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公开(公告)号：CN107557861B
公开(公告)日：2019-05-10
申请号：CN201710987650.3
申请日：2017-10-21
Applicant: 福州大学
Abstract: 本发明涉及一种适用于Ba3P3O10Cl单晶的生长方法，采用密闭熔盐法生长，使用一密闭熔盐炉实现，该熔盐炉包括密闭的刚玉炉膛，刚玉炉膛上下两端密闭，并分别连接真空机械泵和氩气源；以CsCl作为助熔剂，其加入量为50‑70wt.%；降温速率为1℃/天，转速为5‑10转/分钟；具体包括以下步骤：（1）将原料和助熔剂混合研磨，得到原料混合物后装入石墨坩埚，并将石墨坩埚置于刚玉炉膛内；（2）对密闭的刚玉炉膛抽真空，在真空度优于10‑2Pa的状态下除水除氧；除水结束后，通氩气并升温熔化原料混合物至熔液均匀化；（3）下降籽晶至接触液面，设定温区进行降温，开始晶体生长，直至获得一定尺寸的晶体后，提拉晶体离开液面，再降温至室温，操作简单便捷，适用于Ba3P3O10Cl单晶的生长。
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公开(公告)号：CN107177884A
公开(公告)日：2017-09-19
申请号：CN201710442067.4
申请日：2017-06-13
Applicant: 福州大学
Abstract: 本发明公开了一种氟化物单晶的生长方法与装置，属于氟化物晶体的单晶生长领域。采用坩埚为带盖的石墨坩埚，选择的除水氟化剂为NH4HF2，将原料和氟化剂混合研磨，得到原料混合物，进行除水氟化；然后升温得到熔液，再将坩埚内熔液完全降至结晶点位置后，静置，然后降温得到所述氟化物单晶。本发明采用封闭式真空除水自氟化坩埚下降法进行晶体生长，并调整生长过程中的温度等参数，从而得到了能够符合实用要求的厘米级的高质量大尺寸LiLnF4（Ln=Y，Gd，Lu)单晶，尺寸约为Φ10×50mm，且在紫外可见光区域透过率可达90%以上。该技术具有操作简单，经济，安全和环境友好等优势。
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公开(公告)号：CN119800513A
公开(公告)日：2025-04-11
申请号：CN202510041519.2
申请日：2025-01-10
Applicant: 福州大学
Abstract: 本发明公开了一种新型钡锑碲硫晶体及其制备方法和应用，所述新型钡锑碲硫晶体的结构式为BaSbTe2S；所述新型钡锑碲硫晶体的结构为：结构中Ba含有2个晶体学位点，Sb含有2个晶体学位点，Te含有4个晶体学位点，S含有2个晶体学位点；其中，Sb原子分别与5个Te原子和1个S原子连接形成[SbTe5S]畸变八面体，单独的Te原子相互连接构成平面方形网状[Te2]层；Ba原子分别与5个Te原子和4个S原子连接形成[BaTe5S4]多面体，Ba原子填充在层间用于平衡电荷，Ba原子沿c轴方向排列构成了二维的层状结构；该方法制得的新型钡锑碲硫晶体具有电荷密度波和超导的特性，可应用于热电、强相关电子系统及量子霍尔效应领域。
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公开(公告)号：CN113293429B
公开(公告)日：2022-08-30
申请号：CN202110603475.X
申请日：2021-05-31
Applicant: 福州大学
Abstract: 本发明公开了一种单斜相Ga2S3单晶的制备方法，采用真空密闭助熔剂坩埚下降法。引入助熔剂Sb2S3来降低单斜相Ga2S3单晶的结晶温度，通过晶体生长参数（温度梯度，下降速度等），制得能够符合实用要求的厘米级的高质量大尺寸单斜相Ga2S3单晶，尺寸可达Φ10×20mm，且在紫外可见光区域透过率可达90%以上。
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公开(公告)号：CN113293429A
公开(公告)日：2021-08-24
申请号：CN202110603475.X
申请日：2021-05-31
Applicant: 福州大学
