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发明公开
一种基于集电区双扩散的高厄利电压横向PNP晶体管及其制备方法有权

公开(公告)号：CN112993015A

公开(公告)日：2021-06-18

申请号：CN202110218622.1

申请日：2021-02-26

Applicant: 西安微电子技术研究所

Inventor： 孙有民 , 王清波 , 赵杰 , 卓青青 , 温富刚 , 王成熙

IPC: H01L29/08 , H01L29/06 , H01L29/735 , H01L21/331 , H01L21/265 , H01L21/266

Abstract: 本发明公开了一种基于集电区双扩散的高厄利电压横向PNP晶体管及其制备方法，该晶体管通过在P型集电区的侧壁和底部设置一层磷杂质基区，因磷杂质的扩散系数高于硼杂质的扩散系数，在后续集电区退火再扩散过程中N型杂质(磷杂质)和P型杂质(硼杂质)双扩散，提高横向PNP晶体管基区在集电区一侧的N型杂质浓度梯度，而在发射区一侧N型杂质浓度不受影响。

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