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公开(公告)号：CN111293221A
公开(公告)日：2020-06-16
申请号：CN202010270967.7
申请日：2020-04-08
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明公开了一种高性能忆阻器的制备方法，包括以下步骤：在低阻硅上组装单层胶体微球阵列，得到样片；对样片进行干法刻蚀，胶体微球阵列下方的低阻硅出现锥状柱，待胶体微球阵列减小到某一尺寸或刻蚀殆尽后时停止刻蚀；在样片上制备绝缘层，并在绝缘层上制备金属层；从底层低阻硅层和顶层金属层分别引出电极。本发明以胶体微球阵列作为掩膜版采用干法刻蚀，直接在精密抛光的低阻硅表面制备具有斜坡的三维锥状柱阵列，相比湿法刻蚀，更能保证三维图案表面的粗糙度小、图案均一性好、阵列在空间平行性高。
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公开(公告)号：CN103011813B
公开(公告)日：2014-07-16
申请号：CN201310003133.X
申请日：2013-01-06
Applicant: 电子科技大学
IPC: C04B35/495 , C04B35/624
Abstract: 本发明公开了一种溶胶凝胶法制备高浓度钽酸锂薄膜的方法，其步骤如下：（1）将无水乙酸锂溶于高溶解度的溶剂中，加热并磁力搅拌至乙酸锂完全溶解；（2）在大气环境中，按Li+与Ta5+的摩尔比准确加入乙醇钽，磁力搅拌至前驱体充分反应，得到棕黄色透明胶体；（3）采用旋涂法制备湿膜；（4）在大气通氧气氛下热处理使薄膜干燥并结晶；（5）重复（3）和（4）至得到所需厚度的钽酸锂结晶薄膜。本方法克服了目前溶胶凝胶法制备钽酸锂薄膜时需要惰性气体保护、绝对干燥等严苛的实验要求，解决了前驱体浓度过低的问题，大大降低旋涂与热处理次数，可制备均匀、平整、致密、热释电性能良好的钽酸锂纳米结晶薄膜。
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公开(公告)号：CN102244684A
公开(公告)日：2011-11-16
申请号：CN201110215348.9
申请日：2011-07-29
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种基于USBKEY的EFI可信云链引导方法，通过将可信根设置在硬件中，使得在硬件中存储有用户的私钥和数字证书，而这个硬件可信根完全由用户保管，这样就从根本上解决了安全问题。本发明提出了一套自应用程序到系统硬件可信云链建立的完整解决方案，实现从计算机加电开始到最终应用程序启动的一条完整的全程可信监控链，解决了EFI的安全性差的问题，保证了云平台的可信。通过硬件信息以及OS的完整性保证虚拟机的可靠安全运行，实现了基于云计算虚拟化的可信链路。
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公开(公告)号：CN120018099A
公开(公告)日：2025-05-16
申请号：CN202510043291.0
申请日：2025-01-10
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H04W4/90 , H04B10/032 , H04B11/00
Abstract: 本发明提供了一种适用弱通信场景的声光应急通信装置及设备，该装置和设备提出了声光通信全模块化硬件设计，具有声光信号处理集成设计、声通感算力分离设计及传感模组高可变性等特征。本发明的硬件设计有效了降低模块需求尺寸，和对单芯片的算力要求，且具有快速定制化及多场景适配能力。本发明的声感知模块采用低能耗事件的驱动感知算法和适配可变传感模组的光链路质量的预测算法。驱动感知算法通过声信号感知算法与传感信号结合，能够灵活休眠及突发环境快速评估，能够在低算力平台使用，且有效降低能量消耗。预测算法结合声感知信息和环境信息，使用模糊逻辑实现多种场景的多样输入兼容，抽象多种环境信息及传感器数据，具有多场景适用性和高准确性。
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公开(公告)号：CN107167779B
公开(公告)日：2019-11-26
申请号：CN201710340279.1
申请日：2017-05-15
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: G01S7/40
Abstract: 本发明公开了一种基于LabVIEW的光波导相控阵扫描电压校准系统，主要解决现有技术由于光波导相控阵器件不理想造成手动调整电压过于繁琐的问题。整个系统包括激光光源、光耦合系统、光波导阵列芯片、主控计算机、相控阵电源，激光光源通过光耦合系统将光束耦合进光波导阵列芯片，使光束在远场相干叠加成远场光斑；主控计算机控制相控阵电源将其发出的控制指令转化为控制电压，加载在光波导阵列芯片的电极端，通过主控计算机中设有的电源控制模块、图像采集及处理模块和数据处理模块反馈循环控制，实现对光波导阵列芯片各个扫描角度电压的校准。本发明便于操作，极大地减少了电压校准所需要的时间，可用于激光通信，激光雷达及激光显示。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108281554A
