一种抗烧蚀ZrC/SiC多层交替涂层及制备方法

    公开(公告)号:CN113106416A

    公开(公告)日:2021-07-13

    申请号:CN202110298863.1

    申请日:2021-03-20

    Abstract: 本发明涉及一种抗烧蚀ZrC/SiC多层交替涂层及制备方法,通过SiC和ZrC的多层交替可以有效调控涂层与基体、涂层与涂层之间的热膨胀差异。同时,多层交替涂层的可设计性强,可以通过调整SiC和ZrC层的厚度和层数来更好地实现涂层与基体的热应力匹配。另一方面,多层复合后会存在大量的层间界面,可以使得裂纹在扩展过程中发生偏转或终止,从而减少贯穿性裂纹的产生。综上,本发明提出的涂层可有效提高抗烧蚀性能,更好地保护基体。

    用于CVD设备的双轴正交旋转系统及方法

    公开(公告)号:CN109763116B

    公开(公告)日:2020-11-06

    申请号:CN201910090661.0

    申请日:2019-01-30

    Abstract: 本发明一种用于CVD设备的双轴正交旋转系统,包括CVD沉积炉炉体、石墨保温管、加热体、旋转轴、套筒、构件夹具和旋转动力装置;三个所述旋转动力装置分别通过三个所述旋转轴与设置于所述CVD沉积炉炉体内的所述构件夹具连接;所述旋转动力装置用于给整个系统提供动力,并控制所述旋转轴的旋转速度和伸缩位置,进一步控制所述构件夹具绕X轴旋转或绕Z轴旋转;在不同的沉积阶段采用不同的旋转方向,可以对复杂形状构件的沉积不足之处进行更大程度的补偿。采用不同的旋转速度,可以改善构件周围气体相对于构件的流速分布状态,使相对流动速度分布最有利于获得均匀沉积。

    一种科里奥利质量流量计幅度控制方法

    公开(公告)号:CN107102586B

    公开(公告)日:2019-02-26

    申请号:CN201710371267.5

    申请日:2017-05-24

    Abstract: 本发明提供了一种科里奥利质量流量计幅度控制方法,涉及流体测量领域,通过对流量管启振信号进行采样,并与预先设定值相减得到差值,然后再通过线性组合构成控制量对流量管进行幅度控制,采用基于幅值裕度的PID参数整定方法,计算出一组最优的控制参数值对闭环系统实现最优参数整定,本发明通过优化流量管振幅响应灵敏度区间和提高离散化系统的采样周期确定幅度调节目标函数,克服了由于启振幅度输出短时增大引起的过饱和振幅失控现象,提高了幅度响应的速度,使用数字信号处理的方式优化了幅度跟踪性能,保证了高精度频率、相位差输出,使用的硬件资源较少,不需要进行复杂的内核电路的设计,降低了企业使用成本。

    CMOS比较器的前置放大器电路

    公开(公告)号:CN103441736B

    公开(公告)日:2016-02-10

    申请号:CN201310379394.1

    申请日:2013-08-27

    Abstract: 本发明公开了一种CMOS比较器的前置放大器电路,用于解决现有前置放大器电路动作速度慢的技术问题。技术方案是NMOS晶体管MN1和NMOS晶体管MN2作为差分输入对管;PMOS晶体管MP1和PMOS晶体管MP2作为负载,开关S1和S2分别连接在PMOS晶体管MP1和PMOS晶体管MP2的栅-漏之间;存储电容C1和存储电容C2的一端分别连接到PMOS晶体管MP1和PMOS晶体管MP2的栅极,存储电容C1和存储电容C2的另一端连接到电源VDD上。由于存储电容C1和存储电容C2不出现在信号通路上,不影响前置放大器的输出极点和带宽,既消除了失调电压又不影响放大器动作速度,因而具有高速高精度的特点。

    一种具有程控接口的自适应多挡位无人机机载电流测量器

    公开(公告)号:CN104865436A

    公开(公告)日:2015-08-26

    申请号:CN201510197173.1

    申请日:2015-04-23

    Abstract: 本发明涉及一种具有程控接口的自适应多挡位无人机机载电流测量器,包括指令接收模块、指令译码信号采集模块、电源开关驱动模块、电源开关模块、I-V信号转换模块和数据发送模块。采用了以单片机为核心的最小应用系统,简化了电路缩小了体积,改进了控制器的电气接口,实现了通过手控或者程控方式对电流多挡位测量,也可通过手控或者程控方式对所测量电路的进行开/关控制。本发明克服了现有电流测量设备人工操控、外型笨重及电气接口不满足无人机机载实用的不足,取得了无需人工操作由遥控指令对所测量电路的远程控制与检测效果。

    可配置的MDDI主端接口电路

    公开(公告)号:CN103729327A

    公开(公告)日:2014-04-16

    申请号:CN201410013994.0

    申请日:2014-01-13

    Inventor: 魏廷存 李勇 李博

    Abstract: 本发明公开了一种可配置的MDDI主端接口电路,用于解决现有MDDI主端接口电路最大数据传输速度低的技术问题。技术方案是包括链接控制模块,还包括控制寄存器堆、先进先出存储器、唤醒检测电路、串行发送模块、并行接收模块和CRC校验电路,实现前向链接和反向链接数据传输。本发明通过MCU配置控制寄存器堆,可以根据显示需要配置不同的接口模式,支持MDDI的Type I、Type II、Type III和Type IV四种接口模式;可作为IP核挂载在微处理器总线结构上使用,电路通用性强;最大数据传输速度由背景技术的160Mbps提高到200Mbps,提高了25%。

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