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公开(公告)号：CN115461502A
公开(公告)日：2022-12-09
申请号：CN202180034073.0
申请日：2021-05-07
Applicant: 信越化学工业株式会社
Abstract: 本发明的III‑V族化合物晶体用基底基板(1)具备：陶瓷芯层(2)、封入陶瓷芯层(2)的杂质封入层(3)、杂质封入层上的接合层(4)和接合层上的加工层(5)，杂质封入层(3)是以SiOxNy(这里，x=0～2、y=0～1.5、x+y>0)的组成式表示的组合物的层，接合层(4)是以SiOx’Ny’(这里，x’=1～2、y’=0～2)的组成式表示的组合物的层，加工层(5)是籽晶层。根据本发明，可提供用于得到大口径和高品质的III‑V族化合物晶体的III‑V族化合物晶体用基底基板及其制造方法。
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公开(公告)号：CN114144864A
公开(公告)日：2022-03-04
申请号：CN202080053287.8
申请日：2020-06-16
Applicant: 信越化学工业株式会社
Abstract: 本发明的III族化合物基板的制造方法包括以下工序：基底基板形成工序，通过气相合成法形成III族氮化物的基底基板；种基板形成工序，在基底基板上形成种基板；以及III族化合物晶体形成工序，通过氢化物气相生长法在种基板上形成III族化合物晶体。本发明的III族化合物基板的特征在于：其是通过本发明的III族化合物基板的制造方法制造的。根据本发明，在发挥氢化物气相生长法的特长、即高成膜速度的特长的同时，以低成本得到更大型且高品质的III族化合物基板。
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公开(公告)号：CN105190835B
公开(公告)日：2018-11-09
申请号：CN201480024384.9
申请日：2014-04-21
Applicant: 信越化学工业株式会社
Abstract: 通过准备在硅基板上将第1硅氧化膜和硅活性层依次地层叠而成、在该硅基板面外周部形成了不具有上述硅活性层的台阶部的SOI基板，在SOI基板的硅活性层表面形成第2硅氧化膜，对上述SOI基板和与该SOI基板热膨胀率不同的支持基板的贴合面进行活性化处理，与室温相比在高温下经由第2硅氧化膜将上述SOI基板和支持基板贴合，接下来，对于上述贴合基板在规定的热处理温度条件和板厚薄化条件下将提高SOI基板与支持基板的结合力的结合热处理和将上述硅基板研削而薄化的研削薄化处理的组合反复进行至少2次，通过蚀刻将上述薄化的硅基板除去而使第1硅氧化膜露出，进而通过蚀刻将第1硅氧化膜除去，从而在不进行基板外周的修剪、不存在基板外周部的硅活性层的部分的剥离等不利情形下得到具有良好的硅活性层的SOI结构的混合基板。
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公开(公告)号：CN103890907B
公开(公告)日：2016-09-28
申请号：CN201280050683.0
申请日：2012-10-11
Applicant: 信越化学工业株式会社
CPC classification number: H01L21/76251 , H01L21/76256
Abstract: 提供一种能够防止片损坏和剥落的生产透明SOI片的方法。所述用于生产透明SOI片方法包括以下步骤：将用作供体片的硅片的表面与透明的处理片的表面键合在一起以获得键合片；在150至300℃的第一温度对键合片进行热处理，作为第一热处理；通过从被热处理后的键合片的硅片侧向键合的表面和未键合的周围表面之间的边界照射可见光激光，同时在入射光和硅片的径向方向之间保持60至90°的角度来切割键合片的未键合部分；对未键合的部分被切割后的键合片的硅片进行研磨、抛光或蚀刻以形成硅膜；以及在比第一温度高的300至500℃的第二温度对形成有硅膜的键合片进行热处理，作为第二热处理。
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公开(公告)号：CN117460868A
公开(公告)日：2024-01-26
申请号：CN202280041694.6
申请日：2022-06-27
Applicant: 信越半导体株式会社 , 信越化学工业株式会社
IPC: C30B29/38 , H01L33/32 , H01L21/265 , H01L21/205 , H01L21/20 , H01L21/02
Abstract: 本发明为一种紫外线发光元件用外延片，其具有：对紫外光呈透明且具有耐热性的第一支撑基板；通过贴合而接合在该第一支撑基板上的AlxGa1‑xN(0.5＜x≤1)单晶的晶种层；以及在该晶种层上依次层叠生长有以AlyGa1‑yN(0.5＜y≤1)为主成分的第一导电型包覆层、AlGaN系活性层及以AlzGa1‑zN(0.5＜z≤1)为主成分的第二导电型包覆层的外延层。由此，提供一种紫外线发光元件用外延片及其制造方法，该紫外线发光元件用外延片廉价且光提取效率良好，并且具有高质量的AlN等III族氮化物的外延层。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114901876A
公开(公告)日：2022-08-12
申请号：CN202080092360.2
申请日：2020-12-03
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: C30B29/38 , C23C16/34 , C30B25/20 , H01L21/205
