公开(公告)号：CN109856821B

公开(公告)日：2023-03-24

申请号：CN201910240257.7

申请日：2019-03-27

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 金立川 ,  王宇 ,  张岱南 ,  张怀武 ,  钟智勇 ,  文岐业

IPC: G02F1/01 ,  G02F1/17

Abstract: 一种基于柔性铋纳米柱/石墨烯的太赫兹波调制器及制备方法，属于太赫兹波应用技术领域。所述太赫兹波调制器自下而上依次为柔性基底、铋纳米柱、石墨烯薄膜，位于铋纳米柱之上的石墨烯薄膜因为铋纳米柱的结构作用发生褶皱，从而打开石墨烯能带，通过铋纳米柱与石墨烯两者的共同作用，在红外光激励下实现了对太赫兹波的光学调制。本发明太赫兹波调制器中，采用“PDMS/铋纳米柱/石墨烯薄膜”结构，与现有硅基器件相比，其太赫兹波透射率可达90％(硅基器件太赫兹波透射率约为60％左右)；该结构可打开石墨烯能带，大幅提高光吸收系数；通过铋纳米柱和打开能带的石墨烯共同作用，可在太赫兹波透射率较高的情况下达到20％左右的调制深度。

公开(公告)号：CN110473935A

公开(公告)日：2019-11-19

申请号：CN201910638572.5

申请日：2019-07-16

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 金立川 ,  张磊 ,  贾侃成 ,  张怀武 ,  张岱南 ,  魏苗清 ,  文岐业

IPC: H01L31/112 ,  H01L31/18

Abstract: 一种基于碲化铋-石墨烯异质结的太赫兹波探测器及其制备方法，属于太赫兹波探测器件技术领域。所述探测器包括半导体衬底，形成于半导体衬底之上的绝缘层，形成于绝缘层之上的由石墨烯和碲化铋层组成的异质结，位于异质结两端的源极和漏极，以及形成于半导体衬底背面的栅极。本发明采用石墨烯和碲化铋纳米片组成的异质结作为场效应管沟道，有效解决了单层石墨烯在太赫兹频段光吸收率低的问题，吸收率相较于单层石墨烯提高了20％以上；采用背栅以及先形成源极和漏极的方法，有效保证了石墨烯-碲化铋异质结的完整性，提高了太赫兹探测器的性能。

公开(公告)号：CN107192989B

公开(公告)日：2019-09-10

申请号：CN201710443474.7

申请日：2017-06-13

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 张怀武 ,  江超 ,  饶毅恒 ,  金立川 ,  杨青慧 ,  钟智勇 ,  白飞明 ,  文岐业 ,  李明明 ,  洪彩云

IPC: G01S7/285 ,  G01S7/35

Abstract: 本发明涉及微波射频技术领域，提供一种微波射频接收机,包括接收天线、微波放大电路、逆自旋霍尔异质结构检波器件、电控电磁铁、微伏电压放大电路及采样电路；微波放大电路对射频微波频段电磁波信号进行增益放大；电控电磁铁设置在可控电流控制电路中，电控电磁铁提供偏置磁场；逆自旋霍尔异质结构检波器件利用电控电磁铁提供的偏置磁场进行磁场选频，并对微波放大电路输出的微波信号进行处理；微伏电压放大电路对逆自旋霍尔异质结构检波器件产生的电压进行信号放大处理；采样电路对微伏电压放大电路输出的电压信号进行采样处理，该微波射频接收机结构简单，体积较小，不存在镜频干扰的问题，可以实现快速宽带扫描。

公开(公告)号：CN105892103B

公开(公告)日：2019-05-14

申请号：CN201610223600.3

申请日：2016-04-12

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 文岐业 ,  沈雁飞 ,  刘朝阳 ,  李加洋 ,  殷亮 ,  刘洋 ,  涂翔宇 ,  文天龙 ,  陈智 ,  杨青慧 ,  张怀武

