半导体装置及振荡器

    公开(公告)号:CN1905361B

    公开(公告)日:2012-06-13

    申请号:CN200610107873.8

    申请日:2006-07-27

    Inventor: 高木成和

    CPC classification number: H01L2924/14

    Abstract: 提供一种Q值大、相位噪声特性良好的半导体装置。半导体装置(1)具有:半导体基板(10),其包括作为有源元件的集成电路(12)和与集成电路(12)电连接的多个连接电极(14、15);第1树脂层(70),其形成于半导体基板(10)形成有连接电极(14、15)的面上,并且避开了连接电极(14、15);连接布线层(25、26),其形成于半导体基板(10)和第1树脂层(70)之间,连接多个连接电极中的一个;由铜布线层构成的旋涡形状的螺旋电感器(40、50),该铜布线层形成于第1树脂层的表面上,其一端与连接布线层(25、26)连接;覆盖螺旋电感器(40、50)的表面的第2树脂层(75);外部端子(81~86),其与多个连接电极中的一些电连接,一部分从第2树脂层(75)突出。

    电机及磁场的制造方法
    13.
    发明授权

    公开(公告)号:CN114498966B

    公开(公告)日:2023-11-28

    申请号:CN202111255198.4

    申请日:2021-10-27

    Inventor: 高木成和

    Abstract: 本发明公开了电机及磁场的制造方法,能够减少磁化用的磁场的损失。电机具备:电枢;以及磁场,在与所述电枢之间隔着第一方向的间隙具有配置在与所述第一方向正交的第二方向上的多个磁极、以及包括导电性材料且保持所述多个磁极的框架,在从第一方向观察到的俯视图案中,框架具有沿着通过多个磁极所产生的磁感线而设置的第一缝隙。

    旋转型电机及转子的制造方法

    公开(公告)号:CN114465382B

    公开(公告)日:2023-10-31

    申请号:CN202111275785.X

    申请日:2021-10-29

    Abstract: 本发明提供旋转型电机以及转子的制造方法,该旋转型电机不易产生磁铁的位置偏离引起的磁特性的劣化且容易组装,根据该转子的制造方法,不易产生磁铁的位置偏离引起的磁特性的劣化且作业性优良。旋转型电机的特征在于,具备定子;以及绕旋转轴旋转的转子,其中,所述转子具备:框架,具有面对所述定子的第一面、以及沿着绕所述旋转轴的周向排列且在所述第一面上开口的多个第一凹部,所述框架呈圆环状;主磁铁,配置于所述第一凹部内以及所述第一凹部之间中的一方;以及副磁铁,配置于所述第一凹部内以及所述第一凹部之间中的另一方。

    电子装置、电子装置的制造方法、电子设备及移动体

    公开(公告)号:CN104422788A

    公开(公告)日:2015-03-18

    申请号:CN201410453131.5

    申请日:2014-09-05

    Inventor: 高木成和

    Abstract: 本发明提供电子装置、电子装置的制造方法、电子设备及移动体。电子装置的特征在于,具备:基板;盖体,其与基板相接合;功能元件,其被设置于基板与盖体之间,盖体具有贯穿孔,所述贯穿孔贯穿于背面与外表面之间,贯穿孔包含第一孔部和第二孔部,第二孔部的平面面积与第一孔部的平面面积相比较小,第二孔部的内壁面的至少一部分相对于第一孔部的底面,大致为直角,贯穿孔通过密封部件而被密封。

    功能元件及其制造方法、物理量传感器以及电子设备

    公开(公告)号:CN102538830A

    公开(公告)日:2012-07-04

    申请号:CN201110340071.2

    申请日:2011-11-01

    Abstract: 功能元件及其制造方法、物理量传感器以及电子设备。本发明提供一种实现了高灵敏度化、制造效率的改善、低成本化、高可靠性化中的至少一个的功能元件、功能元件的制造方法、物理量传感器以及电子设备。本发明的功能元件(1)具有:绝缘基板(2)、可动部(33)、设置在可动部(33)上的可动电极指(361~365)、以及设置在绝缘基板(2)上且与可动电极指(361~365)相对地配置的固定电极指(381~388),固定电极指(381~388)包含配置在可动电极指(361~365)的一侧的第1固定电极指(382、384、386、388)和配置在另一侧的第2固定电极指(381、383、385、387),第1固定电极指与第2固定电极指相互离开地配置。

    MEMS传感器、电子设备
    18.
    发明公开

    公开(公告)号:CN101885465A

    公开(公告)日:2010-11-17

    申请号:CN201010180708.1

    申请日:2010-05-14

    Inventor: 高木成和

    Abstract: 本发明提供一种能增大在与基板垂直的方向上改变位置的可动锤部的质量,可使用CMOS工艺自由且易于制造的MEMS传感器。一种MEMS传感器(100A),具有通过联结部(130A)联结在支持部(110)上且在Z方向上移动的可动锤部(120A),其中,可动锤部具有叠层结构体,其包含:多个导电层、在多个导电层间配置的多个层间绝缘层、及填充在贯通多个层间绝缘层的各层而形成的埋置槽图形中且比重比层间绝缘膜更大的插塞,在各层中形成的插塞含有沿与层间绝缘层平行的二维平面的至少一轴方向形成为壁状的壁部。可动电极部(140A)由叠层结构体形成,按照可动锤部的Z方向变位而使可动电极部(140A)和与其对置的固定电极部(150A)之间的对置面积发生改变。

    微机电传感器、其制造方法以及电子设备

    公开(公告)号:CN101830426A

    公开(公告)日:2010-09-15

    申请号:CN201010134017.8

    申请日:2010-03-12

    Abstract: 本发明提供能有效增大可动锤部的质量、高精度地检测物理量、且利用使用了多层布线的CMOS工序能自如且容易地制造的微机电传感器(例如静电电容型加速度传感器)。该微机电传感器(100A)具有经弹性变形部(130)连接于固定框部(110)的、在周围形成有空腔部(111、112)的可动锤部(120),可动锤部(120)具有层叠结构体,该层叠结构体包括多个导电层(121A至121D)、配置在多个导电层之间的多个层间绝缘层(122A至122C)和填充于贯通形成在多个层间绝缘层的各层的预定的埋入槽图形的比重大于层间绝缘层的栓塞(123A至123C),形成于各层的栓塞包括沿着一个或多个较长方向形成为壁状的壁部。

    电机及磁场的制造方法
    20.
    发明公开

    公开(公告)号:CN114498966A

    公开(公告)日:2022-05-13

    申请号:CN202111255198.4

    申请日:2021-10-27

    Inventor: 高木成和

    Abstract: 本发明公开了电机及磁场的制造方法,能够减少磁化用的磁场的损失。电机具备:电枢;以及磁场,在与所述电枢之间隔着第一方向的间隙具有配置在与所述第一方向正交的第二方向上的多个磁极、以及包括导电性材料且保持所述多个磁极的框架,在从第一方向观察到的俯视图案中,框架具有沿着通过多个磁极所产生的磁感线而设置的第一缝隙。

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