公开(公告)日：2018-07-13
申请号：CN201810079091.0
申请日：2018-01-26
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明涉及光电探测器技术领域，具体涉及一种量子点结构光电探测器的制备方法，具有一覆盖有介质层的高掺杂衬底，包括以下步骤：在介质层上形成二维材料层；在二维材料层的表面涂覆量子点材料层溶液，形成量子点材料层；在量子点材料层上制作一层图形化的透明导电膜，完成器件制备。一种电压辅助的量子点结构光电探测器，从下到上依次包括高掺杂衬底、介质层、二维材料层、量子点材料层及透明导电膜，二维材料层上形成源电极和漏电极；二维材料层与量子点材料层接触形成内建电场；透明导电膜与高掺杂衬底之间施加一个与内建电场方向一致的可调的调制电压。本发明可以提高器件的响应速度和光电流增益，使器件性能得到显著提升。
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公开(公告)号：CN107167779A
公开(公告)日：2017-09-15
申请号：CN201710340279.1
申请日：2017-05-15
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: G01S7/40
Abstract: 本发明公开了一种基于LabVIEW的光波导相控阵扫描电压校准系统，主要解决现有技术由于光波导相控阵器件不理想造成手动调整电压过于繁琐的问题。整个系统包括激光光源、光耦合系统、光波导阵列芯片、主控计算机、相控阵电源，激光光源通过光耦合系统将光束耦合进光波导阵列芯片，使光束在远场相干叠加成远场光斑；主控计算机控制相控阵电源将其发出的控制指令转化为控制电压，加载在光波导阵列芯片的电极端，通过主控计算机中设有的电源控制模块、图像采集及处理模块和数据处理模块反馈循环控制，实现对光波导阵列芯片各个扫描角度电压的校准。本发明便于操作，极大地减少了电压校准所需要的时间，可用于激光通信，激光雷达及激光显示。
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公开(公告)号：CN102998725A
公开(公告)日：2013-03-27
申请号：CN201210529823.4
申请日：2012-12-11
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种用于吸收太赫兹辐射的粗糙黑化金属薄膜及其制备方法，该超薄金属膜被所述金属活性刻蚀剂的氟基等离子体轰击处理，氟基等离子体的物理轰击使金属薄膜表面粗糙化。同时，通过调节刻蚀时氟离子能量与浓度，使大量氟离子吸附到金属薄膜粗糙表面并在表面扩散与反应，获得表面富集氟离子的金属薄膜。刻蚀后氟离子在粗糙的金属薄膜表面生成大量结晶缺陷，使金属薄膜表面黑化。粗糙黑化的金属薄膜表面结构具有高表体比、低反射率的特点，有效增强太赫兹辐射的吸收性能和效率，且制备工艺简单，与MEMS工艺兼容，可广泛应用于太赫兹探测与成像领域。
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公开(公告)号：CN115800222A
公开(公告)日：2023-03-14
申请号：CN202211621637.3
申请日：2022-12-16
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种基于压控可变电阻的输入输出端口ESD保护电路，包括二极管Dp1、二极管Dn1、二极管Dp2、二极管Dn2、晶体管Mp2、晶体管Mn2、可变电阻Rv1和可变电阻Rv2，所述可变电阻Rv1的一端连接输入信号VIN、二极管Dp1的阳极和二极管Dn1的阴极，可变电阻Rv2的一端连接输出信号VOUT、晶体管Mp2的漏极和晶体管Mn2的漏极，本发明采用压控可变电阻替代传统方案的固定电阻。当ESD冲击到来时，隔离电阻受到检测电路的控制，增大电阻值；当电路正常工作时(正常传输信号时)，隔离电阻值减小，避免对信号完整性造成影响。本发明中，压控可变电阻与电源钳位结构可共用检测电路的控制信号，ESD冲击来临时，同时触发压控可变电阻和电源钳位结构，形成快速泄放电流的通路。
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公开(公告)号：CN102998725B
公开(公告)日：2014-11-19
申请号：CN201210529823.4
申请日：2012-12-11
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种用于吸收太赫兹辐射的粗糙黑化金属薄膜及其制备方法，该超薄金属膜被所述金属活性刻蚀剂的氟基等离子体轰击处理，氟基等离子体的物理轰击使金属薄膜表面粗糙化。同时，通过调节刻蚀时氟离子能量与浓度，使大量氟离子吸附到金属薄膜粗糙表面并在表面扩散与反应，获得表面富集氟离子的金属薄膜。刻蚀后氟离子在粗糙的金属薄膜表面生成大量结晶缺陷，使金属薄膜表面黑化。粗糙黑化的金属薄膜表面结构具有高表体比、低反射率的特点，有效增强太赫兹辐射的吸收性能和效率，且制备工艺简单，与MEMS工艺兼容，可广泛应用于太赫兹探测与成像领域。
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