IPC: G02F1/015 ,  H01L29/78 ,  H01L29/16 ,  H01L21/762

Abstract: 本发明属于太赫兹功能器件技术领域，提供一种SOI衬底石墨烯晶体管太赫兹波双频点选频调制器及其制备方法。该SOI衬底石墨烯晶体管太赫兹波双频点选频调制器，包括衬底，衬底上表面依次设置的Al2O3栅介质层、石墨烯薄膜，以及源电极、漏电极‑双频点超材料结构谐振单元组、栅电极；所述衬底为SOI衬底；所述源电极、漏电极‑双频点超材料结构谐振单元组设置于石墨烯导电薄膜上，漏电极‑双频点超材料结构谐振单元组用于实现双频点调制；所述栅电极为环形栅电极、设置于衬底上表面。本发明SOI衬底石墨烯晶体管太赫兹波双频点选频调制器能够有效降低调制器损耗，减小调制器工作电压，并且可实现调制器双频点的选频应用。

公开(公告)号：CN105824138B

公开(公告)日：2019-02-15

申请号：CN201610228317.X

申请日：2016-04-13

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 文岐业 ,  李加洋 ,  沈雁飞 ,  陈智 ,  杨青慧 ,  张怀武 ,  殷亮 ,  刘朝阳

IPC: G02F1/01

Abstract: 本发明属于太赫兹波应用技术领域，提供一种基于石墨烯/掺杂硅复合双层结构的光控太赫兹调制器，用以同时获得大的调制速率和调制深度；该光控太赫兹波调制器，包括从下往上依次设置的衬底1、绝缘层2、金属掺杂Si半导体层3、石墨烯薄膜4以及泵浦激光束5；其特征在于，所述金属掺杂Si半导体层3与所述石墨烯薄膜4组成石墨烯/掺杂Si复合双层结构。本发明光控太赫兹波调制器具有高速、宽带、大幅度调制以及室温工作的特点，能够工作在0.2‑2.6THz，调制频率达到10MHz，最大调制深度达到50％以上；即能够用于太赫兹高速无线通信系统，也能够用在太赫兹成像、探测多个应用系统中作为高速宽带太赫兹波调控器件。

公开(公告)号：CN108227243A

公开(公告)日：2018-06-29

申请号：CN201810054913.X

申请日：2018-01-19

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 文岐业 ,  代朋辉 ,  杨青慧 ,  文天龙 ,  谭为 ,  冯正 ,  唐亚华 ,  张怀武

IPC: G02F1/015

Abstract: 本发明提供一种硅基全介质型电控太赫兹波调控器件及其制备方法，包括双层圆柱形硅微米结构，高阻硅衬底、掺杂硅叉指电极、二氧化硅纳米氧化层以及二氧化钒薄膜，双层圆柱形硅微米结构位于高阻硅衬底的上侧，掺杂硅叉指电极、二氧化硅纳米氧化层、二氧化钒薄膜从上到下依次位于高阻硅衬底的下侧；本发明中选取半导体高阻硅材料作为主要介质材料，获取容易、成本低且半导体加工工艺成熟；这一器件具有很高的太赫兹波透射率以及极低的器件插损，同时具有大的工作带宽；通过在二氧化钒薄膜和掺杂硅叉指电极间引入氧化物绝缘层可有效抑制电流所产生的焦耳热，进而提高器件开关速度，可广泛应用于太赫兹波探测、太赫兹波成像等领域。

公开(公告)号：CN105244583B

公开(公告)日：2017-12-15

申请号：CN201510697823.9

申请日：2015-10-21

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 杨青慧 ,  安照辉 ,  张怀武 ,  文岐业 ,  范仁钰 ,  杜姗姗 ,  刘银中 ,  阮浩轩

