-
公开(公告)号：CN113675129B
公开(公告)日：2023-07-28
申请号：CN202110840302.X
申请日：2021-07-24
IPC: H01L21/683 , H01L33/00
Abstract: 本发明涉及一种粘附力可调控衬底及其在转移方面的应用，所述粘附力可调控衬底包括衬底和设于衬底上的粘附力可调控层，所述粘附力可调控层用于与Micro LED或Mini LED芯片粘合，所述衬底为可透过紫外光衬底，所述粘附力可调控层主要由与衬底有良好粘附性同时给包结物提供反应位点的聚合物层、包结物层和含有光响应分子的被包结物层组成。在转移Micro LED或Mini LED芯片过程中，用所述粘附力可调控衬底与Micro LED或Mini LED芯片粘合，实现对Micro LED或Mini LED芯片转移。该衬底可以调节Micro LED或Mini LED芯片转移过程中粘附载体对芯片的粘附力，进而提高转移良率和效率。
-
公开(公告)号：CN115171336B
公开(公告)日：2023-07-25
申请号：CN202210681766.5
申请日：2022-06-15
Applicant: 福州大学
Abstract: 本发明公开了一种海滩监控溺水防护系统，该系统包括：固定监控模块和无人机巡航监控模块，用于控制固定的第一摄像机和搭载在无人机上的第二摄像机进行监控；图像采集控制模块，用于响应于第一摄像机和/或第二摄像机的监控画面中的高危区域出现游客，控制第一摄像机和/或第二摄像机以高危区域为中心进行放大，并以预设时间间隔连续采集海滩图片；溺水识别模块，用于识别各张海滩图片中各个位置的环境信息、游客行为以及游客姿势；进而根据环境信息、游客姿势以及游客行为，判断游客是否溺水；告警模块，用于响应于游客溺水，向服务器终端发送告警信息。本发明可以有效提高溺水识别准确率，保障游客生命安全。
-
公开(公告)号：CN116247140A
公开(公告)日：2023-06-09
申请号：CN202211601499.2
申请日：2022-12-12
Applicant: 闽都创新实验室 , 福州大学 , 晋江市博感电子科技有限公司
Abstract: 本发明提供了一种用于车载显示的可实现光束准直的Micro‑LED结构，所述Micro‑LED结构包括衬底、Micro‑LED台面以及光学超构表面结构层；所述Micro‑LED台面由金属反射层、p‑掺杂区、多量子阱层及n‑掺杂区组成；所述光学超构表面结构层为n层的纳米结构阵列，其中n≥1；所述Micro‑LED台面产生光源，所述光学超构表面结构层实现任意波长下Micro‑LED出射光的准直；应用本技术方案可实现任意波长下出射光的准直。
-
公开(公告)号：CN116230820A
公开(公告)日：2023-06-06
申请号：CN202211601498.8
申请日：2022-12-12
Applicant: 闽都创新实验室 , 福州大学 , 晋江市博感电子科技有限公司
Abstract: 本发明提供了一种用于车载显示的宽带方向偏转调控的Micro‑LED结构，所述Micro‑LED结构包括衬底层、Micro‑LED台面、谐振腔和光学超构表面；所述Micro‑LED台面由n‑掺杂区、多量子阱层、p‑掺杂区组成，光学超构表面由n层纳米结构组成，其中n≥1；所述谐振腔实现Micro‑LED的光束准直，所述光学超构表面实现Micro‑LED出射光的方向偏转调控；应用本技术方案可实现对多种波长电磁波的偏转角度独立调控。
-
公开(公告)号：CN116072696A
公开(公告)日：2023-05-05
申请号：CN202310222313.0
申请日：2023-03-09
Applicant: 福州大学
Abstract: 本发明涉及种用于片上光互连的UVPT(MOSFET)‑LED的集成器件，其特征在于，包括第一P型氮化镓层、量子阱层、N型氮化镓层、第二P型氮化镓层、缓冲层、衬底、阳极金属接触层、源极金属接触层、绝缘层、栅极金属接触层；所述N型氮化镓层、第一P型氮化镓层、缓冲层、衬底从上至下依次设置；所述栅极金属接触层嵌设于N型氮化镓层；所述栅极金属接触层一侧设有绝缘层，另一侧设有源极金属接触层；所述绝缘层和有源极金属接触层均设于N型氮化镓层上；所述绝缘层上侧从下至上依次设有量子阱层、第二P型氮化镓层和阳极金属接触层。本发明以绝缘层作为掩膜层，采用选择性生长LED外延层（SEG），简化制备工艺，同时避免ICP干法刻蚀工艺对LED器件表面造成损伤以引起的器件光电性能下降。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111834421B
