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公开(公告)号：CN112397855A
公开(公告)日：2021-02-23
申请号：CN202011200847.6
申请日：2020-11-02
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明提供的基于磁偶极作用的自旋波异或逻辑门结构，属于自旋波逻辑器件技术领域。具体包括Y字形自旋波波导，连接Y字形自旋波波导两个分叉端的相移自旋波波导，和位于相移自旋波波导的侧面的铁磁层；相移自旋波波导独立传播两个自旋波，铁磁层的长宽比为(1～5)：1，铁磁层的长度小于相移自旋波波导的长度，铁磁层与相移自旋波波导的间距为100～200nm，使得相移自旋波波导靠近铁磁层侧的自旋波与远离铁磁侧的自旋波产生大小为π的相位差，进而实现自旋波的异或逻辑门功能，无需电流、电压等外部手段调控。优选地相移自旋波波导包括自旋波以边缘模式传播的第一自旋波波导，可简化器件结构，利于器件的小型化。
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公开(公告)号：CN112086282A
公开(公告)日：2020-12-15
申请号：CN202010731103.0
申请日：2020-07-27
Applicant: 电子科技大学 , 厦门云天半导体科技有限公司
Abstract: 一种带磁芯的微型化三维电感的制作方法和结构，包括如下步骤：1)在磁性衬底上制作至少一微槽结构；2)在隐性框架衬底上制作若干通孔，并往通孔内填充金属材料；3)对隐性框架衬底进行切割构成若干具有的金属材料的隐性框架，将隐性框架嵌入微槽结构内并固定；4)在磁性衬底的正面和背面分别制作第一平面互联结构和第二平面互联结构，该第一平面互联结构和第二平面互联结构分别与隐性框架的金属材料电性连接构成至少一电感绕组。本发明实现了高容量的小型化电感器件。
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公开(公告)号：CN111682104A
公开(公告)日：2020-09-18
申请号：CN202010487634.X
申请日：2020-06-02
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 一种基于平面工艺的异质结三维磁场测量霍尔传感器，属于磁测量领域。所述霍尔传感器包括衬底，以及形成于衬底之上、位于中心的正方体结构的中心电极，形成于衬底之上、与中心电极的四个侧面紧密接触的四个相同的十字形磁感应区域，所述十字形磁感应区域包括自下而上依次设置的沟道层、隔离层、帽层和钝化层，隔离层中设置δ掺杂层；十字形磁感应区域中，远离中心电极的末端设置接地电极，接地电极完全覆盖末端表面，两臂的末端设置测量电极，测量电极完全覆盖末端表面。本发明霍尔传感器在不添加其他有源层、仅采用异质结形成一层磁感应区域的前提下，成功实现了X、Y、Z三个方向的磁场感应，并且具有较高的灵敏度。
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公开(公告)号：CN111121835A
公开(公告)日：2020-05-08
申请号：CN201911147559.6
申请日：2019-11-21
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明涉及一种热释电/光电双功能集成传感器件。该传感器件为预极化半导体薄膜的热释电/光电双功能集成传感器件，由光电传感阵列和导电接线金属薄膜层组成，该光电传感阵列由光电传感单元以并联的形式组成，该光电传感单元由铁电性半导体薄膜层和透明导电薄膜层以面外异质结的形式组成，该铁电性半导体薄膜层是含有氧空位的多晶型薄膜层，该透明导电薄膜层是具有高功函数的金属薄膜层。该集成传感器件不仅可以通过调整退极化场的强度和方向来进行控制，还可以通过热释电效应的电势来进行调节。
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公开(公告)号：CN107119261B
公开(公告)日：2019-02-05
申请号：CN201710321593.5
申请日：2017-05-09
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 一种巨自旋霍尔效应合金薄膜材料，包括铁磁性基片，所述铁磁性基片采用钇铁石榴石材质基片或镍铁材质基片；以及铋铂合金薄膜，所述铋铂合金薄膜使用铂金靶材上贴高纯铋金属薄片或者铋铂BixPt100‑x靶材的方式控制铋的含量在2％‑20％之间、采用真空磁控溅射生长于所述铁磁性基片表面而得到的纳米级厚度的铋铂合金薄膜。本发明同时涉及该合金薄膜材料的制备方法和用途。本发明自旋流的产生效率增加了，同时降低了材料成本。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105463379B
公开(公告)日：2018-05-15
申请号：CN201510836860.3
申请日：2015-11-25
