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公开(公告)号：CN109490820B
公开(公告)日：2021-04-27
申请号：CN201811347947.4
申请日：2018-11-13
Applicant: 电子科技大学
IPC: G01S3/14
Abstract: 本发明提出一种基于平行嵌套阵的二维DOA估计方法，包括以下步骤：计算第一子阵虚拟优化阵接收信号的自相关矩阵和第二子阵虚拟优化阵接收信号的自相关矩阵；计算所述第一子阵虚拟优化阵接收信号与所述第二子阵虚拟优化阵接收信号的互相关矩阵以及第二子阵虚拟优化阵与第一子阵虚拟优化阵的互相关矩阵；计算平行嵌套阵虚拟优化阵接收信号的自相关矩阵；计算入射信号cosα的估计值；计算cosβ的估计值；计算第K个信号的方位角的估计值和俯仰角的估计值。本发明使用稀疏阵的所有虚拟阵元来进行估计，突破了可估计信号数不能超过子阵数的限制。
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公开(公告)号：CN110660446A
公开(公告)日：2020-01-07
申请号：CN201910850863.0
申请日：2019-09-10
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明属于信息安全技术领域，涉及非易失性存储器的安全存储，具体涉及一种评估单片机中非易失性存储器数据残留的装置。本发明先通过SEM断面扫描的方获取了待测非易失性存储器的物理结构和使用材料，根据扫描得到的物理结构参数和使用材料对应的半导体特性参数，仿真得到浮栅电荷Q与阈值电压Vth的关系；然后通过芯片复位中断，并用掉电法获取阈值电压，获得在单片机中非易失性存储单元擦写过程中，阈值电压随时间的变化关系；最后利用之前获取的擦写过程中阈值电压随时间的变化关系，使用电荷注入和掉电的方法，结合浮栅电荷Q与阈值电压Vth的关系，获得一条浮栅上注入电荷与残留电荷之和Q0+Qr与擦除次数N的关系曲线。
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公开(公告)号：CN110596174A
公开(公告)日：2019-12-20
申请号：CN201910831127.0
申请日：2019-09-04
Applicant: 电子科技大学
IPC: G01N23/2273 , G01N23/2202
Abstract: 本发明属于材料测试技术领域，具体涉及了一种用于评估高反射率膜损耗稳定性的X射线辐照测试方法。本发明利用X射线的电荷积累效应，模拟高反膜因荷电积累的失效过程：采用的X射线源对高反膜表面进行荷电处理，在累积的处理过程中；同时利用光电子能谱仪原位监测高反膜表面化学态的变化，间断的进行XPS分析，检测高反膜表面的各元素的化学态变化。通过对随机选取的失效组样品和非失效组样品进行统计分析，并引入α和β参数描述O1s峰的对称性，只用到了两个拟合参数，就可以评估辐照荷电老化时的损耗变化，便于工程实际应用，是一种方便、快捷的判别方法。特别适合用于膜层材料工艺实验的快速优化、工艺监控等环节。
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公开(公告)号：CN110110467A
公开(公告)日：2019-08-09
申请号：CN201910409678.8
申请日：2019-05-17
Applicant: 电子科技大学
IPC: G06F17/50
Abstract: 本发明公开了一种基于非线性规划的纯电动汽车车架轻量化方法，包括以下步骤：S1、建立车架的有限元模型；S2、确定优化的目标函数和设计变量，借助Hypermesh软件求出目标函数的数学表达式；S3、确定优化的约束条件，对各约束响应进行样本数据的采集；S4、对样本数据进行处理，利用二阶响应面模型对各个约束响应进行函数拟合，求出各个约束的近似代理模型；S5、利用各个约束的代理模型和目标函数的数学表达式构造非线性规划模型，求解该优化模型。本发明采用非线性规划模型，利用Lingo软件进行求解优化，使用了极短的时间就能求出最优解，极大的提高了优化效率。该优化方法具有原理简单、求解速率高、优化精度高等特点。
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公开(公告)号：CN108918353A
公开(公告)日：2018-11-30
申请号：CN201810481168.7
申请日：2018-05-18
Applicant: 电子科技大学
IPC: G01N15/00
Abstract: 本发明提供一种大气环境中微粒物质定性检测的方法，属于传感器检测技术领域。根据吸附在SAW器件表面的待测物质升温过程由于熔化时SAW质量敏感效应和温度敏感效应相互叠加会产生特征信号，提供观察声表面波器件的频率随温度的变化曲线识别微粒的物质种类。本发明开拓性实现了单独使用一个传感器就能够从混合组份中获取待测物质的种类，无需构建传感器阵列，也无需与色谱等分离手段联用，极大地简化了检测装置。本发明系统成本低、长期稳定性高、操作简易，有利于实用化。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104277119A
公开(公告)日：2015-01-14
