公开(公告)号：CN117914447A

公开(公告)日：2024-04-19

申请号：CN202410038673.X

申请日：2024-01-10

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 胡辉勇 ,  付子杰 ,  舒斌 ,  王利明 ,  张宁宁 ,  苗田 ,  林大松 ,  吴颖颖

IPC: H04L1/00

Abstract: 本发明涉及一种基于USB‑PD的物理层编解码收发系统，包括：发送部分、接收部分和PHY层控制寄存器模块，发送部分包括接收校验模块、序列生成模块、CC驱动模块、空闲检测模块和发送控制单元，接收部分包括CC判定及滤波模块、BMC解码及64bit前导码检测模块、序列检测模块和接收控制单元。该系统中采用校验速度可调的多字节信息流并行校验码生成方法对协议层数据进行CRC校验码计算，提升了系统的发送稳定性；采用空闲检测模块检测CC判定及滤波模块的输出信号以判定当前总线是否空闲，降低了消息碰撞风险；PHY层控制寄存器模块采用寄存器读写的控制模式，提升了该系统的通用性和可移植性。

公开(公告)号：CN120051055A

公开(公告)日：2025-05-27

申请号：CN202510150628.8

申请日：2025-02-11

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 苗田 ,  王利明 ,  孙子翔 ,  张宁宁 ,  张一驰 ,  舒斌 ,  胡辉勇

IPC: H10F77/20 ,  H10F30/28 ,  H10F71/00

Abstract: 本发明公开了一种基于肖特基结可调谐的宽光谱光电探测器，包括：N型硅衬底、栅极铁电介质、栅电极、源电极和漏电极；源电极、栅极铁电介质和漏电极依次设置在N型硅衬底上，栅电极设置在栅极铁电介质上；栅极铁电介质的材料为铁电材料氧化铪，栅极铁电介质和栅电极共同构成铁电栅极；栅电极的材料为透明的金属氧化物。本发明使用硅CMOS制造技术以及简洁的器件结构，极大的降低了硅基红外探测器的制备难度，并借助铁电受到红外光照极化强度减弱的特点，将硅基红外探测器的探测长波限扩展到了近红外波段。本发明还公开了一种基于肖特基结可调谐的宽光谱光电探测器的制备方法和应用。

公开(公告)号：CN115684087B

公开(公告)日：2025-04-15

申请号：CN202211261095.3

申请日：2022-10-14

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 郭谦 ,  王石语 ,  蔡德芳 ,  李兵斌 ,  尚佩瑾 ,  李哲远 ,  黄杨金 ,  张宁宁

IPC: G01N21/45

Abstract: 本发明公开了一种基于布里渊散射的材料弹光系数测量装置及方法，该装置包括：入射光产生模块用于产生测量激光并将其转化为圆偏振光；光束变换模块用于将圆偏振光转化为第一预设偏振方向的线偏振光后进行准直和缩束，使得到的入射光从待测样品的第一表面入射；散射光收集模块用于获取在待测样品中发生布里渊效应而产生的散射光，并在散射光由第二表面出射后，将与自身光轴方向平行的散射光聚焦于F‑P干涉仪的孔径处；F‑P干涉仪用于利用散射光形成等倾干涉，并对干涉后的散射光进行成像，通过测量得到的多张布里渊散射谱，确定待测样品的弹光系数。本发明缩小了大立体角带来的弹光系数误差，有利于测量得到精度更高的弹光系数。

公开(公告)号：CN113517363A

公开(公告)日：2021-10-19

申请号：CN202110548026.X

申请日：2021-05-19

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 王利明 ,  张蓓 ,  胡辉勇 ,  张一驰 ,  张宁宁 ,  孙浩 ,  韩钊 ,  苑西西 ,  舒斌

IPC: H01L31/0312 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/102 ,  H01L31/18 ,  B82Y30/00

