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公开(公告)号：CN109904227A
公开(公告)日：2019-06-18
申请号：CN201910194062.3
申请日：2019-03-14
Applicant: 西安交通大学
IPC: H01L29/778 , H01L29/47 , H01L21/335
Abstract: 本发明公开了一种低功函数导电栅极的金刚石基场效应晶体管及其制备方法，包括：金刚石衬底；金刚石衬底上设有一层单晶金刚石外延薄膜；单晶金刚石外延薄膜上设置有源极和漏极；源极和漏极之间的单晶金刚石外延薄膜上形成有导电沟道；导电沟道上设置有低功函数导电栅极层，低功函数导电栅极层上设置有栅电极；其中，低功函数导电栅极层与导电沟道接触，能够产生达到预设阈值的势垒高度，用于夹断沟道。本发明的金刚石基场效应晶体管，利用肖特基势垒产生的空间电荷区将氢终端金刚石表面产生的二维空穴气完全耗尽，夹断沟道实现常关型器件特性；本发明不会损伤导电沟道的性能，同时能够保证器件源漏之间的电流通过能力。
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公开(公告)号：CN109285894A
公开(公告)日：2019-01-29
申请号：CN201811075622.5
申请日：2018-09-14
Applicant: 西安交通大学
IPC: H01L29/812 , H01L21/04
Abstract: 本发明公开了一种金刚石基多通道势垒调控场效应晶体管及其制备方法，包括金刚石衬底；在金刚石衬底上设有一层单晶金刚石外延薄膜；单晶金刚石外延薄膜上设置有台面区域；单晶金刚石外延薄膜上设置有刻蚀区域；台面区域内设置有多通道沟道区域和刻蚀区域；多通道沟道包括二维空穴气导电层；刻蚀区域包含氧、氟或氮终端；源电极和漏电极处于台面区域的两侧；栅电极设置在源电极和漏电极之间的多通道沟道区域和刻蚀区域上，且栅电极同时设置在单晶金刚石外延薄膜上的刻蚀区域上。本发明的晶体管器件能够获得常关型特性，且不会损伤导电沟道的性能，同时多通道结构也能够保证器件源漏之间的电流通过能力。
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公开(公告)号：CN106981512A
公开(公告)日：2017-07-25
申请号：CN201710188701.6
申请日：2017-03-27
Applicant: 西安交通大学
IPC: H01L29/778 , H01L29/10 , H01L21/335
Abstract: 本发明公开了一种金刚石基常关型场效应晶体管，包括金刚石衬底，上设置有单晶金刚石外延薄膜，单晶金刚石外延薄膜的表面设置有源区以及包围有源区的器件隔离区，有源区为二维空穴气，有源区的上方依次间隔设置有源极、栅极和漏极，有源区的表面设置有导电沟道；导电沟道包括氢终端与氧终端、或氢终端与氟终端交替设置的沟道，通过表面处理技术调节所述导电沟道的氧化或氟化程度的强弱，进而调节对氧终端或氟终端临近的氢终端部分的耗尽程度，实现栅偏压零时器件的关断特性，以提供一种可以在高压、高频电子领域广泛应用的常关型器件。
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公开(公告)号：CN104992974A
公开(公告)日：2015-10-21
申请号：CN201510250214.9
申请日：2015-05-15
Applicant: 西安交通大学
IPC: H01L29/78 , H01L29/423 , H01L29/66 , H01L21/04
CPC classification number: H01L29/78 , H01L21/044 , H01L29/42364 , H01L29/66969
Abstract: 本发明公开了一种金刚石基双层绝缘栅介质场效应晶体管及其制备方法，该场效应晶体管包含金刚石衬底、单晶金刚石外延薄膜、导电沟道、源极、漏极、第一层绝缘栅介质层、第二层绝缘栅介质层和栅电极；金刚石衬底上设有一层单晶金刚石外延薄膜；单晶金刚石外延薄膜上设置有源极和漏极；源极和漏极之间的单晶金刚石外延薄膜上形成有导电沟道；第一层绝缘栅介质层覆盖源极与漏极之间的导电沟道，以及部分源极与漏极；第一层绝缘栅介质层上设置有第二层绝缘栅介质层；第二层绝缘栅介质层上设置有栅电极。本发明采用双层绝缘栅介质的结构有效提高了场效应晶体管的直流、微波特性。
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公开(公告)号：CN109768081B
公开(公告)日：2025-03-28
申请号：CN201910074808.7
申请日：2019-01-25
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 本发明公开了n型掺杂金刚石场板结构的场效应晶体管，包括金刚石衬底，金刚石衬底上铺设有由n型掺杂单晶金刚石外延薄膜形成的台面，台面上沉积有两个条形的介质层，沿各介质层和台面的外沿分别铺设有漏极和源极，在两个介质层之间铺设有栅极，介质层、漏极、源极和栅极形成场板结构，源极、漏极和栅极上分别沉积有源引出电极、漏引出电极和栅引出电极，源引出电极、漏引出电极和栅引出电极之间通过钝化层相互完全分隔；本发明在金刚石MESFET的源栅漏电极边缘引入场板结构，有效的降低了电场集中效应，增大了器件的耐压特性，有效减弱器件源、栅、漏边缘的电场集中现象，提高了器件击穿电压性能。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119382066A
