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公开(公告)号：CN113973185B
公开(公告)日：2025-05-13
申请号：CN202111256292.1
申请日：2021-10-27
Applicant: 西北工业大学太仓长三角研究院 , 西北工业大学
IPC: H04N25/78
Abstract: 本发明涉及一种地址快速读出电路及读出方法，包括多组通道，每组通道电路连接结构相同；每组通道内均集成控制锁存器与上拉下拉单元，其中的上拉下拉单元配置方式不同，每组通道的通道击中信号经运算后作为本组片选信号传输至下级编码电路，下级编码电路以相同方式逐级传输片选信号；每组通道设置三态缓冲器作为控制开关，通过在通道内集成控制锁存器与上拉下拉单元数值直接读出的方式，显著减少地址传输延时，加快了地址读出速度，并且将读出电路集成在通道内部，作为标准模块或IP处理，有利于模块电路复用，易于芯片阵列的扩展；设置通道内上拉下拉单元的方式快速读出得到低位地址，同时结合分级地址编码方案获得高位地址，保证了功耗要求。
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公开(公告)号：CN113835463B
公开(公告)日：2022-09-06
申请号：CN202111161887.9
申请日：2021-09-30
Applicant: 西北工业大学太仓长三角研究院 , 西北工业大学
IPC: G05F1/56
Abstract: 本发明公开了一种小面积快速瞬态响应全片上集成LDO电路，输出功率管由大摆幅高增益放大器驱动，减小了输出功率管的尺寸和芯片面积，增大了LDO的环路增益，缩短了输出电压的恢复时间。此外，采用负载电流分区频率补偿电路进行频率补偿，不以牺牲环路增益带宽为代价，保证LDO在所有负载情况下保持稳定，也增强了高频电源噪声抑制能力。补偿电路不消耗静态电流并且面积较小，降低了LDO的静态功耗，减小了芯片面积。
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公开(公告)号：CN113973185A
公开(公告)日：2022-01-25
申请号：CN202111256292.1
申请日：2021-10-27
Applicant: 西北工业大学太仓长三角研究院 , 西北工业大学
IPC: H04N5/378
Abstract: 本发明涉及一种地址快速读出电路及读出方法，包括多组通道，每组通道电路连接结构相同；每组通道内均集成控制锁存器与上拉下拉单元，其中的上拉下拉单元配置方式不同，每组通道的通道击中信号经运算后作为本组片选信号传输至下级编码电路，下级编码电路以相同方式逐级传输片选信号；每组通道设置三态缓冲器作为控制开关，通过在通道内集成控制锁存器与上拉下拉单元数值直接读出的方式，显著减少地址传输延时，加快了地址读出速度，并且将读出电路集成在通道内部，作为标准模块或IP处理，有利于模块电路复用，易于芯片阵列的扩展；设置通道内上拉下拉单元的方式快速读出得到低位地址，同时结合分级地址编码方案获得高位地址，保证了功耗要求。
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公开(公告)号：CN113835463A
公开(公告)日：2021-12-24
申请号：CN202111161887.9
申请日：2021-09-30
Applicant: 西北工业大学太仓长三角研究院 , 西北工业大学
IPC: G05F1/56
Abstract: 本发明公开了一种小面积快速瞬态响应全片上集成LDO电路，输出功率管由大摆幅高增益放大器驱动，减小了输出功率管的尺寸和芯片面积，增大了LDO的环路增益，缩短了输出电压的恢复时间。此外，采用负载电流分区频率补偿电路进行频率补偿，不以牺牲环路增益带宽为代价，保证LDO在所有负载情况下保持稳定，也增强了高频电源噪声抑制能力。补偿电路不消耗静态电流并且面积较小，降低了LDO的静态功耗，减小了芯片面积。
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公开(公告)号：CN116736362A
公开(公告)日：2023-09-12
申请号：CN202310703568.9
申请日：2023-06-14
Applicant: 西北工业大学
IPC: G01T1/24
Abstract: 本发明公开了一种前端读出电路中的达峰时间检测电路，其涉及核电子学以及粒子辐射探测前端读出电路系统技术领域。该电路包括：峰值采样保持电路和比较器，将峰值采样保持电路的输出电压Ve和达峰时间检测电路的输入电压Vi采用比较器进行比较，当输入电压Vi到达峰值并开始下降时，比较器的输入电压Ve大于达峰时间检测电路的输入电压Vi，比较器的输出电压发生翻转，输出高电平触发信号OUT，并通过检测高电平触发信号OUT，得到输入电压的达峰时间。该电路结构简单，且减小了电路面积和功耗；从根本上消除了由VTH带来的测量误差；以及消除了输入电压幅值引起的达峰时间检测误差，降低了时间游走的影响。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105119603B
公开(公告)日：2018-04-06
申请号：CN201510560510.9
申请日：2015-09-06
Applicant: 西北工业大学
IPC: H03M1/38
Abstract: 本发明公开了一种流水线逐次逼近模数转换器，用于解决现有流水线逐次逼近模数转换器功耗大的技术问题。技术方案是第一级电路采用一个6‑bit半增益MDAC电路，第二级电路采用一个8‑bit全参考电压分段电容SAR ADC。所述的8‑bit全参考电压分段电容SAR ADC的整个电容网络分为高4位二进制加权电容网络和低4位二进制加权电容网络。由于8‑bit全参考电压分段电容SAR ADC的采样电容大幅度减少，使得6‑bit半增益MDAC电路中的余量放大器负载电容大幅度减少。对于同样的误差要求，可以减少6‑bit半增益MDAC电路中的余量放大器所消耗的电流，从而降低了流水线逐次逼近模数转换器的功耗。
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公开(公告)号：CN107748588A
公开(公告)日：2018-03-02
申请号：CN201711021400.0
申请日：2017-10-27
Applicant: 西北工业大学
IPC: G05F1/567
CPC classification number: G05F1/567
Abstract: 本发明公开了一种对带隙基准电路进行温度补偿的方法，用于解决现有温度补偿方法实用性差的技术问题。技术方案是采用两种或两种以上类型的电阻，以串/并联的形式实现(1)式中的R1和R2。令(3)式为零找到R1和R2温度系数之间的线性约束关系，进一步在R1和R2各自可实现的温度系数范围内通过仿真找到令(3)最小的R1和R2的温度系数TCR1和TCR2。最后通过调节各种类型的电阻在R1、R2阻值中所占的比例，使R1和R2具温度系数TCR1和TCR2。本发明可以实现通过调节电阻温度系数进行带隙基准电路温度补偿的目的，实用性好。
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公开(公告)号：CN105068882A
公开(公告)日：2015-11-18
申请号：CN201510400267.4
申请日：2015-07-09
Applicant: 西北工业大学
IPC: G06F11/10
Abstract: 本发明公开了一种基于二维检错纠错编码的SRAM抗辐射加固方法，用于解决现有SRAM抗辐射方法SRAM抗单粒子翻转能力差的技术问题。技术方案是首先对写入数据进行横向正反码(16,8)编码，对同列数据进行纵向海明码(12,8)编码，即基于正反码和海明码交叉校验的二维检错纠错编码；然后当发生单粒子效应导致多位翻转问题时，利用二维检错纠错算法，依次对读出数据进行解码运算。本发明充分利用横向正反码、纵向海明码的交叉校验能力，有效地提高了SRAM检错纠错能力，使SRAM能纠正2位以上错码，即处理单粒子效应导致的多位翻转问题，从而进一步提高了SRAM抗单粒子翻转能力。
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