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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116706685A
公开(公告)日：2023-09-05
申请号：CN202310652986.X
申请日：2023-06-02
Applicant: 西安电子科技大学
Abstract: 本发明涉及一种基于SiN应力的阶梯状结构GeSn激光器及制备方法，激光器包括：衬底层；设置在衬底层上的缓冲层；设置在缓冲层上的N型Ge层；分别设置在N型Ge层两端的DBR反射镜和DBR反射镜；设置在N型Ge层上的阶梯状结构；设置在阶梯状结构上的P型Ge层；设置在P型Ge层内的P型重掺杂欧姆接触区；设置在阶梯状结构上和N型Ge层上的Si3N4应力层；设置在贯通Si3N4应力层的第一沟槽内和P型重掺杂欧姆接触区之上的电极；设置在金属电极之下且在N型Ge层内的N型重掺杂欧姆接触区。本发明能够有效提高Ge激光器的发光效率、降低Ge激光器的阈值电流密度，为高效的Ⅳ族材料集成光源提供了一种可行方案。
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公开(公告)号：CN117914447A
公开(公告)日：2024-04-19
申请号：CN202410038673.X
申请日：2024-01-10
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H04L1/00
Abstract: 本发明涉及一种基于USB‑PD的物理层编解码收发系统，包括：发送部分、接收部分和PHY层控制寄存器模块，发送部分包括接收校验模块、序列生成模块、CC驱动模块、空闲检测模块和发送控制单元，接收部分包括CC判定及滤波模块、BMC解码及64bit前导码检测模块、序列检测模块和接收控制单元。该系统中采用校验速度可调的多字节信息流并行校验码生成方法对协议层数据进行CRC校验码计算，提升了系统的发送稳定性；采用空闲检测模块检测CC判定及滤波模块的输出信号以判定当前总线是否空闲，降低了消息碰撞风险；PHY层控制寄存器模块采用寄存器读写的控制模式，提升了该系统的通用性和可移植性。
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公开(公告)号：CN117748945A
公开(公告)日：2024-03-22
申请号：CN202311785320.8
申请日：2023-12-22
Applicant: 西安电子科技大学
Abstract: 本发明提供了一种低成本低温漂高电源抑制比振荡电路，包括：温度补偿电流产生电路、共源共栅镜像电路、充放电控制电路、放电判别电路、以及复位置位RS触发器，第一电流源。其通过温度补偿电流产生电路和共源共栅镜像电路，产生具有与电容充放电电压差具有相同的温度系数的补偿电流，降低温度漂移，其工艺及结构简单，能够在实现较高的温度系数和电源抑制比的同时，降低电路面积和成本，具有更广阔的应用前景。
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公开(公告)号：CN117543965A
公开(公告)日：2024-02-09
申请号：CN202311478718.7
申请日：2023-11-07
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H02M3/07
Abstract: 本发明公开了一种快速响应、低纹波电压的无片外电容电感稳压电路，包括交叉耦合电荷泵、误差放大器模块、数字逻辑控制模块和低压差线性稳压器，其中，交叉耦合电荷泵带有衬底动态偏置电路，用于将原始电源电压进行抬升，并消除了阈值压降效应及体效应的影响；数字逻辑控制模块用于通过电阻反馈环路产生不同的输出电压，实现电路中输出电压的可编程功能；误差放大器模块用于缓冲并调节数字逻辑控制模块中电阻反馈环路中的节点电压；低压差线性稳压器用于对数字逻辑控制模块的输出电压进行稳压处理，提升电路的瞬态响应速度以及稳定性。本发明改善了传统稳压电路瞬态响应时间长、纹波大的问题，以及采用片外大电容而引起的成本问题。
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公开(公告)号：CN117369585A
公开(公告)日：2024-01-09
申请号：CN202311590543.9
申请日：2023-11-24
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: G05F1/66
Abstract: 本发明提供了一种具有快速响应且可调节瞬态响应的LDO电路和芯片，包括：误差放大器EA0、功率管MP0、低增益级模块、补偿电容选择器、数字控制电阻分压阵列、瞬态增强电路；补偿电容选择器，用于根据第一外部控制信号为误差放大器EA0的输出端和功率管MP0的漏极提供相应容值的电容；数字控制电阻分压阵列，用于根据第二外部控制信号来控制LDO电路中的反馈电阻的阻值，从而产生相应的输出电压；瞬态增强电路，用于根据误差放大器EA0和数字控制电阻分压阵列之间的反馈电压来调整功率管MP0的栅极电压，该电路结构简单、响应快速、输出电压可编程，且能够灵活的调节瞬态响应。
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