Abstract: 本发明公开了一种单斜相Ga2S3单晶的制备方法，采用真空密闭助熔剂坩埚下降法。引入助熔剂Sb2S3来降低单斜相Ga2S3单晶的结晶温度，通过晶体生长参数（温度梯度，下降速度等），制得能够符合实用要求的厘米级的高质量大尺寸单斜相Ga2S3单晶，尺寸可达Φ10×20mm，且在紫外可见光区域透过率可达90%以上。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107723796A
公开(公告)日：2018-02-23
申请号：CN201710991667.6
申请日：2017-10-23
Applicant: 福州大学
Abstract: 本发明提供一种用于生长SrMoO4晶体或者激活离子掺杂SrMoO4晶体的方法，采用顶部籽晶助熔剂法制备，所用助熔剂为Na 2MoO4+B2O3或K2MoO4+B2O3的复合助熔剂。在复合助熔剂体系中，Na2MoO4或K2MoO4与B2O3的摩尔比为4:1，激活离子为Tm3+、Ho3+、Yb3+、Er3+或Pr3+。本发明所述的制备SrMoO4晶体技术方法，可以将SrMoO4晶体的生长温度降低，同时还可以有效降低熔体体系在生长过程中的挥发性，稳定晶体的生长环境。
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公开(公告)号：CN108865120B
公开(公告)日：2021-03-02
申请号：CN201810915022.9
申请日：2018-08-13
Applicant: 福州大学
Abstract: 本发明提供了一种Eu3+掺杂的CaF2光功能粉体的制备方法及其应用，具体制备方法为：称取适量的乙酸钙和稀土铕盐粉体（Eu3+掺杂摩尔比为1~16%），加入到以异丙醇、乙醇和水的溶剂，按n(Ca2++Eu3+):n(F‑)=1:2的摩尔计量比，称取氟化氢铵，搅拌均匀后得溶胶A；将溶胶A干燥得到的胶态物质进行热处理，从室温升至300~700℃，保温一定时间，随炉冷却至室温，研磨得到Eu3+掺杂的CaF2粉体。由该技术方案制备出的Eu3+掺杂的CaF2光功能粉体具有合成工艺简单、产量高、成本低和适合于大规模生产等特点，而且能够对水溶液中的Cr2O72‑离子同时实现吸附与检测功能。
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公开(公告)号：CN107177884B
公开(公告)日：2019-06-07
申请号：CN201710442067.4
申请日：2017-06-13
Applicant: 福州大学
Abstract: 本发明公开了一种氟化物单晶的生长方法与装置，属于氟化物晶体的单晶生长领域。采用坩埚为带盖的石墨坩埚，选择的除水氟化剂为NH4HF2，将原料和氟化剂混合研磨，得到原料混合物，进行除水氟化；然后升温得到熔液，再将坩埚内熔液完全降至结晶点位置后，静置，然后降温得到所述氟化物单晶。本发明采用封闭式真空除水自氟化坩埚下降法进行晶体生长，并调整生长过程中的温度等参数，从而得到了能够符合实用要求的厘米级的高质量大尺寸LiLnF4（Ln=Y，Gd，Lu)单晶，尺寸约为Φ10×50mm，且在紫外可见光区域透过率可达90%以上。该技术具有操作简单，经济，安全和环境友好等优势。
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公开(公告)号：CN109021247A
公开(公告)日：2018-12-18
申请号：CN201811096138.0
申请日：2018-09-19
Applicant: 福州大学
CPC classification number: C08G83/008 , C09K11/06 , C09K2211/182 , G01N21/643
Abstract: 本发明公开了一种Eu3+离子掺杂的层片状稀土基金属有机框架化合物及其制备方法和应用。其是以含Eu3+的稀土氯化物、三水合醋酸钠和对苯二甲酸为原料，经水热法制备而成。本发明制备工艺简单，所得Eu3+离子掺杂的稀土基金属有机框架化合物具有荧光吸附性能，可制备成荧光探针，用以定性、定量检测水溶液中的铁离子。
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