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公开(公告)号：CN1256792A
公开(公告)日：2000-06-14
申请号：CN99800210.0
申请日：1999-02-24
Applicant: 精工爱普生株式会社
IPC: H01L27/00
CPC classification number: H01L27/1266 , H01L21/6835 , H01L21/76251 , H01L21/8221 , H01L21/84 , H01L23/48 , H01L25/0657 , H01L25/50 , H01L27/0694 , H01L27/1108 , H01L27/12 , H01L29/78603 , H01L29/78675 , H01L29/78678 , H01L31/101 , H01L2221/68359 , H01L2221/68363 , H01L2221/68368 , H01L2225/06513 , H01L2225/06565 , H01L2924/0002 , H01L2924/12044 , H01L2924/30105 , H01L2924/3025 , Y10S438/977 , H01L2924/00
Abstract: 存储器IC10a包括衬底(转移侧衬底)21,和在该衬底21上层积的存储器单元阵列71、存储器单元阵列72及存储器单元阵列73。将各存储器单元阵列71、72和73分别按照薄膜结构的转移方法从图21中的下侧按该顺序层积。所述转移法包括在原衬底上通过分离层形成薄膜器件层(存储器单元阵列)后,对所述分离层照射照射光,在所述分离层的层内和/或界面上产生剥离,将所述原衬底上的薄膜器件层转移到衬底21侧。
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公开(公告)号：CN1199507A
公开(公告)日：1998-11-18
申请号：CN97191134.7
申请日：1997-08-26
Applicant: 精工爱普生株式会社
IPC: H01L27/12 , H01L21/336 , H01L29/786
CPC classification number: H01L27/1266 , G02F1/13454 , G02F1/1368 , G02F2001/13613 , H01L21/6835 , H01L21/76251 , H01L21/76254 , H01L21/76259 , H01L27/1214 , H01L29/78603 , H01L2221/68359 , H01L2221/68363
Abstract: 本发明是一种将基板上的薄膜器件转移到转移体上的方法,包括:在所述基板上形成分离层的工序;在所述分离层上形成包含薄膜器件的被转移层的工序;通过中间层将包含薄膜器件的被转移层接合到所述转移体上的工序;将光照射到所述分离层上,在所述分离层的层内和/或界面处产生剥离的工序;以及使所述基板从所述分离层脱离的工序。
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公开(公告)号：CN100502047C
公开(公告)日：2009-06-17
申请号：CN200510054415.8
申请日：1997-06-27
Applicant: 精工爱普生株式会社
Inventor： 井上聪
IPC: H01L29/786 , H01L21/336 , H01L27/00 , H01L21/82
CPC classification number: H01L29/78696 , G02F1/13454
Abstract: 本发明提供一种具有可减少Vgs-Ids特性的变坏的结构的薄膜晶体管。该薄膜晶体管(16)具有由N型杂质扩散区构成的源区(17)、漏区(18)和栅电极(19)，栅电极(19)的正下方成为沟道区(30)。此外，在源区(17)、漏区(18)中，通过多个接触孔(20)分别与源电极(21)、漏电极(22)连接。而且在沟道区(30)的内部，在多个部位并隔开一定间隔地形成P型杂质扩散区(23)。
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公开(公告)号：CN100477079C
公开(公告)日：2009-04-08
申请号：CN200610100303.6
申请日：1997-08-26
Applicant: 精工爱普生株式会社
IPC: H01L21/00 , H01L21/762 , H01L21/84 , H01L21/336 , G02F1/136
Abstract: 本发明提供一种剥离方法，包括：从基板剥离脱离件，其中：剥离所述脱离件包括以多束连续实施的光束照射；以所述多束光束中的第一光束照射第一区域；以所述多束光束中的第二光束照射第二区域部分；以及第一区域不与以强度比第二光束的最高强度的90%高的部分所述第二光束照射的部分第二区域重叠，或者不与以所述第二光束中强度无变化的部分光束照射的部分所述第二区域重叠。此外，提供了相应的转移方法，以及按照相应剥离方法或转移方法制造薄膜器件的方法。
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公开(公告)号：CN1150506C
公开(公告)日：2004-05-19
申请号：CN01141011.6
申请日：2001-08-31
Applicant: 精工爱普生株式会社
Inventor： 井上聪
CPC classification number: G09G3/344 , G02F1/167 , G09G2300/08 , G09G2310/0245 , G09G2310/0267 , G09G2310/0275 , G09G2310/04 , G09G2310/061 , G09G2310/063 , G09G2330/021
Abstract: 使用电泳墨水的电泳显示器由透明基片(112)、公共电极(113)、像素电极(114)和薄膜晶体管(116)组成。电泳墨水层布置在公共电极和像素电极之间，且由大量线性排列的微囊来实现，微囊中包含了散布在特定颜色液体(214)中的带负电的白色微粒(215)。所有像素电极同时被设定为低电势，而公共电极被设定为高电势，以便可以立即在显示表面的全部区域删除显示内容，然后使像素电极响应于显示数据被分别驱动，同时公共电极被设定为低电势，以便使显示内容响应于显示数据被重写成新的内容。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1495523A
公开(公告)日：2004-05-12
申请号：CN03157964.7
申请日：1997-08-26
Applicant: 精工爱普生株式会社
IPC: G03F7/00 , G03F7/34 , H01L27/12 , H01L21/336 , H01L29/786
