公开(公告)号：CN114335234A

公开(公告)日：2022-04-12

申请号：CN202210015492.6

申请日：2022-01-07

Applicant: 重庆邮电大学

Inventor： 王冠宇 ,  魏进希 ,  孔森林 ,  凌鹏 ,  向盈聪 ,  宋琦 ,  王巍

IPC: H01L31/11 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明涉及一种硅锗异质结光电晶体管及其制造方法，属于电子技术领域。在N型Si衬底上进行热氧化处理形成二氧化硅作为埋氧层；通过离子注入形成N+亚集电区和N‑集电区；通过氮化形成四氮化三硅牺牲保护层；在基极窗口所对应的集电区的位置进行硼离子注入，并执行快速热退火操作以消除晶格损伤；在N‑集电区边缘通过离子注入形成N+区域连接N+亚集电区；在硅锗基区的Ge组分采用阶梯型分布；在单晶Si包层上淀积N+多晶硅作为发射极；在集电区刻蚀Si并淀积Ge组分为20％的SiGe材料作为SiGe应力源。本发明中在集电区引入了单轴压应力，提高了载流子的迁移率和器件的频率特性。

公开(公告)号：CN108258032B

公开(公告)日：2021-04-20

申请号：CN201810053672.7

申请日：2018-01-19

Applicant: 重庆邮电大学

Inventor： 王冠宇 ,  苗乃丹 ,  于明道 ,  宋琦 ,  周春宇 ,  王巍

IPC: H01L29/08 ,  H01L29/737 ,  H01L21/331

Abstract: 本申请公开了一种采用组合发射区的异质结双极晶体管，包括单晶硅衬底层及设置在单晶硅衬底层上的集电区及基区，还包括设置在单晶硅衬底层上的组合发射区，组合发射区包括由下至上依次设置的重掺杂应变Si1‑zGez层、应变硅层及多晶硅重掺杂发射极，其中，z为大于0且小于1的自然数。与现有技术中的异质结双极晶体管相比，本申请中的采用组合发射区的异质结双极晶体管减小了由基区注入到发射区的空穴电流密度，提高器件的放大系数。