Abstract: 本发明公开了一种红外光电探测器，涉及光电技术领域，红外光电探测器包括本征衬底层、以及位于本征衬底层一侧的纳米线、金属线和电极，由于本征衬底层和纳米线均包括锗锡材料，因此不仅增强了半导体材料本征吸收，也能够扩展中红外探测器的光响应截止波长；同时，金属线结构与纳米线结构的引入可有效提高光电探测器在红外通信波段的响应度，拓宽光电探测器的探测范围。此外，纳米线包括多条第一纳米线和多条第二纳米线、且多条第一纳米线与多条第二纳米线垂直，此种设计方式可使红外光电探测器呈对称结构，当入射光在0到360°之间变化时，红外光电探测器的光吸收性能基本上不发生变化，保证了红外光电探测器的可靠性。

公开(公告)号：CN117374145A

公开(公告)日：2024-01-09

申请号：CN202311094338.3

申请日：2023-08-28

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 王利明 ,  王博 ,  张宁宁 ,  苗田 ,  尤杰 ,  韩钊 ,  胡辉勇

IPC: H01L31/113 ,  H01L31/0256 ,  G01J1/42

Abstract: 本发明涉及一种波长可调谐光电探测器及其探测方法，光电探测器包括：衬底层、第一介质层、浮栅层、第二介质层、沟道层、源电极和漏电极；第一介质层位于衬底层的上表面；浮栅层、源电极和漏电极位于第一介质层的上表面；源电极和漏电极分别位于浮栅层的两侧，且均与浮栅层之间具有间隔；第二介质层覆盖在浮栅层的上表面和侧表面；沟道层位于第二介质层的上表面；衬底层的材料为Ge，对红外光负响应；沟道层对可见光正响应。通过衬底层和沟道层对光的吸收完成光探测功能。将光电探测器与电阻R串联，调整栅控电压的大小改变浮栅层和沟道层中的电子分布，从而改变沟道电阻。根据光电探测器的阻值和电阻R的阻值比值的改变，实现波长选择性探测。

公开(公告)号：CN116706685A

公开(公告)日：2023-09-05

申请号：CN202310652986.X

申请日：2023-06-02

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 舒斌 ,  孙昕阳 ,  张二同 ,  朱佳迪 ,  付子杰 ,  胡辉勇 ,  王利明 ,  张宁宁 ,  苗田

IPC: H01S5/30 ,  H01S5/32

Abstract: 本发明涉及一种基于SiN应力的阶梯状结构GeSn激光器及制备方法，激光器包括：衬底层；设置在衬底层上的缓冲层；设置在缓冲层上的N型Ge层；分别设置在N型Ge层两端的DBR反射镜和DBR反射镜；设置在N型Ge层上的阶梯状结构；设置在阶梯状结构上的P型Ge层；设置在P型Ge层内的P型重掺杂欧姆接触区；设置在阶梯状结构上和N型Ge层上的Si3N4应力层；设置在贯通Si3N4应力层的第一沟槽内和P型重掺杂欧姆接触区之上的电极；设置在金属电极之下且在N型Ge层内的N型重掺杂欧姆接触区。本发明能够有效提高Ge激光器的发光效率、降低Ge激光器的阈值电流密度，为高效的Ⅳ族材料集成光源提供了一种可行方案。

公开(公告)号：CN114388649A

公开(公告)日：2022-04-22

申请号：CN202111294721.4

申请日：2021-11-03

Applicant: 西安电子科技大学重庆集成电路创新研究院

Inventor： 王利明 ,  张宁宁 ,  胡辉勇 ,  王博 ,  张一驰 ,  杨茂龙 ,  郝跃凯

IPC: H01L31/108 ,  H01L31/0288 ,  H01L31/18 ,  B82Y15/00 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00

Abstract: 本发明公开了用金属纳米颗粒修饰的Ge纳米柱光电探测器及制备方法，其特征在于，包括：底部电极；本征Ge衬底层，覆盖所述底部电极；多个Ge纳米柱，呈周期性的排布于所述本征Ge衬底层上；所述Ge纳米柱的表面吸附有金属纳米颗粒；所述金属的功函数大于4.46eV；石墨烯电极，覆盖在所述多个Ge纳米柱上，并和所述本征Ge衬底层间隔非导电的介质材料。本发明提供的用金属纳米颗粒修饰的Ge纳米柱光电探测器，暗电流小、光电流以及响应度较高，具有较高的探测性能。