公开(公告)号：CN1698077A

公开(公告)日：2005-11-16

申请号：CN200480000192.0

申请日：2004-01-28

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 土居正人 ,  友田胜宽 ,  渡辺秋彦 ,  大畑丰治

IPC: G09F9/33 ,  H01L33/00 ,  H01L27/12

CPC classification number: H01L21/6835 ,  H01L24/24 ,  H01L24/82 ,  H01L25/0753 ,  H01L2221/68368 ,  H01L2224/24226 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01018 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01039 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01052 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01076 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种元件转移方法和一种显示装置，其能够通过在元件转移后可轻易地将该衬底揭起，将排列在衬底上的元件转移到另一个衬底，因此降低损伤该衬底的几率并且在元件转移后又能将元件转移到同一衬底之上。在该转移衬底上形成的粘结层中埋入并保持排列在临时支撑衬底上的多个元件，并将各元件从临时支撑衬底上剥离。在硬化该粘结层之前，附加地埋入另外的元件，以可以在大面积的该转移衬底上排列各元件。而且，当在该粘结层中附加埋入的元件具有与预先埋入的元件具有不同的特性时，能够容易地获得彩色显示器的显示装置和有驱动电路等的显示装置。

公开(公告)号：CN1628391A

公开(公告)日：2005-06-15

申请号：CN03801828.4

申请日：2003-09-08

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 大畑丰治 ,  奥山浩之 ,  土居正人 ,  琵琶刚志 ,  铃木淳

IPC: H01L33/00 ,  F21S8/00

CPC classification number: H01L33/20 ,  H01L33/007 ,  H01L33/24

Abstract: 在蓝宝石衬底上形成n型GaN层和在其上形成六角刻蚀掩膜。通过RIE方法，利用刻蚀掩膜将n型GaN层刻蚀一定深度，形成上表面是C面的六棱柱部分。在刻蚀掩膜被除去之后，以这种方式在衬底的整个表面上依次长出活性层和p型GaN层，以便覆盖六棱柱部分，从而形成发光器件结构。此后，在六棱柱部分上的p型GaN层上形成p侧电极和在n型GaN层上形成n侧电极。