赫兹光谱检测的样品池装置，包括基座和样品池盖，所述基座和样品池盖相互配合，还包括第一凸起、第一凹槽、第二凸起和第三凹槽，所述第一凹槽设置在基座的正面上，所述第一凸起设置在第一凹槽的底部，所述第一凸起端部向下凹陷形成用于放置黏稠液体样品的第三凹槽，第一凹槽比第一凸起低，所述样品池盖背面设置第二凸起，所述第二凸起嵌入于第三凹槽配合。本实用新型优点是：使用方便、便携并且成本低；易于清洁、易于盛装黏稠液体样品；使待测液体样品厚度均匀，减小了由样品厚度造成的误差。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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