公开(公告)号：CN119805534A

公开(公告)日：2025-04-11

申请号：CN202510141922.2

申请日：2025-02-09

Applicant: 中国电子科技集团公司第二十四研究所 ,  电子科技大学

Inventor： 陈相洪 ,  刘子骥 ,  黄晓宗 ,  曾涛 ,  史凡萍 ,  李成世

IPC: G01T1/29 ,  G01T7/00 ,  A61B6/03

Abstract: 本发明涉及正电子发射断层成像技术领域，具体涉及一种PET探测器成像系统及其应用，系统包括屏蔽罩、闪烁晶体LYSO阵列、硅光电倍增管SiPM阵列、PET电路阵列、FPGA主控板、电平转换模块、Cameralink协议转换模块、PC上位机。本发明搭建了一种大规模PET探测器成像系统的模型，采用高精度多通道的PET电路作为成像系统的核心部件，PET探测器(屏蔽罩+闪烁晶体LYSO阵列+硅光电倍增管SiPM阵列)模块化，采用脉冲时间窗口符合条件探测技术对发生湮灭的准确位置进行编码，并对采集的能量信息进行Cameralink协议转换和传输，本发明成像系统具有规模可扩展，完全国产化、高灵敏度的特点，能够有效的应用于在核医学领域环型PET探测器中，为大型医疗诊断成像技术提供了又一种实施方法和路径。

公开(公告)号：CN114094557A

公开(公告)日：2022-02-25

申请号：CN202111333469.3

申请日：2021-11-11

Applicant: 电子科技大学广东电子信息工程研究院

Inventor： 刘志伟 ,  黄晓宗 ,  刘继芝 ,  郑义

IPC: H02H9/02

Abstract: 本发明公开了一种基于扩散电阻的输入信号端口的ESD保护电路，包括扩散电阻RP和RN，本发明采用带有偏置的扩散电阻替代传统方案的固定电阻。当扩散电阻进行特定的偏置时，会形成对VDD和VSS的寄生二极管。当ESD冲击到来时，寄生的二极管形成对VDD和VSS的泄放通路，扩散电阻并联形成ESD的二级保护结构。本发明中，扩散电阻须选用N型和P型两种并联，并施加相应的偏置。因为扩散电阻寄生的二极管实现了对VDD和VSS的泄放通路，减少了元器件的使用，可以节省芯片面积。

公开(公告)号：CN115800222A

公开(公告)日：2023-03-14

申请号：CN202211621637.3

申请日：2022-12-16

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 黄晓宗 ,  刘志伟 ,  罗讯 ,  杨明 ,  刘继芝

IPC: H02H9/00 ,  H02H9/02

Abstract: 本发明公开了一种基于压控可变电阻的输入输出端口ESD保护电路，包括二极管Dp1、二极管Dn1、二极管Dp2、二极管Dn2、晶体管Mp2、晶体管Mn2、可变电阻Rv1和可变电阻Rv2，所述可变电阻Rv1的一端连接输入信号VIN、二极管Dp1的阳极和二极管Dn1的阴极，可变电阻Rv2的一端连接输出信号VOUT、晶体管Mp2的漏极和晶体管Mn2的漏极，本发明采用压控可变电阻替代传统方案的固定电阻。当ESD冲击到来时，隔离电阻受到检测电路的控制，增大电阻值；当电路正常工作时(正常传输信号时)，隔离电阻值减小，避免对信号完整性造成影响。本发明中，压控可变电阻与电源钳位结构可共用检测电路的控制信号，ESD冲击来临时，同时触发压控可变电阻和电源钳位结构，形成快速泄放电流的通路。

公开(公告)号：CN119867795A

公开(公告)日：2025-04-25

申请号：CN202510081466.7

申请日：2025-01-20

Applicant: 中国电子科技集团公司第二十四研究所 ,  电子科技大学

Inventor： 陈相洪 ,  黄晓宗 ,  刘子骥 ,  曾涛 ,  杨月 ,  史凡萍

IPC: A61B6/03 ,  A61B6/42 ,  A61B6/00 ,  G06F13/38 ,  G06F17/10

Abstract: 本发明涉及正电子发射断层成像技术领域，具体涉及一种多通道高精度PET电路采集系统及其使用方法，系统包括：FPGA控制板，用于根据从上位机接收的DAC偏压值来控制偏压程控输出电压值、控制电流程控输出电压值和电流值，电压电流控制精度分别达到uV和uA级，并将从上位机接收的DUT板配置信息发送给DUT板；DUT板，包括多通道高精度PET电路，每个电路根据从上位机接收的DUT板配置信息进行SPI协议配置，采用16通道对PET探测器输出的时间电信号信息进行采集、采用64通道对PET探测器输出的能量电信号信息进行采集。本发明中多通道高精度PET电路采集软件和控制系统的硬件可移植，上位机软件程序可编程，操作简便。