申请号：CN201410492340.0
申请日：2014-09-23
Applicant: 电子科技大学
IPC: C07K19/00 , C12N15/62 , C12N15/12 , C12N15/81 , C12N1/19 , C07K16/18 , A61K38/17 , A61P29/00 , C12R1/84
Abstract: 本发明公开了一种重组草鱼IL-1β拮抗蛋白及相关技术。针对现有技术尚未公开过具有拮抗草鱼白细胞介素1β活性的功能蛋白的相关技术，本发明首先提供了一种重组草鱼IL-1β拮抗蛋白。该重组蛋白来自于通过构建表达重组草鱼IL-1β拮抗蛋白成熟肽的表达质粒并将其转入毕赤酵母菌中，筛选出可稳定表达草鱼IL-1β拮抗蛋白的转化子，并通过诱导表达以及亲和层析和分子筛层析得到。试验证明该重组蛋白是草鱼IL-1β活性抑制蛋白。本发明还提供了编码上述重组蛋白的基因，编码草鱼IL-1β拮抗蛋白的基因全序列，编码草鱼IL-1β拮抗蛋白成熟肽的基因。本发明还公开了重组草鱼IL-1β拮抗蛋白的制备方法，同时也提供了该重组蛋白在鱼类抗炎药物、免疫检测中的应用及对应产品。
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公开(公告)号：CN110660446B
公开(公告)日：2021-03-30
申请号：CN201910850863.0
申请日：2019-09-10
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明属于信息安全技术领域，涉及非易失性存储器的安全存储，具体涉及一种评估单片机中非易失性存储器数据残留的装置。本发明先通过SEM断面扫描的方获取了待测非易失性存储器的物理结构和使用材料，根据扫描得到的物理结构参数和使用材料对应的半导体特性参数，仿真得到浮栅电荷Q与阈值电压Vth的关系；然后通过芯片复位中断，并用掉电法获取阈值电压，获得在单片机中非易失性存储单元擦写过程中，阈值电压随时间的变化关系；最后利用之前获取的擦写过程中阈值电压随时间的变化关系，使用电荷注入和掉电的方法，结合浮栅电荷Q与阈值电压Vth的关系，获得一条浮栅上注入电荷与残留电荷之和Q0+Qr与擦除次数N的关系曲线。
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公开(公告)号：CN108918353B
公开(公告)日：2020-06-30
申请号：CN201810481168.7
申请日：2018-05-18
Applicant: 电子科技大学
IPC: G01N15/00
Abstract: 本发明提供一种大气环境中微粒物质定性检测的方法，属于传感器检测技术领域。根据吸附在SAW器件表面的待测物质升温过程由于熔化时SAW质量敏感效应和温度敏感效应相互叠加会产生特征信号，提供观察声表面波器件的频率随温度的变化曲线识别微粒的物质种类。本发明开拓性实现了单独使用一个传感器就能够从混合组份中获取待测物质的种类，无需构建传感器阵列，也无需与色谱等分离手段联用，极大地简化了检测装置。本发明系统成本低、长期稳定性高、操作简易，有利于实用化。
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公开(公告)号：CN109581276A
公开(公告)日：2019-04-05
申请号：CN201811419344.0
申请日：2018-11-26
Applicant: 电子科技大学
IPC: G01S3/14
Abstract: 本发明提出一种基于求和求差嵌套阵的DOA估计方法，该方法包括以下步骤：计算得到求和求差嵌套阵接收信号矢量；根据所述求和求差嵌套阵接收信号矢量构建三个二阶统计量；根据三个二阶统计量得到求和求差增广协方差矩阵；根据所述求和求差增广协方差矩阵求得求和求差优化阵的虚拟接收信号；根据所述求和求差优化阵的虚拟接收信号得到入射信号的DOA估计值。本发明使用稀疏阵的求和求差优化阵来进行估计，突破了可估计信号数不能超过子阵数的限制；提出的求和求差嵌套阵充分发挥了阵列求和求差的优势，最大化了虚拟求和求差优化阵的连续阵元，冗余的虚拟阵元较少，自由度更大，估计性能更好，同时阵列孔径更大，分辨率更高。
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公开(公告)号：CN109490820A
公开(公告)日：2019-03-19
申请号：CN201811347947.4
申请日：2018-11-13
Applicant: 电子科技大学
IPC: G01S3/14
Abstract: 本发明提出一种基于平行嵌套阵的二维DOA估计方法，包括以下步骤：计算第一子阵虚拟优化阵接收信号的自相关矩阵和第二子阵虚拟优化阵接收信号的自相关矩阵；计算所述第一子阵虚拟优化阵接收信号与所述第二子阵虚拟优化阵接收信号的互相关矩阵以及第二子阵虚拟优化阵与第一子阵虚拟优化阵的互相关矩阵；计算平行嵌套阵虚拟优化阵接收信号的自相关矩阵；计算入射信号cosα的估计值 ；计算cosβ的估计值 ；计算第K个信号的方位角的估计值 和俯仰角的估计值。本发明使用稀疏阵的所有虚拟阵元来进行估计，突破了可估计信号数不能超过子阵数的限制。
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