公开(公告)号：CN102193185A

公开(公告)日：2011-09-21

申请号：CN201110064934.8

申请日：2011-03-14

Applicant: 精工爱普生株式会社

Inventor： 山崎成二

IPC: G02B26/00 ,  G01J3/46

CPC classification number: G01J3/46 ,  G02B1/105 ,  G02B1/14 ,  G02B5/0808 ,  G02B5/0816 ,  G02B26/001 ,  H01L31/02165

Abstract: 本发明的滤光器的制造方法是在形成有第1反射膜的第1基板的第1接合区域形成第1接合膜，在形成有第2反射膜的第2基板的第2接合区域形成第2接合膜，隔着第1掩模部件向第1接合膜照射臭氧或紫外线，隔着第2掩模部件向第2接合膜照射臭氧或紫外线，接合第1接合膜与第2接合膜而使第1基板与第2基板粘贴，从而在制造时保护反射膜免受臭氧或紫外线的影响，抑制反射膜的恶化。

公开(公告)号：CN113899354A

公开(公告)日：2022-01-07

申请号：CN202110764282.2

申请日：2021-07-06

Applicant: 精工爱普生株式会社

Inventor： 泷泽照夫 ,  永田和幸 ,  田中悟 ,  山崎成二

IPC: G01C19/5649 ,  G01C19/5656 ,  G01C19/5663

Abstract: 本发明涉及惯性传感器和惯性测量装置。惯性传感器中，能够绕沿着第一方向的第一旋转轴摆动的第一可动体具有开口部，在开口部具有：第二可动体，能够绕沿着第二方向的第二旋转轴摆动；第二支承梁，作为第二旋转轴来支承第二可动体(38)；第三可动体，能够绕沿着上述第二方向的第三旋转轴摆动；以及第三支承梁，作为上述第三旋转轴来支承上述第三可动体，具有突起，上述突起设置于与第二可动体以及第三可动体对置的面或者第二可动体(38)以及第三可动体，并朝向第二可动体以及第三可动体或者面突出。

公开(公告)号：CN102749091B

公开(公告)日：2015-09-23

申请号：CN201210116661.1

申请日：2012-04-19

Applicant: 精工爱普生株式会社

Inventor： 与田光宏 ,  河野秀逸 ,  高木成和 ,  山崎成二

IPC: G01D5/12

CPC classification number: G01C19/5783 ,  G01P15/0802 ,  G01P15/125 ,  G01P2015/0814 ,  H05K1/118

Abstract: 本发明提供功能元件、传感器元件、电子设备和功能元件的制造方法，可抑制制造效率降低。所述功能元件的特征是具备：具有主面(16)的基板(12)；在上述主面(12)上配置的槽部(第1槽部(24)、第2槽部(26))；和跨越上述基板(12)上的上述槽部进行配置的固定电极部(第1固定电极指(78)、第2固定电极指(80))，在上述槽部的内部中，在俯视时与上述固定电极部重叠的位置上设置有采用上述基板以及上述固定电极部的至少一方形成的凸部(54、56)，上述凸部(54、56)具有接合面(端面(82))，在该接合面侧配置有布线(第1布线(30)、第2布线(36))，并经由上述布线连接上述基板(12)与上述固定电极部。

公开(公告)号：CN101337461A

公开(公告)日：2009-01-07

申请号：CN200810130546.3

申请日：2008-07-07

Applicant: 精工爱普生株式会社

Inventor： 山崎成二

IPC: B41J2/14 ,  B41J2/16 ,  B41J2/045

CPC classification number: B41J2/14314 ,  B41J2/16 ,  B41J2/1623 ,  B41J2/1628 ,  B41J2/1629 ,  B41J2/1632 ,  B41J2/1635 ,  B41J2/1642 ,  B41J2/1646 ,  B41J2002/14411

Abstract: 本发明以提供一种了可提高相对振动膜的反复动作的耐久性、且可靠性高的静电执行机构，同时，还可以提供具有这种静电执行机构的液滴喷吐头及它们的制造方法。本发明的静电执行机构包括振动膜(4)以及与振动膜(4)隔开间隙地对置的单独电极(10)，振动膜(4)呈从振动膜(4)的中央部向外周部阶段式变厚的多阶形状。

公开(公告)号：CN101134392A

公开(公告)日：2008-03-05

申请号：CN200710148105.1

申请日：2007-08-28

Applicant: 精工爱普生株式会社

Inventor： 山崎成二

IPC: B41J2/16 ,  B41J2/14

CPC classification number: B41J2/14314 ,  B41J2/16 ,  B41J2/1623 ,  B41J2/1628 ,  B41J2/1629 ,  B41J2/1632 ,  B41J2/1635 ,  B41J2/1642 ,  B41J2/1646 ,  B41J2002/14403 ,  B41J2002/14491

Abstract: 提供一种能够不使用抗蚀剂而进行构图、特别是能够在喷嘴连通孔形成后不使用抗蚀剂而进行贮存室及电极取出口的构图、能够防止喷嘴连通孔部的抗蚀剂保护不良的硅衬底的制造方法等。在硅基体材料(400)表面形成氧化硅膜(401a、401b)、在硅基体材料(400)表面的构图部分(400a)从氧化硅膜(401a、401b)上形成氮化硅膜(402)后，在硅基体材料(400)表面的构图部分(400a)以外的部分再形成氧化硅膜(401a、401b)，去除氮化硅膜(402)，使构图部分(400a)的硅基体材料(400)露出，蚀刻硅基体材料(400)。