公开(公告)号：CN1223011C

公开(公告)日：2005-10-12

申请号：CN00800465.X

申请日：2000-03-29

Applicant: 精工爱普生株式会社 ,  捷时雅株式会社

Inventor： 古沢昌宏 ,  关俊一 ,  宫下悟 ,  下田达也 ,  汤田坂一夫 ,  松木安生 ,  竹内安正

IPC: H01L31/042 ,  H01L21/208

Abstract: 太阳能电池的制造方法，所说的太阳能电池在其一对电极之间具有一种由至少两层杂质浓度和/或种类不同的半导体薄膜组成的积层结构，其特征在于，其中的至少一层半导体薄膜的形成包括下述工序：把含有硅化合物的液体涂料组合物涂布于基板上以形成涂膜的工序、接着对该涂膜进行热处理和/或光处理以获得硅膜的工序。

公开(公告)号：CN101425604B

公开(公告)日：2013-02-27

申请号：CN200810212543.4

申请日：2008-09-05

Applicant: 精工爱普生株式会社

Inventor： 近藤繁雄 ,  竹内安正 ,  筱原祐治 ,  川濑健夫

IPC: H01M10/36

CPC classification number: H01M10/0562 ,  H01M6/18 ,  Y02E60/12 ,  Y02E60/122

Abstract: 本发明提供了一种传导锂离子的固体电解质材料，该材料含有硫化物-基锂离子导体和α-氧化铝。这种固体电解质材料显示了优良的锂离子传导率。此外，还提供了安置有这种固体电解质材料的电池器件。另外，还提供了安置有这种电池器件的全固体锂离子二次电池。

公开(公告)号：CN101136498B

公开(公告)日：2012-07-11

申请号：CN200710148358.9

申请日：2007-08-31

Applicant: 精工爱普生株式会社

Inventor： 近藤繁雄 ,  竹内安正

IPC: H01M10/38 ,  H01M10/04

CPC classification number: H01M10/44 ,  Y02E60/12 ,  Y10T29/49108 ,  Y10T29/4911 ,  Y10T29/49112 ,  Y10T29/49115

Abstract: 本发明提供一种二次电池，所述二次电池可以避免电池容量在经过充电-放电循环后降低并且可以显示高性能。一种用于制造二次电池的方法，所述二次电池包含层压体，所述层压体具有一对电极和安置在该对电极之间的电解质层，所述层压体具有端面部分；和限制器，所述限制器被安置成至少覆盖所述层压体的所述端面部分以限制所述电解质层在其平面方向上的膨胀，所述方法包括：制备模具、所述一对电极和用于形成所述电解质层的电解质颗粒；通过在所述模具中压制所述电极和所述电解质颗粒将所述一对电极和所述电解质层接合在一起以形成所述层压体；和安置所述限制器使其至少覆盖从所述模具中取出的所述层压体的所述端面部分。

公开(公告)号：CN101136498A

公开(公告)日：2008-03-05

申请号：CN200710148358.9

申请日：2007-08-31

Applicant: 精工爱普生株式会社 ,  株式会社国际基盘材料研究所

Inventor： 近藤繁雄 ,  竹内安正

IPC: H01M10/38 ,  H01M10/04

CPC classification number: H01M10/44 ,  Y02E60/12 ,  Y10T29/49108 ,  Y10T29/4911 ,  Y10T29/49112 ,  Y10T29/49115

Abstract: 本发明提供一种二次电池，所述二次电池可以避免电池容量在经过充电－放电循环后降低并且可以显示高性能。一种用于制造二次电池的方法，所述二次电池包含层压体，所述层压体具有一对电极和安置在该对电极之间的电解质层，所述层压体具有端面部分；和限制器，所述限制器被安置成至少覆盖所述层压体的所述端面部分以限制所述电解质层在其平面方向上的膨胀，所述方法包括：制备模具、所述一对电极和用于形成所述电解质层的电解质颗粒；通过在所述模具中压制所述电极和所述电解质颗粒将所述一对电极和所述电解质层接合在一起以形成所述层压体；和安置所述限制器使其至少覆盖从所述模具中取出的所述层压体的所述端面部分。

公开(公告)号：CN100353496C

公开(公告)日：2007-12-05

申请号：CN03110610.2

申请日：2003-04-21

Applicant: 精工爱普生株式会社 ,  日商捷时雅股份有限公司

Inventor： 青木敬 ,  古沢昌宏 ,  松木安生 ,  岩沢晴生 ,  竹内安正

IPC: H01L21/208 ,  H01L21/205 ,  H01L31/04 ,  C23C18/00 ,  C01B33/00 ,  C01B33/107

CPC classification number: C08G77/60 ,  C01B33/04 ,  C09D183/16 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02628

Abstract: 本发明提供一种高级硅烷组合物，其特征在于其中含有经对具有光聚合性的硅烷化合物的溶液或具有光聚合性的液体硅烷化合物照射紫外线光聚合而成的高级硅烷化合物。而且本发明还提供一种硅膜的形成方法，其特征在于将上述高级硅烷组合物涂布在基板上。上述高级硅烷组合物由于含有分子量更大的高级硅烷化合物，所以从在基板上涂布时的湿润性、沸点和安全性的观点来看，能够特别容易形成优质硅膜。

公开(公告)号：CN1300445A

公开(公告)日：2001-06-20

申请号：CN00800465.X

申请日：2000-03-29

Applicant: 精工爱普生株式会社 ,  捷时雅株式会社

Inventor： 古沢昌宏 ,  关俊一 ,  宫下悟 ,  下田达也 ,  汤田坂一夫 ,  松木安生 ,  竹内安正

IPC: H01L31/042 ,  H01L21/208

Abstract: 太阳能电池的制造方法,所说的太阳能电池在其一对电极之间具有一种由至少两层杂质浓度和/或种类不同的半导体薄膜组成的积层结构,其特征在于,其中的至少一层半导体薄膜的形成包括下述工序:把含有硅化合物的液体涂料组合物涂布于基板上以形成涂膜的工序、接着对该涂膜进行热处理和/或光处理以获得硅膜的工序。

公开(公告)号：CN1297577A

公开(公告)日：2001-05-30

申请号：CN00800439.0

申请日：2000-03-29

Applicant: 精工爱普生株式会社 ,  捷时雅株式会社

Inventor： 下田达也 ,  宫下悟 ,  关俊一 ,  古泽昌宏 ,  汤田坂一夫 ,  竹内安正 ,  松木安生

IPC: H01L21/208 ,  C01B33/02

CPC classification number: H01L21/0242 ,  C30B7/00 ,  C30B7/005 ,  C30B29/06 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02592 ,  H01L21/02595 ,  H01L21/02628 ,  H01L21/02675

Abstract: 一种硅膜成形方法,包括:将包含无碳的环状硅烷化合物和/或硼或磷改性的硅烷化合物的溶液涂布到基板上以形成硅前体膜,然后对该膜实施热和/或光处理,从而将硅前体转化为半导体硅。该方法可用来以低成本、容易而又简单地提供作为性能优良的电子材料的硅膜,因为它不包括DVD之类的方法所涉及的真空加工。