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公开(公告)号：CN102576799A
公开(公告)日：2012-07-11
申请号：CN201080032270.0
申请日：2010-06-23
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor： 卡森·D·泰克雷特萨迪克 , 罗杰·B·费许 , 保罗·J·墨菲
CPC classification number: H02H9/023 , H01F6/00 , H01F6/06 , H01F27/02 , H01F27/06 , H01L39/16 , Y02E40/69
Abstract: 一种新型的超导故障电流限制器，此超导故障电流限制器有助于运用在高压传输网络。上述电路与连接到传输网络的两个端子(144，146)电性连接。上述超导电路(120)位于与地电性隔离的外壳或箱体(112)内。因此，外壳与超导电路之间的电压差以及外壳与端子之间的电压差明显小于电流部署所存在的电压差。在某些实施例中，外壳与端子之一电性连接，而在其他的实施例中，外壳则与端子电性隔离。上述电路可与其他的类似电路组合以满足广泛的电流传输网络组态。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106165079A
公开(公告)日：2016-11-23
申请号：CN201580016349.7
申请日：2015-03-11
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor： 杰佛瑞·E·卡兰波特 , 罗杰·B·费许
IPC: H01L21/66
Abstract: 揭露一种在处理室中测量工件温度的改良系统与方法。因为硅在红外线光谱带中具有非常低的放射率，所以会在工件的至少一部分上配置涂布层。涂布层可为石墨或任何其他可易于应用的材料，且涂布层在红外线光谱中对于温度具有相对恒定的放射率。在一实施例中，将石墨涂布层涂布至工件的一部分，使得工件的温度可通过观察涂布层的温度而被测量。此技术可用以校准处理室、验证处理室内的操作条件或发展制造工艺。
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公开(公告)号：CN105981134A
公开(公告)日：2016-09-28
申请号：CN201580008264.4
申请日：2015-02-11
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
IPC: H01L21/265 , H01J37/317
CPC classification number: H05B3/26 , H01L21/67103
Abstract: 本发明大体上描述一种具有改良温度均匀性的加热平台。各种实例提供平台部分，其具有与其热耦合的金属化层。电接触件可连接到金属化层并被配置成传导用于加热金属化层以及平台部分的电流。电接触件可包含电导体以及电阻加热元件，电阻加热元件被配置成当电流流过其时将加热，从而产生减少从平台部分吸收到电接触件中的热量的热块。
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公开(公告)号：CN105659371A
公开(公告)日：2016-06-08
申请号：CN201480055162.3
申请日：2014-09-08
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor： 杰佛瑞·E·卡兰波特 , 罗杰·B·费许
IPC: H01L21/66
Abstract: 本发明大体上描述了在半导体装置制造期间用于基板基板测量基板的温度的低压温度传感器。各项实施例描述了具有安置在压板的介电板内的开口的气室，其中密封件安置在气室中的开口周围，使得气室中的开口可以抵着基板密封。此外，温度传感器以及弹簧安置在气室中，所述弹簧经偏置以将温度传感器放置成与基板接触。另外，提供了经配置以利用低压气体对气室加压以便增加基板与温度传感器之间的热导率的气体源。
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公开(公告)号：CN102576799B
公开(公告)日：2015-05-06
申请号：CN201080032270.0
申请日：2010-06-23
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor： 卡森·D·泰克雷特萨迪克 , 罗杰·B·费许 , 保罗·J·墨菲
CPC classification number: H02H9/023 , H01F6/00 , H01F6/06 , H01F27/02 , H01F27/06 , H01L39/16 , Y02E40/69
Abstract: 一种新型的超导故障电流限制器，此超导故障电流限制器有助于运用在高压传输网络。上述超导故障电流限制器与连接到传输网络的两个端子(144，146)电性连接。超导电路(120)位于与地电性隔离的外壳或箱体(112)内。因此，外壳与超导电路之间的电压差以及外壳与端子之间的电压差明显小于电流部署所存在的电压差。在某些实施例中，外壳与端子之一电性连接，而在其他的实施例中，外壳则与端子电性隔离。上述超导故障电流限制器可与其他的类似电路组合以满足广泛的电流传输网络组态。
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公开(公告)号：CN102224572B
公开(公告)日：2013-05-08
申请号：CN200980146889.1
申请日：2009-09-29
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
IPC: H01L21/265
CPC classification number: H01L21/67213 , H01J37/20 , H01J37/3171 , H01J2237/006 , H01J2237/0216 , H01J2237/2001 , H01L21/67109 , Y10T279/23
Abstract: 本揭示案的液体输送机制提供一种供单一运动轴中使用的解决方案，其允许在较宽温度范围内将一或多个流体流动路径连接至真空环境中。所述机制不使用尤其在非常低的温度下容易疲劳的可挠性管道。在一实施例中，管在经密封活塞内轴向移动以允许液体输送。在第二实施例中，使用波纹管来提供所需功能性。在另一实施例中，有可能藉由利用两个或两个以上经适当组态的机制来达成两个或两个以上运动轴中的移动。
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