公开(公告)号：CN102318093A

公开(公告)日：2012-01-11

申请号：CN201080007859.5

申请日：2010-02-10

Applicant: 电气化学工业株式会社

Inventor： 广津留秀树 ,  塚本秀雄 ,  石原庸介

IPC: H01L33/64 ,  B22D18/02 ,  B32B15/04 ,  C04B41/88 ,  C23C30/00

CPC classification number: B22D18/02 ,  B22F3/26 ,  B22F2998/10 ,  C04B41/009 ,  C04B41/52 ,  C04B41/90 ,  C22C26/00 ,  C22C29/06 ,  C22C29/12 ,  C22C29/16 ,  H01L33/641 ,  H01L2924/0002 ,  Y10T428/12007 ,  C04B41/4521 ,  C04B41/4523 ,  C04B41/5155 ,  C04B41/4541 ,  C04B41/5144 ,  C04B41/51 ,  C04B41/522 ,  C04B35/04 ,  C04B38/00 ,  C04B35/565 ,  C04B35/584 ,  C04B35/581 ,  C04B35/52 ,  C04B35/522 ,  C04B35/505 ,  C04B41/00 ,  C23C30/00 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供与构成LED的III-V族半导体晶体的线热膨胀系数差较小且导热性优良，适合作为高功率LED使用的LED发光元件用基板。如下制备LED发光元件用复合材料基板：通过液态模锻法、以30MPa以上的浸渗压力使铝合金或纯铝浸渗多孔体，裁切和/或磨削加工成板厚为0.05-0.5mm、表面粗糙度(Ra)为0.01-0.5μm后，在表面形成含有选自Ni、Co、Pd、Cu、Ag、Au、Pt、Sn中的1种以上的金属的金属层，使得金属层厚度达到0.5-15μm，所述多孔体由选自碳化硅、氮化铝、氮化硅、金刚石、石墨、氧化钇及氧化镁中的1种以上形成，气孔率为10-50体积％，3点弯曲强度为50MPa以上。

公开(公告)号：CN102149493A

公开(公告)日：2011-08-10

申请号：CN200980135968.2

申请日：2009-07-08

Applicant: 电气化学工业株式会社

Inventor： 广津留秀树 ,  塚本秀雄

IPC: B22D19/00 ,  B22D18/02 ,  C22C1/10 ,  H01L23/373

CPC classification number: C22C26/00 ,  B22F3/26 ,  B22F7/04 ,  B22F2998/00 ,  B22F2998/10 ,  C22C2204/00 ,  H01L21/4882 ,  H01L23/3732 ,  H01L23/3735 ,  H01L2924/0002 ,  H01S5/02484 ,  Y10T428/12361 ,  Y10T428/12625 ,  Y10T428/12736 ,  Y10T428/12993 ,  Y10T428/24322 ,  Y10T428/24355 ,  Y10T428/26 ,  C22C1/10 ,  B22F3/11 ,  B22F3/20 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供兼具高导热系数以及接近半导体元件的热膨胀率且改善了表面的镀敷性及表面粗糙度而适用于半导体元件的散热器等的铝-金刚石类复合体。所述铝-金刚石类复合体是含有金刚石粒子和以铝为主要成分的金属的平板状的铝-金刚石类复合体，其特征在于，所述铝-金刚石类复合体包括复合化部及设置在上述复合化部的两面的表面层，上述表面层由含有以铝为主要成分的金属的材料形成，上述金刚石粒子的含量占上述铝-金刚石类复合体整体的40体积％～70体积％。

公开(公告)号：CN101361184B

公开(公告)日：2011-04-13

申请号：CN200680051032.8

申请日：2006-11-13

Applicant: 电气化学工业株式会社

Inventor： 广津留秀树 ,  岩元豪 ,  塚本秀雄 ,  宫井明 ,  佐佐木欣夫

IPC: H01L23/373 ,  C04B35/565 ,  C04B41/88 ,  C22C29/06 ,  H01L23/12

CPC classification number: H01L23/13 ,  C04B35/565 ,  C04B35/71 ,  C04B41/009 ,  C04B41/5155 ,  C04B41/88 ,  C04B2111/00844 ,  C04B2235/3217 ,  C04B2235/3418 ,  C04B2235/402 ,  C04B2235/5436 ,  C04B2235/5472 ,  C04B2235/77 ,  C04B2235/9607 ,  C22C1/0475 ,  C22C1/051 ,  C22C29/065 ,  H01L23/15 ,  H01L23/3731 ,  H01L23/3733 ,  H01L23/3735 ,  H01L2924/0002 ,  Y10T428/12361 ,  Y10T428/12389 ,  Y10T428/12479 ,  Y10T428/12736 ,  Y10T428/12993 ,  Y10T428/2495 ,  Y10T428/24975 ,  Y10T428/249957 ,  Y10T428/249969 ,  Y10T428/249974 ,  C04B41/4521 ,  C04B41/4523 ,  C04B38/00 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供适合作为电源模块用底板的铝-碳化硅复合体。该电源模块用底板是以铝为主要成分的金属浸渗入平板状碳化硅多孔体所形成的铝-碳化硅复合体，其特征在于，仅在一主面具有由以铝为主要成分的金属形成的铝层，在作为另一主面的背面上铝-碳化硅复合体露出，其形状为长方形或在长方形上附加了将外周部的孔部包围的部分而形成的形状。通过在一主面上配置铝层来赋予可镀性，通过磨削加工背面使铝-碳化硅复合体露出来提高平面度，进而通过控制上述铝层的厚度来控制背面磨削加工后的翘曲形状。