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公开(公告)号：CN102265339B
公开(公告)日：2014-11-19
申请号：CN200980151924.9
申请日：2009-12-18
Applicant: 花王株式会社
IPC: G11B5/84
CPC classification number: G11B5/8404 , C09G1/02 , C23F3/00 , H01L21/3212
Abstract: 本发明提供一种可以实现研磨后的划痕、纳米突起缺陷和基板表面波纹的减少的磁盘基板用研磨液组合物。本发明的磁盘基板用研磨液组合物含有共聚物或其盐、研磨材料和水，所述共聚物具有由在20℃的100g水中的溶解度为2g以下的单体衍生的结构单元和具有磺酸基的结构单元，并且主链是饱和烃链。
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公开(公告)号：CN101063031B
公开(公告)日：2012-06-13
申请号：CN200710101113.0
申请日：2007-04-26
Applicant: 花王株式会社
IPC: C09K3/14 , B24B29/00 , H01L21/304
CPC classification number: C09G1/02 , C09K3/1409 , C09K3/1463 , G11B5/84
Abstract: 本发明的磁盘基板用研磨液组合物含有水、二氧化硅粒子和选自酸、酸的盐和氧化剂中的至少一种，其中，对于上述二氧化硅粒子，用将透射型电子显微镜观察测定得到的所述二氧化硅粒子的最大径作为直径的圆面积除以所述二氧化硅粒子的投影面积再乘以100所得到的值为100—130的范围。
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公开(公告)号：CN102209765A
公开(公告)日：2011-10-05
申请号：CN200980144360.6
申请日：2009-11-04
Applicant: 花王株式会社
CPC classification number: C09G1/02 , B24B29/00 , B24B37/044 , B24B37/048 , C01B33/14 , C03C19/00 , C09K3/1409 , C09K3/1463 , G11B5/8404
Abstract: 本发明提供一种能够在不损害生产率的情况下减少研磨后的基板的划痕和表面粗糙度的磁盘基板用研磨液组合物、以及使用了该研磨液组合物的磁盘基板的制造方法。本发明涉及一种磁盘基板用研磨液组合物，其含有ΔCV值为0～10％的胶体二氧化硅和水，所述ΔCV值是CV30与CV90之差的值(ΔCV＝CV30-CV90)，所述CV30是将从采用动态光散射法在30°的检测角测得的散射强度分布得到的标准偏差除以根据所述散射强度分布得到的平均粒径再乘以100后得到的值，所述CV90是将从在90°的检测角测得的散射强度分布得到的标准偏差除以根据所述散射强度分布得到的平均粒径再乘以100后得到的值。
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公开(公告)号：CN112753095B
公开(公告)日：2025-01-10
申请号：CN201980062898.6
申请日：2019-09-18
Applicant: 花王株式会社
IPC: H01L21/304 , B24B37/00 , C09K3/14
Abstract: 本发明在一个方式中提供一种能够提高氧化硅膜的研磨速度的研磨液组合物。本发明在一个方式中涉及一种氧化硅膜用研磨液组合物，其含有氧化铈粒子(成分A)、添加剂(成分B)、及水系介质，成分B是当对成分B的10ppm水溶液利用循环伏安法(Ag/AgCl电极基准)进行测定时，还原电位为0.45V以上的化合物。
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公开(公告)号：CN112753095A
公开(公告)日：2021-05-04
申请号：CN201980062898.6
申请日：2019-09-18
Applicant: 花王株式会社
IPC: H01L21/304 , B24B37/00 , C09K3/14
Abstract: 本发明在一个方式中提供一种能够提高氧化硅膜的研磨速度的研磨液组合物。本发明在一个方式中涉及一种氧化硅膜用研磨液组合物，其含有氧化铈粒子(成分A)、添加剂(成分B)、及水系介质，成分B是当对成分B的10ppm水溶液利用循环伏安法(Ag/AgCl电极基准)进行测定时，还原电位为0.45V以上的化合物。
