公开(公告)号：CN109923246A

公开(公告)日：2019-06-21

申请号：CN201780068754.2

申请日：2017-08-28

Applicant: 瓦里安半导体设备公司

Inventor： 彼德·L·凯勒曼 ,  布莱恩·D·柯南 ,  菲德梨克·M·卡尔森 ,  孙大伟 ,  大卫·莫雷尔

IPC: C30B15/20 ,  C30B29/06 ,  H01L21/02

Abstract: 一种形成结晶片的设备。所述设备可包括：结晶器，包括第一气体通道及第二气体通道，其中所述第一气体通道及所述第二气体通道穿过所述结晶器延伸到上游边缘与下游边缘之间的所述结晶器的下表面。所述第一气体通道可比所述第二气体通道更靠近所述下游边缘设置。第一气体源可耦合到所述第一气体通道，其中所述第一气体源包含氦气或氢气，且第二气体源可耦合到所述第二气体通道，其中所述第二气体源不含有氢气或氦气。

公开(公告)号：CN107815728A

公开(公告)日：2018-03-20

申请号：CN201711069158.4

申请日：2015-03-13

Applicant: 瓦里安半导体设备公司

Inventor： 彼德·L·凯勒曼 ,  布莱恩·梅克英特许 ,  菲德梨克·M·卡尔森 ,  大卫·莫雷尔 ,  阿拉·莫瑞迪亚 ,  南帝斯·德塞 ,  孙大为 ,  法兰克·辛克莱

IPC: C30B15/06 ,  C30B15/20 ,  C30B29/06 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明提供一种使熔体成长为结芯片的结晶器及方法。结晶器可包括致冷面面对于熔体的暴露面的致冷块，致冷块被设置以用于在致冷面产生致冷块温度，且致冷块温度低于在熔体的暴露面的熔体温度。所述结晶器还可包括配置于致冷块内且被配置以用于传送气体喷射至暴露面的喷嘴，其中气体喷射以及致冷块互操作以产生处理区，所述处理区以第一散热速率移除来自于暴露面的热。第一散热速率大于处理区之外的外部区域中的暴露面的第二散热速率。使熔体成长为结芯片的结晶器及方法中，使用结晶器以提供气体喷射以在熔体的表面以及致冷块之间形成对流区，有助于高速散热。