公开(公告)号：CN103988305A

公开(公告)日：2014-08-13

申请号：CN201280060455.1

申请日：2012-11-29

Applicant: 精工爱普生株式会社

Inventor： 奥山正树 ,  佐藤久克

IPC: H01L27/06 ,  H01L21/822 ,  H01L21/8238 ,  H01L27/04 ,  H01L27/092

CPC classification number: H01L29/0615 ,  H01L27/0255 ,  H01L27/0259 ,  H01L29/0684 ,  H01L29/36 ,  H01L29/45 ,  H01L29/744

Abstract: 本发明提供一种从以静电等为主要原因的浪涌电流中对电路进行保护的结构。本发明的半导体装置的特征在于：第一杂质扩散区域被设置于半导体基板内，第二杂质扩散区域被设置于第一杂质扩散区域内，第三杂质扩散区域被设置于第二杂质扩散区域中，第四杂质扩散区域的第一部分以与第三杂质扩散区域分离的方式而被设置于第二杂质扩散区域内，第四杂质扩散区域的第二部分被设置于第一杂质扩散区域的第三部分的半导体基板的表面侧，第一接点被设置为，与第二部分相接，第一接点与第三部分在俯视观察时重叠，第一电源与第三杂质扩散区域连接。

公开(公告)号：CN1805275A

公开(公告)日：2006-07-19

申请号：CN200510132693.0

申请日：2005-12-20

Applicant: 精工爱普生株式会社

Inventor： 矢岛有继 ,  佐藤久克 ,  小岛贵志

IPC: H03H3/08 ,  H03H9/25

Abstract: 提供表面声波装置的制造方法及表面声波装置。在半导体基板上具备IC区域与表面声波元件区域并构成为一个芯片的表面声波装置中，能够确保形成表面声波元件部分的平坦性，得到特性良好的表面声波装置的制造方法及表面声波装置。该方法具备：在半导体基板的IC区域形成半导体元件层(45)的工序；形成布线层(46)的工序；在IC区域及表面声波元件区域形成层间绝缘膜(38)的工序；对层间绝缘膜(38)的表面进行化学机械抛光处理的工序；在化学机械抛光处理过的层间绝缘膜(38)上形成压电薄膜(39)的工序；以及在表面声波元件区域中的压电薄膜(39)上形成表面声波元件(40)的工序。

公开(公告)号：CN1783711A

公开(公告)日：2006-06-07

申请号：CN200510125795.X

申请日：2005-12-01

Applicant: 精工爱普生株式会社

Inventor： 古畑诚 ,  后藤健次 ,  佐藤久克

IPC: H03H9/25 ,  H03H9/64

Abstract: 表面声波元件及其制造方法。本发明的课题是提供具有良好的频率特性和通过特性的表面声波元件和该表面声波元件的制造方法。作为解决手段，表面声波元件(10)在半导体基板(硅层50)的同一平面上并列地形成有半导体配线区域(20)和SAW区域(30)，在晶片(1)上以栅格状布置表面声波元件(10)，并且将相邻的表面声波元件(10)上所形成的半导体配线区域(20)和所述SAW区域(30)布置成相间方格状，在半导体配线区域(20)和SAW区域(30)的上面形成同一平面的绝缘层(71～74)，在最上层的绝缘层(74)的表面上形成压电层(90)，在SAW区域(30)的压电层(90)的表面上形成IDT(40)。