公开(公告)号：CN109887836A

公开(公告)日：2019-06-14

申请号：CN201910075663.2

申请日：2019-01-25

Applicant: 西安交通大学

Inventor： 王宏兴 ,  王艳丰 ,  常晓慧 ,  王玮 ,  宋王振 ,  赵丹 ,  刘璋成 ,  王若铮 ,  侯洵

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/28 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明公开了n型掺杂单晶金刚石场板结构的场效应晶体管的制备方法，在金刚石衬底上生长出n型掺杂单晶金刚石外延薄膜，然后将n型掺杂单晶金刚石外延薄膜刻蚀形成台面，在台面上沉积两个条形的介质层，沿介质层和台面的外沿分别形成漏极和源极，在两个介质层之间形成栅极形成场板结构，使用钝化层覆盖所有结构，去除源极、漏极和栅极上的部分钝化层形成通孔，最后沿通孔在源极、漏极和栅极上沉积源引出电极、漏引出电极和栅引出电极；本发明在金刚石MESFET的源栅漏电极边缘引入场板结构，增大器件的耐压特性，有效减弱器件源、栅、漏边缘的电场集中现象，提高器件击穿电压性能。

公开(公告)号：CN109768081B

公开(公告)日：2025-03-28

申请号：CN201910074808.7

申请日：2019-01-25

Applicant: 西安交通大学

Inventor： 王宏兴 ,  王艳丰 ,  常晓慧 ,  王玮 ,  宋王振 ,  赵丹 ,  刘璋成 ,  王若铮 ,  侯洵

IPC: H10D64/00 ,  H10D30/60

Abstract: 本发明公开了n型掺杂金刚石场板结构的场效应晶体管，包括金刚石衬底，金刚石衬底上铺设有由n型掺杂单晶金刚石外延薄膜形成的台面，台面上沉积有两个条形的介质层，沿各介质层和台面的外沿分别铺设有漏极和源极，在两个介质层之间铺设有栅极，介质层、漏极、源极和栅极形成场板结构，源极、漏极和栅极上分别沉积有源引出电极、漏引出电极和栅引出电极，源引出电极、漏引出电极和栅引出电极之间通过钝化层相互完全分隔；本发明在金刚石MESFET的源栅漏电极边缘引入场板结构，有效的降低了电场集中效应，增大了器件的耐压特性，有效减弱器件源、栅、漏边缘的电场集中现象，提高了器件击穿电压性能。

公开(公告)号：CN109887836B

公开(公告)日：2021-03-02

申请号：CN201910075663.2

申请日：2019-01-25

Applicant: 西安交通大学

Inventor： 王宏兴 ,  王艳丰 ,  常晓慧 ,  王玮 ,  宋王振 ,  赵丹 ,  刘璋成 ,  王若铮 ,  侯洵

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/28 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明公开了n型掺杂单晶金刚石场板结构的场效应晶体管的制备方法，在金刚石衬底上生长出n型掺杂单晶金刚石外延薄膜，然后将n型掺杂单晶金刚石外延薄膜刻蚀形成台面，在台面上沉积两个条形的介质层，沿介质层和台面的外沿分别形成漏极和源极，在两个介质层之间形成栅极形成场板结构，使用钝化层覆盖所有结构，去除源极、漏极和栅极上的部分钝化层形成通孔，最后沿通孔在源极、漏极和栅极上沉积源引出电极、漏引出电极和栅引出电极；本发明在金刚石MESFET的源栅漏电极边缘引入场板结构，增大器件的耐压特性，有效减弱器件源、栅、漏边缘的电场集中现象，提高器件击穿电压性能。

公开(公告)号：CN109768081A

公开(公告)日：2019-05-17

申请号：CN201910074808.7

申请日：2019-01-25

Applicant: 西安交通大学

Inventor： 王宏兴 ,  王艳丰 ,  常晓慧 ,  王玮 ,  宋王振 ,  赵丹 ,  刘璋成 ,  王若铮 ,  侯洵

IPC: H01L29/40 ,  H01L29/78

Abstract: 本发明公开了n型掺杂金刚石场板结构的场效应晶体管，包括金刚石衬底，金刚石衬底上铺设有由n型掺杂单晶金刚石外延薄膜形成的台面，台面上沉积有两个条形的介质层，沿各介质层和台面的外沿分别铺设有漏极和源极，在两个介质层之间铺设有栅极，介质层、漏极、源极和栅极形成场板结构，源极、漏极和栅极上分别沉积有源引出电极、漏引出电极和栅引出电极，源引出电极、漏引出电极和栅引出电极之间通过钝化层相互完全分隔；本发明在金刚石MESFET的源栅漏电极边缘引入场板结构，有效的降低了电场集中效应，增大了器件的耐压特性，有效减弱器件源、栅、漏边缘的电场集中现象，提高了器件击穿电压性能。

公开(公告)号：CN209496877U

公开(公告)日：2019-10-15

申请号：CN201920132535.2

申请日：2019-01-25

Applicant: 西安交通大学

Inventor： 王宏兴 ,  王艳丰 ,  常晓慧 ,  王玮 ,  宋王振 ,  赵丹 ,  刘璋成 ,  王若铮 ,  侯洵

IPC: H01L29/40 ,  H01L29/78

Abstract: 本实用新型公开了n型掺杂金刚石场板结构的场效应晶体管，包括金刚石衬底，金刚石衬底上铺设有由n型掺杂单晶金刚石外延薄膜形成的台面，台面上沉积有两个条形的介质层，沿各介质层和台面的外沿分别铺设有漏极和源极，在两个介质层之间铺设有栅极，介质层、漏极、源极和栅极形成场板结构，源极、漏极和栅极上分别沉积有源引出电极、漏引出电极和栅引出电极，源引出电极、漏引出电极和栅引出电极之间通过钝化层相互完全分隔；本实用新型在金刚石MESFET的源栅漏电极边缘引入场板结构，有效的降低了电场集中效应，增大了器件的耐压特性，有效减弱器件源、栅、漏边缘的电场集中现象，提高了器件击穿电压性能。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利