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公开(公告)号:CN113311024A
公开(公告)日:2021-08-27
申请号:CN202110730961.8
申请日:2021-06-29
Applicant: 苏州大学
Abstract: 本发明公开了一种自驱动湿度传感器及其制备方法,该自驱动湿度传感器包括半导体基底,半导体基底的正面刻蚀有纳米结构,半导体基底的正面围绕纳米结构制备有介电层,介电层上制备有悬浮电极,悬浮电极与纳米结构之间设有间隙,悬浮电极上位于所述纳米结构上方刻蚀有孔道结构,半导体基底的背面制备有底电极,底电极和悬浮电极上均连接有导线。本发明的湿度传感器无需额外电源,可实现湿度相关电信号的直接输出。本发明湿度传感器的自驱动特性使得该传感器对湿度的响应速度很快,达到毫秒级别。本发明的湿度传感器结构简单,有利于降低生产成本,且与传统半导体工艺相兼容,有利于产品集成。
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公开(公告)号:CN104779352B
公开(公告)日:2017-05-10
申请号:CN201510199426.9
申请日:2015-04-24
Applicant: 苏州大学
CPC classification number: Y02E10/549 , Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了基于石墨烯与纳米结构钙钛矿材料的光探测器及制备方法,包括一覆盖有二氧化硅的硅衬底,硅衬底上设有石墨烯导电层,石墨烯导电层的中部分布有纳米结构有机铅卤化物钙钛矿材料层,并形成异质结结构,石墨烯导电层的左右两端分别设有一电极层;硅衬底的最上方设有一钝化层,钝化层将石墨烯导电层、纳米结构有机铅卤化物钙钛矿材料层和两个电极层全部覆盖;位于两个电极层上方的钝化层上经光刻和刻蚀分别形成电极的一个接触孔,两个接触孔上分别淀积有金属引出电极。本发明构建光探测器件的技术与当前的硅电子工艺平台相比具有良好的兼容性,并且制备工艺简单,器件成功率高,具有实现快速、宽带响应、宽光谱光探测的极大潜力。
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公开(公告)号:CN118392954A
公开(公告)日:2024-07-26
申请号:CN202410376299.4
申请日:2024-03-29
Applicant: 苏州大学
IPC: G01N27/26 , B82Y15/00 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , G01N27/414
Abstract: 本发明涉及一种无声传译传感器件制备方法及无声传译传感器,其中,方法包括(1)以硅片作为材料基底;(2)对所述硅片进行预处理;(3)对预处理后的硅片进行硅线刻蚀,在所述硅片上刻蚀出硅纳米阵列;(4)对硅线刻蚀后的具有硅纳米阵列的硅片再切割成小片;(5)在具有硅纳米阵列的小片上、下表面上构造正、负极电极,并将导线嵌入所述正、负电极中,完成无声传译传感器件制备。本发明构建的无声传译传感器灵敏度较高,能在极短时间内完成数据的采集,基于无声传译传感器构建的无声传译传系统采用神经网络能够对采集的数据进行较好的识别。
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公开(公告)号:CN116381308A
公开(公告)日:2023-07-04
申请号:CN202310264344.2
申请日:2023-03-19
Applicant: 苏州大学
Abstract: 本发明涉及一种实时监测水伏器件电压分布的装置及方法,包括容纳槽,其用于盛放液体,所述容纳槽设有上盖,所述容纳槽内还设有固定部,待测水伏器件通过所述固定部设置在所述容纳槽内;图像采集单元,其用于采集待测水伏器件的实时影像;检测单元,其包括万用表及检测探头,所述万用表和检测探头相连,测试时所述检测探头和待测水伏器件相连;控制单元,其与图像采集单元和检测单元相连,通过比对V‑T曲线和实时影像图,获得待测水伏器件的实时电压分布情况。本发明能够对待测水伏器件的实时电压进行精准监测,并能够采集待测水伏器件毛细区域的实时爬升影像,从而能够探究其电压和毛细区域的关系,获得待测水伏器件的较为准确的电压分布情况。
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公开(公告)号:CN115765522A
公开(公告)日:2023-03-07
申请号:CN202211346489.9
申请日:2022-10-31
Applicant: 苏州大学 , 苏州思萃新能源光电技术研究所有限公司
Abstract: 本发明公开了一种高效硅基水伏器件及其制备方法,所述硅基水伏器件从上至下由正极电极、空穴选择性传输层、硅纳米结构、硅基底以及负极电极组成,所述硅纳米结构的顶端部分嵌入所述空穴选择性传输层中。本发明在硅纳米结构/正极界面引入空穴选择性传输层,利用高功函数空穴选择传输层在界面形成的内电场阻止电子向正极的迁移,实现空穴的选择性传输,降低界面复合损失以提高电荷的分离和收集效率;同时,引入的空穴选择性传输层,实现了硅纳米结构与正极由点接触向面接触转变,降低了正极界面的接触电阻,进一步促进空穴在界面处的高效传输,从而增大了电极对空穴的收集效率,在上述协同作用下,有效提高硅基水伏器件的电学性能。
