公开(公告)号：CN112874456A

公开(公告)日：2021-06-01

申请号：CN202110036153.1

申请日：2021-01-12

Applicant: 燕山大学

Inventor： 徐超 ,  刘元慧 ,  周春宇 ,  耿欣 ,  蒋巍 ,  马明 ,  董希言

IPC: B60R16/037

Abstract: 本发明提供一种智能汽车调节方法，其包括以下步骤：S1、采集人体特征信息，并进行信息比对，实现解锁和启动功能：对采集的指纹进行比对，如果识别通过，则实现解锁；S2、对指纹按压时的实时压力进行采集，当实时压力超过预先设置的压力阈值时，汽车在指纹解锁的基础上一键启动；S3、在指纹识别通过及汽车一键启动的基础上对车内设施进行初步调节；S4、采用机器学习方法，通过不断学习和比对，实现车辆的智能调节；S5、根据机器学习组件的结果，实现车内设施的进一步调节。其能够通过实时学习，基于驾驶员的习惯，建立特征模型，不断学习更正，达到最好的驾驶效果并根据天气对驾驶参数进行智能调节，保障驾驶员的驾驶安全。

公开(公告)号：CN110867486B

公开(公告)日：2020-11-20

申请号：CN201911141243.6

申请日：2019-11-20

Applicant: 燕山大学

Inventor： 周春宇 ,  李洪岩 ,  耿欣 ,  王冠宇 ,  蒋巍 ,  乔世峰 ,  耿连民

IPC: H01L29/737 ,  H01L29/267 ,  H01L21/331

Abstract: 本发明提供一种高压太赫兹应变SiGe/InGaP异质结双极晶体管及其制备方法。InGaP材料具备InP材料高的载流子迁移率和GaP材料宽的禁带宽度特性，因此本发明利用InGaP作为集电区，可以同时提高器件的频率和功率特性，使得该器件可以实现太赫兹频段芯片的系统集成，进一步的本发明利用“能带工程”的优势，采用In1‑xGaxP(x＝0～1)作为SiGe‑HBT的集电区材料，适当的选择In和Ga的组分摩尔比x，使得其和亚集电区材料SiGe具有相同的晶格常数，可以有效地提高InGaP和SiGe材料的界面特性。