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公开(公告)号：CN103180902B
公开(公告)日：2016-02-03
申请号：CN201180051246.6
申请日：2011-10-26
Applicant: 花王株式会社
CPC classification number: C03C15/02 , C03C19/00 , C03C23/0075 , C09G1/02 , G11B5/8404
Abstract: 本发明提供一种玻璃硬盘基板的制造方法，其具有将玻璃基板用酸性研磨液进行研磨后进行碱洗涤的工序，其能够在研磨工序中维持研磨速度的状态下、抑制碱洗涤工序中的玻璃基板的表面粗糙度的恶化、进而还能够提高清洁性。一种玻璃硬盘基板的制造方法，其包括以下工序(1)及(2)：(1)使用含有分子内具有2～10个氮原子的多元胺化合物的pH1.0～4.2的研磨液组合物，对被研磨玻璃基板进行研磨的工序；(2)将工序(1)中获得的基板，用pH8.0～13.0的洗涤剂组合物进行洗涤的工序。
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公开(公告)号：CN102209765B
公开(公告)日：2015-07-01
申请号：CN200980144360.6
申请日：2009-11-04
Applicant: 花王株式会社
CPC classification number: C09G1/02 , B24B29/00 , B24B37/044 , B24B37/048 , C01B33/14 , C03C19/00 , C09K3/1409 , C09K3/1463 , G11B5/8404
Abstract: 本发明提供一种能够在不损害生产率的情况下减少研磨后的基板的划痕和表面粗糙度的磁盘基板用研磨液组合物、以及使用了该研磨液组合物的磁盘基板的制造方法。本发明涉及一种磁盘基板用研磨液组合物，其含有ΔCV值为0～10％的胶体二氧化硅和水，所述ΔCV值是CV30与CV90之差的值(ΔCV＝CV30-CV90)，所述CV30是将从采用动态光散射法在30°的检测角测得的散射强度分布得到的标准偏差除以根据所述散射强度分布得到的平均粒径再乘以100后得到的值，所述CV90是将从在90°的检测角测得的散射强度分布得到的标准偏差除以根据所述散射强度分布得到的平均粒径再乘以100后得到的值。
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公开(公告)号：CN102834480B
公开(公告)日：2015-02-18
申请号：CN201180018363.2
申请日：2011-04-20
Applicant: 花王株式会社
Inventor： 土居阳彦
CPC classification number: G11B5/8404 , B24B37/042 , C09K3/1463
Abstract: 本发明提供一种玻璃硬盘基板用研磨液组合物，其能够同时实现高研磨速度和高清洁性、并且能够在循环研磨中长时间维持高研磨速度。在一个实施方式中，本发明涉及一种玻璃硬盘基板用研磨液组合物，其为含有胺化合物、酸、二氧化硅粒子和水的玻璃硬盘基板用研磨液组合物，其中，所述胺化合物选自由氨基醇、以及哌嗪及其衍生物组成的组，该胺化合物的分子内含有2个或3个氮原子，其中至少1个为伯胺或仲胺。
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公开(公告)号：CN102834480A
公开(公告)日：2012-12-19
申请号：CN201180018363.2
申请日：2011-04-20
Applicant: 花王株式会社
Inventor： 土居阳彦
CPC classification number: G11B5/8404 , B24B37/042 , C09K3/1463
Abstract: 本发明提供一种玻璃硬盘基板用研磨液组合物，其能够同时实现高研磨速度和高清洁性、并且能够在循环研磨中长时间维持高研磨速度。在一个实施方式中，本发明涉及一种玻璃硬盘基板用研磨液组合物，其为含有胺化合物、酸、二氧化硅粒子和水的玻璃硬盘基板用研磨液组合物，其中，所述胺化合物选自由氨基醇、以及哌嗪及其衍生物组成的组，该胺化合物的分子内含有2个或3个氮原子，其中至少1个为伯胺或仲胺。
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