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明提供一种CsI:Tl闪烁薄膜直接集成可见光探测器的方法，在可见光探测器件的硅表面上直接制备连续的CsI:Tl薄膜闪烁屏，包括以下步骤：保护可见光探测器件、清洗可见光探测器件表面、利用真空热蒸镀方式在可见光探测器的硅感光表面上制备CsI:Tl薄膜闪烁屏、先在真空环境中静置后再存储于热风循环干燥箱内；本发明制备工艺简单、费用低廉，无需利用粘合剂粘合或透镜耦合等手段耦合闪烁薄膜和可见光探测器，直接在可见光探测器的硅感光表面制备CsI:Tl闪烁薄膜，不仅可以避免以上耦合手段带来的转换荧光的损耗，提高光产额，还减小了探测器设备的体积，对集成化X射线成像探测器的开发具有重要意义。
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公开(公告)号：CN106809882B
公开(公告)日：2018-02-13
申请号：CN201710211994.5
申请日：2017-04-01
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明属于金属氧化物纳米材料技术领域，具体为一种四氧化三铁纳米材料及其制备方法。本发明先采用阳极氧化的方法制备无定型态氧化铁先驱物，再通过水合联氨与纯水的混合溶液在低温下催化反应，使无定型态氧化铁转化为四氧化三铁，制得表面沟壑状的片状六边形四氧化三铁纳米材料。本发明制得的四氧化三铁纳米材料具备表面沟壑状片状六边形形貌，同时具备良好晶体学特性和粗糙的表面形貌。将会使其在光催化和太阳能光伏器件等领域具有广泛的应用前景。本发明采用纯水低温浸泡，具有生产效率高、合成成本低、工艺要求简单等优点。
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公开(公告)号：CN105140175B
公开(公告)日：2017-12-15
申请号：CN201510447585.6
申请日：2015-07-27
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L21/768 , H01L21/027
Abstract: 一种集成螺线管型微电感绕组线圈的通孔刻蚀方法，属于集成电路工艺领域。本发明采用厚度大于绝缘介质层的厚光刻胶作为刻蚀掩膜，对绝缘介质层进行刻蚀，充分利用氧气等离子体对光刻胶的去除作用，在刻蚀过程中使光刻胶在厚度方向逐步形成倾斜侧面，并在刻蚀过程中将该倾斜侧面形状传递给绝缘介质层，形成侧面倾斜的通孔，最后再进行通孔内的铜和上层线圈的电镀。本发明简化了工艺步骤，解决了通孔与上线圈接触区截面积小的问题，得到的通孔和上层线圈有良好的接触，不用增加上层线圈的厚度就能制备得到性能优良的微电感。
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公开(公告)号：CN106887484A
公开(公告)日：2017-06-23
申请号：CN201710237269.5
申请日：2017-04-12
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L31/101 , H01L31/0352 , H01L31/032 , H01L31/18
CPC classification number: H01L31/101 , H01L31/032 , H01L31/035227 , H01L31/18
Abstract: 本发明提供了一种铋金属纳米柱/石墨烯异质结高灵敏度光电探测器，采用分子束外延技术，运用固液气过程，在硅基片上以锡诱导生长铋纳米柱，然后转移单层石墨烯并且经过光刻，镀电极得到所述光电探测器。经测试知暗电流很小，在模拟太阳光光照下光电流强度高；且具有制备工艺简单、超薄、易于大面积集成等优点，在射线测量和探测、工业自动控制、光度量计等领域有着广泛的应用前景。
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公开(公告)号：CN106809882A
公开(公告)日：2017-06-09
申请号：CN201710211994.5
申请日：2017-04-01
Applicant: 电子科技大学
CPC classification number: C01G49/08 , B82Y40/00 , C01P2002/72 , C01P2004/03 , C01P2004/04 , C30B7/12 , C30B29/16 , C30B29/60
Abstract: 本发明属于金属氧化物纳米材料技术领域，具体为一种四氧化三铁纳米材料及其制备方法。本发明先采用阳极氧化的方法制备无定型态氧化铁先驱物，再通过水合联氨与纯水的混合溶液在低温下催化反应，使无定型态氧化铁转化为四氧化三铁，制得表面沟壑状的片状六边形四氧化三铁纳米材料。本发明制得的四氧化三铁纳米材料具备表面沟壑状片状六边形形貌，同时具备良好晶体学特性和粗糙的表面形貌。将会使其在光催化和太阳能光伏器件等领域具有广泛的应用前景。本发明采用纯水低温浸泡，具有生产效率高、合成成本低、工艺要求简单等优点。
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