Abstract: 本发明的III族氮化物基板的制造方法包括以下工序：在基板的两面形成表面为III族元素面的III族氮化物膜，制作III族氮化物膜担载体；对III族氮化物膜担载体的III族氮化物膜进行离子注入，在III族氮化物膜上形成离子注入区；将已进行离子注入的III族氮化物膜与主要成分为III族氮化物的多晶基底基板贴合，将III族氮化物膜担载体接合于基底基板；使III族氮化物膜担载体从基底基板上分离，将离子注入区转印至基底基板，在基底基板上形成表面为N面的III族氮化物膜；以及利用THVPE法在基底基板的表面为N面的III族氮化物膜上形成III族氮化物膜，制作III族氮化物膜的厚膜。本发明的III族氮化物基板是利用本发明的III族氮化物基板的制造方法制造的。根据本发明，可提供：可制造大口径和高品质的III族氮化物基板的III族氮化物基板的制造方法；以及利用该制造方法制造的III族氮化物基板。
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公开(公告)号：CN108367973A
公开(公告)日：2018-08-03
申请号：CN201680073809.4
申请日：2016-12-16
Applicant: 信越化学工业株式会社
Abstract: 本发明提供一种表面不易刮伤且破损时不易飞散的蓝宝石复合基材及其制造方法。具体来说，是一种包括无机玻璃基板、无机玻璃基板上的聚乙烯醇缩丁醛或二氧化硅的中间膜、以及中间膜上的单晶蓝宝石膜的蓝宝石复合基材。而且，是一种蓝宝石复合基材的制造方法，其至少包括：在单晶蓝宝石基板的内部形成离子注入层的工序；在选自由单晶蓝宝石基板的进行离子注入前的所述表面、单晶蓝宝石基板的进行了离子注入的表面以及无机玻璃基板的表面所组成的群组中的至少一个表面，形成聚乙烯醇缩丁醛或二氧化硅的中间膜的工序；经由中间膜，贴合单晶蓝宝石基板的进行了离子注入的表面与无机玻璃基板的表面而获得接合体的工序；以及经由中间膜将单晶蓝宝石膜转印至无机玻璃基板上的工序。
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公开(公告)号：CN104040686B
公开(公告)日：2017-05-24
申请号：CN201380005209.0
申请日：2013-01-11
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: H01L21/02 , H01L21/324 , H01L27/12
CPC classification number: H01L21/02238 , H01L21/02255 , H01L21/324 , H01L21/7624 , H01L21/76251 , H01L29/0642 , H01L29/78603
Abstract: 本发明涉及热氧化异种复合基板，是在处理基板上具有单晶硅膜的异种复合基板，通过在实施超过850℃的热氧化处理前施加650℃～850℃的中间热处理，然后在超过了850℃的温度下实施热氧化处理而得到，根据本发明，能够得到热氧化后的缺陷数减少的热氧化异种复合基板。
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公开(公告)号：CN103890907A
公开(公告)日：2014-06-25
申请号：CN201280050683.0
申请日：2012-10-11
Applicant: 信越化学工业株式会社
CPC classification number: H01L21/76251 , H01L21/76256
Abstract: 提供一种能够防止片损坏和剥落的生产透明SOI片的方法。所述用于生产透明SOI片方法包括以下步骤：将用作供体片的硅片的表面与透明的处理片的表面键合在一起以获得键合片；在150至300℃的第一温度对键合片进行热处理，作为第一热处理；通过从被热处理后的键合片的硅片侧向键合的表面和未键合的周围表面之间的边界照射可见光激光，同时在入射光和硅片的径向方向之间保持60至90°的角度来切割键合片的未键合部分；对未键合的部分被切割后的键合片的硅片进行研磨、抛光或蚀刻以形成硅膜；以及在比第一温度高的300至500℃的第二温度对形成有硅膜的键合片进行热处理，作为第二热处理。
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公开(公告)号：CN103828021A
公开(公告)日：2014-05-28
申请号：CN201280045025.2
申请日：2012-09-14
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: H01L21/02 , H01L21/265 , H01L27/12
CPC classification number: H01L21/76254 , H01L21/02002 , H01L21/2007 , H01L21/2011 , H01L21/76243 , H01L21/76251
Abstract: 本发明提供一种制造复合晶片的方法，其中可以从一个施体晶片获得至少两个复合晶片，并且可以省略倒角步骤。所提供的制造复合晶片的方法至少包括以下步骤：将至少两个处理晶片的表面与施体晶片的表面键合以获得键合晶片，所述施体晶片的直径大于或等于所述至少两个处理晶片的直径之和，并且所述施体晶片具有通过从所述施体晶片的表面注入氢离子而在施体晶片内部形成的氢离子注入层；在200℃至400℃加热所述键合晶片；以及沿着加热后的键合晶片的氢离子注入层从所述施体晶片分离出膜，以获得具有转移到所述至少两个处理晶片上的所述膜的复合晶片。
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