公开(公告)日：2025-01-28
申请号：CN202411209045.X
申请日：2024-08-30
Applicant: 陕西电力交易中心有限公司 , 西安交通大学
IPC: H02J3/00 , G06Q10/0639 , G06Q40/04 , G06Q50/06
Abstract: 本发明提供了一种计及多类型交易的电力系统可靠性测算评估方法，包括：首先提出一种考虑新能源出力随机性的系统状态采样方法；接下来考虑交易主体送受特性，建立一种计及省间中长期及现货交易策略的电力系统随机状态评估模型；最后，基于指标收敛判据构建与电力系统随机状态评估模型的求解结果，提出电力系统随机状态评估模型与可靠性评估指标的映射关系，实现电力系统可靠性评估指标的量化计算。本发明为源网荷储资源跨省区大范围优化配置下多类型交易的评估提供思路，为送受端省份提供普适的交易可靠性测算方法，对电力市场化背景下源网荷储互动交易机制设计与实际情况衔接具有较强参考意义。
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公开(公告)号：CN118919576B
公开(公告)日：2025-01-24
申请号：CN202411409291.X
申请日：2024-10-10
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 本发明公开了一种横向硼掺杂金刚石二极管及其批量制备方法，属于半导体材料与器件技术领域；所述横向硼掺杂金刚石二极管包括硼掺杂单晶金刚石；所述硼掺杂单晶金刚石上开设有至少两个梯形通孔；所述梯形通孔的上底所在面为硼掺杂单晶金刚石正面，梯形通孔的下底所在面为硼掺杂单晶金刚石背面；所述硼掺杂单晶金刚石背面生长有硼掺杂多晶金刚石；所述硼掺杂单晶金刚石正面沉积有肖特基接触层和欧姆接触层；所述肖特基接触层位于任意相邻两个梯形通孔之间的硼掺杂单晶金刚石正面区域；所述欧姆接触层位于所述相邻两个梯形通孔外侧的硼掺杂单晶金刚石正面区域。本发明制备的二极管耐压性能及电流承载能力好，制备成本低，益于批量生产。
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公开(公告)号：CN119107105A
公开(公告)日：2024-12-10
申请号：CN202411115408.3
申请日：2024-08-14
Applicant: 陕西电力交易中心有限公司 , 西安交通大学
IPC: G06Q30/0201 , G06Q50/06 , G06N7/01
Abstract: 本发明公开了一种计及新能源波动风险的电力市场出清方法及相关装置，属于中长期电力市场技术领域，确定新能源参与中长期电力市场的损失函数；采用条件风险价值对新能源的风险进行量化，将条件风险价值加入中长期分时段交易的出清目标函数中，结合新能源参与中长期电力市场的损失函数确定概率场景下基于CVaR的新能源风险度量；收集并处理中长期电力市场主体集中交易的报价报量数据以及其他数据，在市场出清模型的目标函数中加入基于CvaR的新能源风险度量，给出计及新能源CVaR的中长期电力市场出清模型；求解计及新能源CVaR的中长期电力市场出清模型，得到市场出清结果。本发明综合考虑社会福利与风险最小化，提出更完善的中长期电力市场出清模型。
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公开(公告)号：CN118841454B
公开(公告)日：2024-12-10
申请号：CN202411333202.8
申请日：2024-09-24
Applicant: 西安交通大学
IPC: H01L29/872 , H01L29/06 , H01L29/16 , H01L29/45 , H01L29/47 , H01L21/329
Abstract: 本发明公开了一种高压大电流金刚石横向肖特基二极管及其制备方法，属于半导体材料与器件技术领域；通过在氢终端金刚石上开设梯形通孔，并在氢终端金刚石正面沉积肖特基接触层和欧姆接触层，在氢终端金刚石背面生长多晶金刚石，制备得到高压大电流金刚石横向肖特基二极管。本发明中的梯形通孔结构增加了横向肖特基二极管的耐压性能，使得横向肖特基二极管具有良好的电学特性。同时本发明在较薄的氢终端金刚石上制备肖特基接触层和欧姆接触层，降低了氢终端金刚石的使用成本，之后在背面生长多晶金刚石作为衬底，可以起到支撑作用，多晶金刚石的加入，可以在进一步提高器件性能的同时降低制造器件的成本。
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公开(公告)号：CN118943203A
公开(公告)日：2024-11-12
申请号：CN202411043488.6
申请日：2024-07-31
Applicant: 西安交通大学
IPC: H01L29/786 , H01L29/165 , H01L29/16 , H01L29/10 , H01L21/336
Abstract: 本发明属于半导体器件技术领域，公开了一种锗终端金刚石场效应晶体管及其制备方法；其中，所述锗终端金刚石场效应晶体管中，单晶金刚石衬底上形成有锗终端金刚石导电沟道；锗终端金刚石导电沟道上设置有源电极和漏电极，源电极、漏电极均与锗终端金刚石导电沟道形成欧姆接触；源电极、漏电极以及源电极和漏电极之间区域之外裸露的锗终端金刚石导电沟道区域设置为氧终端区域；源电极、漏电极以及源电极和漏电极之间的锗终端金刚石导电沟道上设置有介质层；介质层上设有栅电极。本发明采用锗终端金刚石导电沟道的技术手段，场效应晶体管具有稳定性好、界面态密度低、载流子迁移率高的优点。
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