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公开(公告)号:CN118392954B
公开(公告)日:2024-10-22
申请号:CN202410376299.4
申请日:2024-03-29
Applicant: 苏州大学
IPC: G01N27/26 , B82Y15/00 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , G01N27/414
Abstract: 本发明涉及一种无声传译传感器件制备方法及无声传译传感器,其中,方法包括(1)以硅片作为材料基底;(2)对所述硅片进行预处理;(3)对预处理后的硅片进行硅线刻蚀,在所述硅片上刻蚀出硅纳米阵列;(4)对硅线刻蚀后的具有硅纳米阵列的硅片再切割成小片;(5)在具有硅纳米阵列的小片上、下表面上构造正、负极电极,并将导线嵌入所述正、负电极中,完成无声传译传感器件制备。本发明构建的无声传译传感器灵敏度较高,能在极短时间内完成数据的采集,基于无声传译传感器构建的无声传译传系统采用神经网络能够对采集的数据进行较好的识别。
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公开(公告)号:CN117923412A
公开(公告)日:2024-04-26
申请号:CN202311834847.5
申请日:2023-12-28
Applicant: 苏州大学
Abstract: 本发明提供了一种柔性硅微纳结构水伏器件及其制备方法,其包括:正极电极及负极电极;柔性硅组件层,所述柔性硅组件层设置于所述正极电极与所述负极电极之间,其包括相互连接的基底及纳米阵列层,其中,所述基底连接所述负极电极,所述纳米阵列层连接所述正极电极。本发明突破了传统高性能半导体水伏器件的机械刚性与脆性,大幅拓展水伏器件应用领域,而且本申请采用高导电硅与微纳力学结构解决柔性条件下的导电的难题,此外,本申请兼具材料易得、成本低、性能好且适用范围广泛的优势,此外,该器件在弯折状态下也能够保持稳定的信号输出,由此也为构造新型柔性可穿戴含水生理信号传感器奠定了基础。
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公开(公告)号:CN117001007A
公开(公告)日:2023-11-07
申请号:CN202310828689.6
申请日:2023-07-07
Applicant: 苏州大学
IPC: B22F9/24 , B22F1/0545 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , B82Y20/00
Abstract: 本发明属于纳米材料制备技术领域,具体涉及一种规模化制备金属纳米材料的装置及应用。本发明包括如下步骤:a)级联光、连续流体系的搭建,分为依次连接的原料区、级联光反应区和反应物收集区,所述级联光反应区是由不同波长的光源与流动反应器组成的光诱导体系串联形成;b)光诱导纳米材料但不限于金属纳米颗粒的生长。本发明基于连续流装置,提高了光的利用率,采用级联光实现纳米材料如金属纳米材料的可控生长,获得具有特定形貌、尺寸,以及可调光学性质的金属纳米材料。整个制备过程简单高效,条件温和,通过实验条件优化和反应试剂浓度的提高,即可实现光驱动下金属纳米材料的规模化制备。
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公开(公告)号:CN113311024B
公开(公告)日:2022-04-05
申请号:CN202110730961.8
申请日:2021-06-29
Applicant: 苏州大学
Abstract: 本发明公开了一种自驱动湿度传感器及其制备方法,该自驱动湿度传感器包括半导体基底,半导体基底的正面刻蚀有纳米结构,半导体基底的正面围绕纳米结构制备有介电层,介电层上制备有悬浮电极,悬浮电极与纳米结构之间设有间隙,悬浮电极上位于所述纳米结构上方刻蚀有孔道结构,半导体基底的背面制备有底电极,底电极和悬浮电极上均连接有导线。本发明的湿度传感器无需额外电源,可实现湿度相关电信号的直接输出。本发明湿度传感器的自驱动特性使得该传感器对湿度的响应速度很快,达到毫秒级别。本发明的湿度传感器结构简单,有利于降低生产成本,且与传统半导体工艺相兼容,有利于产品集成。
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公开(公告)号:CN112787548A
公开(公告)日:2021-05-11
申请号:CN202110014393.1
申请日:2021-01-06
Applicant: 苏州大学
Abstract: 本发明公开了一种水伏电池单元的制备方法及水伏/光伏发电系统,包括以下步骤:对硅片的表面进行处理,去除硅片表面的有机物和氧化物,获得处理后的硅片,其中,硅片的背面贴附保护层;将处理后的硅片置于HF和AgNO3的混合溶液中并搅拌,使得硅片的正面形成银纳米颗粒层,获得表面具有银纳米颗粒层的硅片;通过溶液刻蚀法对S2处理后的硅片进行刻蚀,使得硅片表面形成硅纳米线,所述硅片表面形成硅纳米线/银纳米颗粒复合层;溶解硅片表面的银纳米颗粒,获得表面仅有硅纳米线的硅片;在所述硅片的正面制备正电极,去除硅片表面的保护层并在硅片的背面制备负电极,获得水伏电池。其输出功率高,稳定性好,性能优异,适用范围广。
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