公开(公告)日：2023-05-05
申请号：CN202010539826.0
申请日：2020-06-12
IPC: H10K59/35 , H01L27/15 , H01L33/06 , H01L33/46 , H10K50/11 , H10K50/805 , H10K71/00 , G09F9/33 , G09G3/32 , G09G3/3208
Abstract: 本发明涉及一种三极管调控型的混合结构全彩化显示器件及其制造方法，该发明第一接触电极和第二、第三接触电极SCE1和SCE2之间分别施加一个小功率可变输入信号，在第一接触电极和第四、第五接触电极TCE1和TCE2之间分别施加一个正向偏置电压，驱动B单元内蓝光发光芯片发出蓝光，R单元内的蓝光发光芯片发出蓝光进而激发红色转换层发出红光，在所述G单元内的阴极和透明阳极之间施加电压，激发出绿光，从而实现全彩化显示；本发明第一、第二三极管对所述输入信号的功率放大，实现用小功率输入信号驱动所述发光芯片发光，还可以有效降低发光器件的驱动电路设计复杂度，提高显示装置的集成度。
-
公开(公告)号：CN115873598A
公开(公告)日：2023-03-31
申请号：CN202211580428.9
申请日：2022-12-10
Applicant: 福州大学
Abstract: 本发明公开了一种具有纳米立方体结构的PN结ZnS/Cu2Se/ZnS量子阱光电材料及其制备方法，在立方形ZnS种子的基础上，通过热注入法和两步法合成ZnS/Cu2Se/ZnS立方体量子阱结构，最终形成的是由ZnS核和外壳包覆Cu2Se中间层的立方体结构。通过制备有机前驱体、热注入法、高温合成与退火、纯化等工艺，制备出立方体结构ZnS/Cu2Se/ZnS量子阱材料。本发明运用热注入法和两步法制备具有立方体结构ZnS/Cu2Se/ZnS量子阱材料，实施简易，便于控制，该材料在能带上具有Ⅰ型结构，所以拥有高的量子效率、良好的光学特性、结构稳定性，在量子点的照明、显示等材料领域有巨大的应用潜力。
-
公开(公告)号：CN115666149A
公开(公告)日：2023-01-31
申请号：CN202211580080.3
申请日：2022-12-10
Applicant: 福州大学
Abstract: 本发明公开了一种基于CdSe/PbS/CdS核壳量子阱发光层的QWLED及其制备方法，由硒化镉为核，以硫化铅为中间层，再以硫化镉为壳的量子阱材料为发光层，制备的包含有机空穴传输层、无机电子传输层、量子阱发光层的LED器件，本发明运用热注入法制备具有一维核壳异质结构CdSe/PbS/CdS量子阱材料，并展示了一种量子阱LED制备方法，核壳量子阱结构新颖，器件结构稳定高效，所制备的量子阱材料具有连续的PN异质结构、高量子效率、良好的光学特性、结构稳定性，所制备的量子阱LED器件具备优异的电致发光效率和外量子效率，在高亮度、长寿命和高分辨率显示技术等领域有巨大的应用潜力。
-
公开(公告)号：CN115332238A
公开(公告)日：2022-11-11
申请号：CN202210965384.5
申请日：2022-08-12
Applicant: 福州大学
Abstract: 本发明提供了一种超高分辨率Micro‑LED显示器件及其金属薄膜键合方法，Micro‑LED显示器件的驱动背板和Micro‑LED芯片阵列采用金属薄膜键合方法进行互联，所述Micro‑LED芯片阵列采用高阻GaN作为隔断和刻蚀保护层；所述Micro‑LED显示器件1个像素对应N个Micro‑LED发光阵列或Nano‑LED发光阵列，N大于或等于1。应用本技术方案可实现简化制备工艺流程，可以减少刻蚀工艺中可能会产生的边缘效应和尺寸效应。
-
公开(公告)号：CN113299228B
公开(公告)日：2022-10-04
申请号：CN202110388578.9
申请日：2021-04-12
Abstract: 本发明涉及一种基于GaN的多功能集成半导体显示器件，所述半导体显示器件包括从上至上依次设置的蓝宝石衬底、半导体缓冲层、第一半导体层和像素单元；所述半导体显示器件每个像素单元均包括LED发光结构、开关驱动元器件、多量子阱光电探测器件、光波导和信号感知传感器。本发明实现用小功率输入信号驱动半导体发光，可以有效降低基于半导体发光显示装置的驱动电路设计复杂度，提高显示装置和功能的集成度。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
470
records
(took 0.033 seconds)
