公开(公告)号：CN114388649A

公开(公告)日：2022-04-22

申请号：CN202111294721.4

申请日：2021-11-03

Applicant: 西安电子科技大学重庆集成电路创新研究院

Inventor： 王利明 ,  张宁宁 ,  胡辉勇 ,  王博 ,  张一驰 ,  杨茂龙 ,  郝跃凯

IPC: H01L31/108 ,  H01L31/0288 ,  H01L31/18 ,  B82Y15/00 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00

Abstract: 本发明公开了用金属纳米颗粒修饰的Ge纳米柱光电探测器及制备方法，其特征在于，包括：底部电极；本征Ge衬底层，覆盖所述底部电极；多个Ge纳米柱，呈周期性的排布于所述本征Ge衬底层上；所述Ge纳米柱的表面吸附有金属纳米颗粒；所述金属的功函数大于4.46eV；石墨烯电极，覆盖在所述多个Ge纳米柱上，并和所述本征Ge衬底层间隔非导电的介质材料。本发明提供的用金属纳米颗粒修饰的Ge纳米柱光电探测器，暗电流小、光电流以及响应度较高，具有较高的探测性能。