公开(公告)号：CN102956591A

公开(公告)日：2013-03-06

申请号：CN201210284956.X

申请日：2012-08-10

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 砂村润 ,  井上尚也 ,  金子贵昭

IPC: H01L23/485 ,  H01L23/488 ,  H01L29/51 ,  H01L21/60 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L27/1218 ,  H01L21/8221 ,  H01L21/82345 ,  H01L23/4824 ,  H01L27/0688 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/124 ,  H01L29/7869 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/80001

Abstract: 本发明涉及一种半导体器件及其制造方法。使用半导体层的元件形成在布线层之间，并且同时使用除用于布线的材料之外的导电材料形成栅电极。第一布线嵌入第一布线层的表面中。栅电极形成在第一布线上。栅电极耦合至第一布线。通过与用于第一布线的工艺不同的工艺形成栅电极。因此，使用除用于第一布线的材料之外的材料形成栅电极。而且，在栅电极上形成栅极绝缘膜和半导体层。

公开(公告)号：CN107256846B

公开(公告)日：2020-12-04

申请号：CN201710243114.2

申请日：2013-09-05

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 砂村润 ,  金子贵昭 ,  林喜宏

IPC: H01L21/822 ,  H01L23/522 ,  H01L23/532 ,  H01L27/06 ,  H01L27/12

Abstract: 提供了一种用于顶栅结构中栅极电极和沟道之间的电隔离的配线层内有源元件(部件)。一种半导体装置，包括第一配线层、第二配线层和半导体元件。所述第一配线层具有第一层间绝缘层和嵌入所述第一层间绝缘层的第一配线。所述第二配线层具有第二层间绝缘层和嵌入所述第二层间绝缘层的第二配线。所述半导体元件至少设置在所述第二配线层中。所述半导体元件包括：设置在所述第二配线层中的半导体层、设置成与所述半导体层接触的栅极绝缘膜、通过所述栅极绝缘膜设置在与所述半导体层相对的侧上的栅极电极、以及设置在所述半导体层的侧面上的第一侧壁膜。

公开(公告)号：CN103681673B

公开(公告)日：2018-03-20

申请号：CN201310425396.X

申请日：2013-09-12

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 砂村润 ,  金子贵昭 ,  古武直也 ,  齐藤忍 ,  林喜宏

IPC: H01L27/092 ,  H01L21/8238

Abstract: 一种半导体器件包括：p型金属氧化物半导体层；与p型金属氧化物半导体层连接的源极电极；与p型金属氧化物半导体层连接的漏极电极；以及被布置为与p型金属氧化物半导体层的一部分相对的栅极电极。在俯视图中栅极电极和漏极电极相互分离。

公开(公告)号：CN103632921A

公开(公告)日：2014-03-12

申请号：CN201310379457.3

申请日：2013-08-23

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 砂村润 ,  金子贵昭 ,  古武直也 ,  斋藤忍 ,  林喜宏

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/8238 ,  H01L29/00

CPC classification number: H01L21/823807 ,  H01L21/8238 ,  H01L21/823857 ,  H01L21/823871 ,  H01L21/8254 ,  H01L27/0688 ,  H01L27/092 ,  H01L27/1203 ,  H01L29/7869

Abstract: 本发明提供一种包括在相同布线层中共存的N型半导体层和P型半导体层而对半导体层的性质无影响的半导体器件。该半导体器件包括具有第一布线的第一布线层、具有第二布线的第二布线层以及在第一布线层和第二布线层中提供的第一晶体管和第二晶体管。第一晶体管包括第一栅极电极、第一栅极绝缘膜、第一氧化物半导体层、第一硬掩模层和覆盖第一氧化物半导体层的侧部的第一绝缘侧壁。第二晶体管包括第二栅极电极、第二栅极绝缘膜、第二氧化物半导体层和第二硬掩模层。