公开(公告)号：CN117995801A

公开(公告)日：2024-05-07

申请号：CN202311535358.X

申请日：2017-09-25

Applicant: 英特尔公司

Inventor： A.潘乔利 ,  全箕玟

IPC: H01L23/488 ,  H01L23/535 ,  H01L25/18 ,  H01L25/065 ,  H10B80/00

Abstract: 提供了一种设备，所述设备包括：具有第一表面和第二表面的第一管芯，第一管芯包括：在第一管芯的第一表面上形成的第一层，以及在第一管芯的第二表面上形成的第二层；耦合到第一层的第二管芯；以及用来将设备耦合到外部组件的多个结构，其中多个结构耦合到第二层。

公开(公告)号：CN117136435A

公开(公告)日：2023-11-28

申请号：CN202280024942.6

申请日：2022-03-24

Applicant: 英特尔公司

Inventor： 邓汉威 ,  A·A·埃尔舍比尼 ,  全箕玟 ,  J·M·斯旺 ,  S·利夫 ,  S·N·蒂亚加拉吉 ,  G·S·帕斯达斯特 ,  A·阿列克索夫 ,  F·尔德

IPC: H01L25/065 ,  H01L23/538 ,  H01L21/768

Abstract: 一种管芯组件，包括：第一部件层，具有绝缘体中的导电穿透连接；第二部件层，包括管芯；以及有源器件层(ADL)，在所述第一部件层与所述第二部件层之间的界面处。所述ADL包括：有源元件，电耦合到所述第一部件层和所述第二部件层。所述管芯组件进一步包括：接合层，将所述ADL电耦合到所述第二部件层。在一些实施例中，所述管芯组件进一步包括：另一ADL，在所述第一部件层与同所述界面相对的封装支撑物之间的另一界面处。所述第一部件层可以包括具有穿透衬底通孔(TSV)的另一管芯。所述管芯和所述另一管芯可以是使用不同工艺节点来制造的。

公开(公告)号：CN114203685A

公开(公告)日：2022-03-18

申请号：CN202110948263.5

申请日：2021-08-18

Applicant: 英特尔公司

Inventor： A·A·厄尔舍比尼 ,  钱治国 ,  G·S·帕斯达斯特 ,  M·E·卡比尔 ,  邓汉威 ,  全箕玟 ,  K·P·奥布莱恩 ,  J·M·斯旺 ,  S·M·利夫 ,  A·阿列克索夫 ,  F·尔德

IPC: H01L25/07 ,  H01L23/64 ,  H01L23/482

Abstract: 本公开涉及具有直接键合区中的电感器的微电子组装件。本文公开了包括通过直接键合而耦合在一起的微电子组件的微电子组装件以及相关的结构和技术。例如，在一些实施例中，微电子组装件可以包括第一微电子组件和通过直接键合区与第一微电子组件耦合的第二微电子组件，其中，所述直接键合区包括电感器的至少一部分。