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公开(公告)号：CN113014208B
公开(公告)日：2023-07-04
申请号：CN202110271708.0
申请日：2021-03-12
Applicant: 西安微电子技术研究所
IPC: H03F1/52
Abstract: 本发明公开了一种输入端口相位翻转保护电路，包括电阻R5、电流源Iss、三极管Q5、三极管Q6、三极管Q7、三极管Q8和三极管Q9；三极管Q5的集电极连接负电源，三极管Q5的基极连接三极管Q5的发射极，三极管Q5的发射极连接三极管Q6的发射极，三极管Q6的基极连接电阻R5的一端，电阻R5的另一端分别连接Q6的集电极、三极管Q7的基极和三极管Q7的发射极，电阻R5的一端连接电流源Iss的一端，电流源Iss的另一端连接正电源；三极管Q7的集电极分别连接三极管Q8的基极和三极管Q9的基极，三极管Q8的集电极和三极管Q9的集电极均连接正电源；三极管Q8的发射极连接运算放大器的正向输入对管的基极，三极管Q9的发射极连接运算放大器的反向输入对管的基极。
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公开(公告)号：CN115833766A
公开(公告)日：2023-03-21
申请号：CN202211658955.7
申请日：2022-12-22
Applicant: 西安微电子技术研究所
Abstract: 本发明涉及集成电路设计领域，具体为一种准互补乙类输出级电路结构，在三极管Q1的集电极C与输出功率上拉管内的三极管Q2的基极B之间加入三极管QP，其与三极管Q1共射结构可形成渥尔曼电路，其高频特性更好，可以弥补双极工艺中pnp管频率特性差对运算放大器工作频率带来的影响。三极管QP的基极B输入可自由偏置。该结构可兼容含JFET工艺双极工艺，三极管Q3可用JFET管代替，同时将二极管Q5或二极管Q6替换为一个二极管连接方式的JFET管，减小温度影响，得到与温度无关的旁路电流，三极管Q4的发射极与基极间加入反馈电阻可提高高频下开关速度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113056076A
公开(公告)日：2021-06-29
申请号：CN202110269532.5
申请日：2021-03-12
Applicant: 西安微电子技术研究所
IPC: H05F3/00 , H03K19/003
Abstract: 本发明公开了一种相位翻转和静电加固保护电路，包括电阻Rinx、电阻Riny、电阻Rin`、二极管D1、二极管D2、二极管D3、寄生电阻Rj1和寄生电阻Rj2；电阻Riny的一端与运算放大器的正向输入端口INP相连，电阻Riny的另一端分别连接电阻Rinx的一端和寄生电阻Rj1的一端，寄生电阻Rj1的另一端与二极管D1一端相连，二极管D1的另一端连接至负电源；电阻Rinx的另一端分别连接电阻Rin`的一端和寄生电阻Rj2的一端，寄生电阻Rj2的另一端连接二极管D2的一端，二极管D2的另一端连接至负电源；电阻Rin`的另一端分别连接二极管D3的一端和运算放大器中的输入对管基极相连，二极管D3的另一端连接正电源，同时具有静电加固功能和相位翻转保护功能。
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公开(公告)号：CN107861554B
公开(公告)日：2019-07-12
申请号：CN201711014546.2
申请日：2017-10-26
Applicant: 西安微电子技术研究所
Inventor： 肖筱
IPC: G05F1/56
Abstract: 本发明一种基于抗辐照双极工艺用于宽电源范围的带隙基准启动电路及方法，确保较低电源供电时，不影响带隙基准电路的正常工作，应用于较宽电源范围。电路包括连接的带隙基准电路和启动电路；启动电路由齐纳二极管D1、电阻R1、第一双极晶体管组和第二双极晶体管组组成。该启动方法，齐纳二极管D1的击穿电压BV与三极管Q1、Q4和Q16的BE结电压之差在电阻R2和R3上可以产生与电源电压无关的具有一定温度系数的电流，该电路通过R6、Q6管和Q7管产生与此电流成相反温度系数的补偿电流，两股电流流经Q13管后形成了最终的具有温度补偿特性的基准电流，通过Q14管的镜像作用从Q15管的集电极流出，提供给其他电路模块使用。
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公开(公告)号：CN116388715A
公开(公告)日：2023-07-04
申请号：CN202310378296.X
申请日：2023-04-10
Applicant: 西安微电子技术研究所
Abstract: 本发明属于集成电路设计领域，具体涉及一种仪表放大器超低增益误差修调电路及方法。电阻R3的一端连接仪表放大器的RG1端，另一端连接节点A；电阻R4的一端连接节点A，另一端连接节点B；电阻R5的一端连接节点B，另一端连接仪表放大器的RG2端；电阻R6的一端连接节点A，另一端连接仪表放大器的RG2端。在不影响电路功能的前提下，本发明一方面可通过最小精度2Ω/步的粗修调调整电阻R3、电阻R4和电阻R5的阻值；另一方面通过并联精修调网络实现对电阻R3、电阻R4和电阻R5的阻值0.01Ω/步的高精度调整，两者配合可将仪表放大器增益误差控制在0.1％以下。
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公开(公告)号：CN110048675A
公开(公告)日：2019-07-23
申请号：CN201910370715.9
申请日：2019-05-06
Applicant: 西安微电子技术研究所
IPC: H03F1/30
Abstract: 本发明公开了一种提高双极型轨对轨运放输入偏置电流性能的电路，在晶体管QB3和晶体管QB4的发射极加入两种不同类型的电阻，可减小在高电源电压下由于PNP型晶体管有限的厄力电压导致的电流源无法被准确镜像的缺陷，从而确保流入输入NPN管和PNP管的电流源大小一致。本发明可保证在不同电源电压下输入PNP对晶体管Q1和晶体管Q2的输入偏置电流几乎不随共模电压的变化而变化，即在不同电源下，输入偏置电流随共模电压的变化曲线可表现的更为平坦；本发明采用温漂系数相反的基区电阻RB1和多晶硅电阻RB2，可形成温度补偿，使输入PNP对管的基极电流随温度变化范围更大，与NPN管的基极电流随温度变化范围相当，二者相加后，在整个温度范围内输入偏置电流的温漂特性得到优化。
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公开(公告)号：CN206058021U
公开(公告)日：2017-03-29
申请号：CN201621093343.8
申请日：2016-09-29
Applicant: 西安微电子技术研究所
IPC: G05F1/56
Abstract: 本实用新型公开一种抗辐照二阶补偿高精度、低温漂带隙基准电压源电路，包括放大电路和数字修调网络R1；数字修调网络R1包括多个串联连接的多晶硅电阻，每个多晶硅电阻两端均通过一个反向二极管后并联有多晶硅电阻，通过在焊盘之间加入一定电压，使反向二极管反向击穿，使得串联的多晶硅电阻与其并联连接的多晶硅电阻导通，使数字修调网络R1的总值变小，基准VREF的值降低，实现对基准VREF的值的调整；用数字修调方式代替薄膜电阻的在线修调可以大大节约测试成本，用多晶硅电阻的负温度系数特性来抵消VBE的二次项可以避免Rb(+TC)设计误差带来的反复流片，降低了流片成本，降低了工程实现难度。
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