IPC: H01P5/12 ,  H01P5/16

Abstract: 一种新型的超带宽微带威尔金森功分器，属于微波工程领域。包括一个输入端口和n个输出端口，所述相邻的两个输出端口之间设置m个隔离电阻，所述输入端口与n个输出端口之间均设置有多节阻抗变换器，每一节阻抗变换器为四分之一波长阻抗线；第k路输出端口与k+1路输出端口之间的隔离电阻Rki和第k‑1路输出端口与k路输出端口之间的隔离电阻R(k‑1)i之间有间隔L，且0＜L＜1/4λ，i＝1,2,3…,m，k＝2,3…,n‑1。本发明功分器可实现1～8GHz内功率的平均分配，且各端口匹配良好，各输出端口间良好隔离，回波损耗低，输出相幅一致性高。

公开(公告)号：CN107299394A

公开(公告)日：2017-10-27

申请号：CN201710405520.4

申请日：2017-06-01

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 杨青慧 ,  郝俊祥 ,  张怀武 ,  马博 ,  饶毅恒 ,  金立川 ,  文岐业 ,  李明明 ,  刘元昆

IPC: C30B29/28 ,  C30B19/04

CPC classification number: C30B29/28 ,  C30B19/04

Abstract: 亚微米级面外易磁化单晶石榴石磁光薄膜的液相外延制备方法，包括如下步骤：制备熔体：以Ga2O3、Tm2O3、Fe2O3、Bi2O3为原料制备熔体；清洗基片；将清洗后的基片放入熔体中，在935℃温度下、基片转速为120rpm，生长1～5min，生长完成后，清洗去除残留，得到本发明所述亚微米级面外易磁化单晶石榴石磁光薄膜。本发明制备得到的磁光薄膜能够应用于自旋逻辑器件。本发明得出了合适的氧化物配比，并结合氧化物配比的特点，采用高生长温度高转速的方法制备得到的亚微米级单晶Bi:TmIG薄膜，其薄膜厚度为100～1000nm，具有垂直于薄膜表面(面外)的易磁化轴。

公开(公告)号：CN104466338B

公开(公告)日：2017-02-15

申请号：CN201410478031.8

申请日：2014-09-18

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 杨青慧 ,  饶毅恒 ,  张怀武 ,  金曙晨 ,  田晓洁 ,  梅兵 ,  文岐业 ,  李颉

IPC: H01P7/00 ,  H01P7/08

Abstract: 本发明提供了一种YIG静磁波谐振器，从下往上依次为接地电极8、基板7、换能器9、双面有YIG单晶膜6的基片5，所述换能器9包括由输入微带线4和新月形3组成的输入端、由输出微带线1和有开口的圆环2组成的输出端，所述新月形3为一个外圆和一个偏心圆布尔相减得到，述输入端的新月形位于输出端的有开口的圆环2内，输入微带线4和输出微带线1位于同一水平直线上，换能器关于输入微带线4所在的水平直线对称，有开口的圆环的圆心与新月形的外圆的圆心重合，双面有YIG单晶膜6的基片5放置于新月形3中外圆的正上方，基片5的一条边平行于输入微带线4。该谐振器具有窄的3dB带宽、2GHz到30GHz的调谐范围，且抗干扰性强。

公开(公告)号：CN104201442B

公开(公告)日：2016-08-17

申请号：CN201410338740.6

申请日：2014-07-16

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 杨青慧 ,  王明 ,  郝欣欣 ,  张怀武 ,  贾利军 ,  廖宇龙 ,  文岐业

IPC: H01P1/195

Abstract: 本发明提供一种基于LTCC技术的微带线移相器，包括：矩形铁氧体基片、第一、二、三、四耦合弯曲线段、螺线管及焊盘，其特征在于，所述矩形铁氧体基片中心开设矩形基片窗口；所述四段耦合弯曲线分布位于基片上表面，其中第一、四耦合弯曲线段分别位于基片窗口宽边两侧的铁氧体基片上，第二、三耦合弯曲线段并列设置于基片窗口长边一侧的铁氧体基片上；所述螺线管设置于基片窗口长边另一侧铁氧体基片上，与铁氧体基片形成绕制结构，其首尾端导线连接焊盘。该微带线移相器除了具有插入损耗低和平均功率容量大的自身优点外，将磁化回路集成到铁氧体基片中，显著减小了一般铁氧体移相器体积，有利于实现移相器的小型化。