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公开(公告)号：CN102148231A
公开(公告)日：2011-08-10
申请号：CN201110008440.8
申请日：2011-01-06
Applicant: 美商豪威科技股份有限公司
IPC: H01L27/146 , H04N5/374
CPC classification number: H01L27/14607 , H01L27/1461 , H01L27/14614 , H01L27/1463
Abstract: 一种图像传感器像素包括经掺杂而具有第一导电型的衬底。第一外延层置于该衬底之上且经掺杂而亦具有该第一导电型。转移晶体管栅极形成于该第一外延层上。外延生长的光传感器区域置于该第一外延层中且具有第二导电型。该外延生长的光传感器区域包括在转移晶体管栅极的一部分下延伸的延伸区域。
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公开(公告)号：CN102074567A
公开(公告)日：2011-05-25
申请号：CN201010564504.8
申请日：2010-11-16
Applicant: 美商豪威科技股份有限公司
IPC: H01L27/146 , H01L23/528 , H01L23/495 , H01L23/48
CPC classification number: H01L24/05 , H01L27/14636 , H01L27/1464 , H01L27/14683 , H01L2224/02165 , H01L2224/04042 , H01L2224/05093 , H01L2224/05096 , H01L2224/05556 , H01L2224/05624 , H01L2224/05647 , H01L2224/05684 , H01L2924/00014 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01014 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01074 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/01327
Abstract: 一种具有强化垫结构的背面照明成像传感器包括器件层、金属叠层、开口及框架。该器件层具有形成于该器件层的正面中的成像阵列，且该成像阵列调适成从该器件层的背面接收光。该金属叠层耦合至该器件层的正面，其中该金属叠层包括具有金属垫的至少一个金属互连层。开口从器件层的背面延伸至金属垫以曝露金属垫来用于引线接合。框架置于开口内以在结构上强化金属垫。
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公开(公告)号：CN101872775A
公开(公告)日：2010-10-27
申请号：CN201010159246.5
申请日：2010-04-26
Applicant: 美商豪威科技股份有限公司
IPC: H01L27/146 , H04N5/335 , H04N3/15
CPC classification number: H01L27/1463 , H01L27/14601
Abstract: 本发明公开了用于减少串扰的多层图像传感器像素结构。图像传感器像素包括衬底、第一外延层、收集器层、第二外延层和光收集区域。衬底被掺杂为具有第一导电类型。第一外延层被布置在衬底之上并且被掺杂为也具有第一导电类型。收集器层被选择性地布置在第一外延层的至少一部分上并且被掺杂为具有第二导电类型。第二外延层被布置在收集器层上并且被掺杂为具有第一导电类型。光收集区域收集光生电荷载流子并被布置在第二外延层内。光收集区域也被掺杂为具有第二导电类型。
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公开(公告)号：CN102544035B
公开(公告)日：2015-03-04
申请号：CN201110392612.6
申请日：2011-11-23
Applicant: 美商豪威科技股份有限公司
IPC: H01L27/146 , H01L21/78
CPC classification number: H01L21/78 , H01L27/14632 , H01L27/1464 , H01L27/14687
Abstract: 本发明涉及使用切割道蚀刻的晶圆切片。本发明提供用于自具有第一侧及第二侧的晶圆分开管芯的方法的实施例。该制程实施例包括遮蔽该晶圆的该第一侧，该掩模在其中包括开口以暴露该第一侧的与该晶圆的切割道实质上对准的部分。该制程实施例亦包括自该晶圆的该第一侧的这些暴露部分开始蚀刻，直至在该第一侧与该第二侧之间的中间位置为止，及锯切该晶圆的其余部分，该锯切自该中间位置开始直至到达该第二表面。
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公开(公告)号：CN102074567B
公开(公告)日：2013-07-03
申请号：CN201010564504.8
申请日：2010-11-16
Applicant: 美商豪威科技股份有限公司
IPC: H01L27/146 , H01L23/528 , H01L23/495 , H01L23/48
CPC classification number: H01L24/05 , H01L27/14636 , H01L27/1464 , H01L27/14683 , H01L2224/02165 , H01L2224/04042 , H01L2224/05093 , H01L2224/05096 , H01L2224/05556 , H01L2224/05624 , H01L2224/05647 , H01L2224/05684 , H01L2924/00014 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01014 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01074 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/01327