CPC classification number: H01L27/1266 , G02F1/13454 , G02F1/1368 , G02F2001/13613 , H01L21/6835 , H01L21/76251 , H01L21/76254 , H01L21/76259 , H01L27/1214 , H01L29/78603 , H01L2221/68359 , H01L2221/68363
Abstract: 一种转移方法，包括：提供基板；在上述基板上形成被转移层；使转移体与上述被转移层结合；和将上述被转移层从上述基板移走，而将上述被转移层转移到上述转移体；再使用上述基板于另一转移。
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公开(公告)号：CN1132245C
公开(公告)日：2003-12-24
申请号：CN99800189.9
申请日：1999-02-23
Applicant: 精工爱普生株式会社
CPC classification number: H01L27/00 , H01L21/00 , H01L23/48 , H01L27/0688 , H01L2221/68359 , H01L2221/68368 , H01L2924/0002 , H01L2924/12044 , H01L2924/00
Abstract: 本发明的3维器件的制造方法，包括在透光性的基板1上形成分离层2、中间层3和第1被转印层41有机同样在透光性的基板1上形成分离层2、中间层3和第2被转印层42的工序、在与被转印层41的基板1相反侧通过粘接层5将基板(转印侧基板)21接合的工序、向分离层2照射照射光7利用磨蚀在分离层2的层内和/或界面发生剥离从而使被转印层41从基板1上脱离下来转印到基板21上的工序、在与被转印层42的基板1相反侧通过导电性粘接层22将被转印层41接合的工序有机和上述一样向分离层2照射照射光7使被转印层42从基板1上脱离下来从而转印到被转印层41上的工序。
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公开(公告)号：CN1256794A
公开(公告)日：2000-06-14
申请号：CN99800173.2
申请日：1999-02-23
Applicant: 精工爱普生株式会社
IPC: H01L29/786 , H01L21/336 , H01L27/12 , G02F1/136
CPC classification number: H01L27/1266 , G02F2001/13613 , H01L21/6835 , H01L21/76254 , H01L27/1214 , H01L29/66757 , H01L2221/68318 , H01L2221/6835 , H01L2221/68359 , H01L2221/68363 , H01L2221/68368 , H01L2924/3025 , H01L2924/3511
Abstract: 在基板(100)预先设置分离层(120),在该基板上形成TFT等的薄膜器件(140)。在该薄膜器件(140)的形成过程中,对分离层(120)注入促进剥离用离子、例如氢离子。在薄膜器件(140)的形成后,最好在通过粘接层(160)将薄膜器件(140)接合到转移体(180)后,从基板一侧照射激光。由此,在分离层(120)中利用促进剥离用离子的作用,使剥离发生。使该薄膜器件(140)从基板(100)脱离。由此,可将所希望的薄膜器件转移到任一种基板上。
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公开(公告)号：CN1256791A
公开(公告)日：2000-06-14
申请号：CN99800189.9
申请日：1999-02-23
Applicant: 精工爱普生株式会社
CPC classification number: H01L27/00 , H01L21/00 , H01L23/48 , H01L27/0688 , H01L2221/68359 , H01L2221/68368 , H01L2924/0002 , H01L2924/12044 , H01L2924/00
Abstract: 本发明的3维器件的制造方法,包括在透光性的基板1上形成分离层2、中间层3和第1被转印层41有机同样在透光性的基板1上形成分离层2、中间层3和第2被转印层42的工序、在与被转印层41的基板1相反侧通过粘接层5将基板(转印侧基板)21接合的工序、向分离层2照射照射光7利用磨蚀在分离层2的层内和/或界面发生剥离从而使被转印层41从基板1上脱离下来转印到基板21上的工序、在与被转印层42的基板1相反侧通过导电性粘接层22将被转印层41接合的工序有机和上述一样向分离层2照射照射光7使被转印层42从基板1上脱离下来从而转印到被转印层41上的工序。
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公开(公告)号：CN1231065A
公开(公告)日：1999-10-06
申请号：CN98800930.7
申请日：1998-06-30
Applicant: 精工爱普生株式会社
IPC: H01L27/12 , H01L21/336 , H01L29/786 , G02F1/136
CPC classification number: H01L27/1266 , B23K26/40 , B23K26/57 , B23K2103/172 , G02F1/13454 , G02F1/1362 , H01L21/2007 , H01L21/76264 , H01L21/76275 , H01L21/76283 , H01L21/76289 , H01L27/1214 , H01L29/78603 , H01L2221/68359 , H01L2221/68368
Abstract: 一种将形成于衬底上的薄膜器件转移到一次转移体上,之后又转移到二次转移体上的薄膜器件制作方法。在激光可透过的衬底(100)上设有如非晶硅等的第1分离层(120)。在该衬底(100)上形成TFT等的薄膜器件(140)。并且,在薄膜器件(140)上形成如热熔性粘合层等第2分离层(160),在其上形成一次转移体(180)。通过光照使第1分离层的内聚力减弱而将衬底(100)去除,并将薄膜器件(140)转移到一次转移体(180)。并且,在露出的薄膜器件(140)的下面通过粘合层(190)粘合二次转移体(200)。于是,通过例如热熔融使第2分离层的内聚力减弱而去除一次转移体。结果,薄膜器件(140)就可保持与衬底(100)的叠层关系原样不变而转移到二次转移体(200)上。
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