Abstract: 一种具有强化垫结构的背面照明成像传感器，包括：器件层、金属叠层、开口及框架。该器件层具有形成于该器件层的正面中的成像阵列，且该成像阵列调适成从该器件层的背面接收光。该金属叠层耦合至该器件层的正面，其中该金属叠层包括具有金属垫的至少一个金属互连层。开口从器件层的背面延伸至金属垫以暴露金属垫来用于引线接合。框架置于开口内以在结构上强化金属垫。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102544035A
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN201110392612.6
申请日：2011-11-23
Applicant: 美商豪威科技股份有限公司
IPC: H01L27/146 , H01L21/78
CPC classification number: H01L21/78 , H01L27/14632 , H01L27/1464 , H01L27/14687
Abstract: 本发明涉及使用切割道蚀刻的晶圆切片。本发明提供用于自具有第一侧及第二侧的晶圆分开管芯的方法的实施例。该制程实施例包括遮蔽该晶圆的该第一侧，该掩模在其中包括开口以暴露该第一侧的与该晶圆的切割道实质上对准的部分。该制程实施例亦包括自该晶圆的该第一侧的这些暴露部分开始蚀刻，直至在该第一侧与该第二侧之间的中间位置为止，及锯切该晶圆的其余部分，该锯切自该中间位置开始直至到达该第二表面。
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公开(公告)号：CN102348075B
公开(公告)日：2016-08-17
申请号：CN201110218062.6
申请日：2011-07-22
Applicant: 美商豪威科技股份有限公司
CPC classification number: H04N9/045 , H01L27/14621 , H01L27/14643
Abstract: 揭示一种彩色图像传感器。该彩色图像传感器包括像素阵列，该像素阵列包括覆盖用于获取彩色图像的光传感器的阵列的彩色滤波器阵列(“CFA”)。该CFA包括覆盖光传感器的第一组的具有第一色彩的第一彩色滤波器元件及覆盖光传感器的第二组的具有第二色彩的第二彩色滤波器元件。第一彩色滤波器元件贡献于该彩色图像的第一色彩信道，且第二彩色滤波器元件贡献于该彩色图像的第二色彩信道。该彩色图像传感器进一步包括色彩组合器单元，该色彩组合器单元经耦合以将第一色彩信道与第二色彩信道组合以基于第一色彩信道和第二色彩信道而产生该彩色图像的第三色彩信道。输出端口耦合至像素阵列以输出具有三个色彩信道的彩色图像，该三个色彩信道包括该第一色彩信道、该第二色彩信道及该第三色彩信道。
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公开(公告)号：CN102237386B
公开(公告)日：2015-07-15
申请号：CN201110114682.5
申请日：2011-04-25
Applicant: 美商豪威科技股份有限公司
IPC: H01L27/146 , H04N5/374
CPC classification number: H01L27/14698 , H01L27/14623 , H01L27/14627 , H01L27/1464 , H01L27/14643 , H01L27/14689
Abstract: 本文涉及用于图像传感器的改良的激光退火。一种用于制造包括像素电路区域及周边电路区域的图像传感器的技术包括在该图像传感器的前侧上制造前侧组件。在该图像传感器的背面上植入掺杂剂层。抗反射层形成在该背面上且覆盖该掺杂剂层的在像素电路区域下方的第一部分同时曝露该掺杂剂层的在周边电路区域下方的第二部分。经由该抗反射层从该图像传感器的背面对该掺杂剂层的第一部分进行激光退火。该抗反射层使该掺杂剂层的第一部分的温度在该激光退火期间增加。
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公开(公告)号：CN102217069B
公开(公告)日：2015-04-22
申请号：CN200980145870.5
申请日：2009-11-11
Applicant: 美商豪威科技股份有限公司
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14603 , H01L27/14605 , H01L27/14629 , H01L27/1463 , H01L27/1464 , H01L27/14643 , H01L27/14683 , H01L27/14689
Abstract: 本发明公开一种具有改良的角度响应的背面照射式成像像素(400)，其包含具有前表面(207)及背表面(209)的半导体层。该成像像素还包含形成在该半导体层中的光电二极管区。该光电二极管区包含第一n-区(210)及第二n-区(215)。该第一n-区具有投射在该半导体层的前表面与背表面之间的中心线(213)。该第二n-区置于该第一n-区与该半导体层的背表面之间，以使该第二n-区自该第一n-区的中心线偏移。
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公开(公告)号：CN102339839B
公开(公告)日：2015-01-07
申请号：CN201110206456.X
申请日：2011-07-15
Applicant: 美商豪威科技股份有限公司
IPC: H01L27/146 , H04N9/04
CPC classification number: H04N5/3696 , H01L27/14621 , H01L27/1464 , H04N9/04
Abstract: 一种装置的实施例包括像素阵列，该像素阵列包括多个宏像素。每个宏像素包括：一对第一像素，其各自包括用于第一色彩的滤色器，该第一色彩为像素最敏感的色彩；第二像素，其包括用于第二色彩的滤色器，该第二色彩为像素最不敏感的色彩；及第三像素，其包括用于第三色彩的滤色器，像素对该第三色彩的敏感性介于最不敏感与最敏感之间，其中第一像素所占据的宏像素的光收集区域的比例大于该第二像素或该第三像素所占据的比例。揭示并要求保护相应的过程和系统实施例。
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