公开(公告)号：CN103811653B

公开(公告)日：2017-01-25

申请号：CN201410027252.3

申请日：2014-01-21

Applicant: 燕山大学

Inventor： 张隆 ,  段纷纷 ,  李晓东 ,  徐波 ,  田永君

IPC: H01L37/00

Abstract: 一种多钴p型填充方钴矿热电材料，它是一种分子式为EzFe2-xCo2+xSb12-yMy的物质，其中E是La、Ce、Pr、Nd、Eu、Yb、Ba、Sr、Ca中的一种或多种，M为Ge或Sn的复合掺杂物，并且0.2≤z≤0.8，0≤x≤1，0＜y≤0.5。本发明制备方法包括以下步骤：将E、Fe、Co、Sb和M等各种原料，放入石英管中密封，置入炉中熔融，然后淬火形成固态材料，将淬火后的块体取出，再次置于石英管中加热退火；将退火后的块体制成粉末；将粉末加压烧结为所需形状的块体，将烧结后的块体加热退火。本发明可使具有低热膨胀系数的EzFe2-xCo2+xSb120≤x≤1）基方钴矿材料具有高的热电性能（ZT接近或大于1）。

公开(公告)号：CN105355971A

公开(公告)日：2016-02-24

申请号：CN201510848827.2

申请日：2015-11-27

Applicant: 燕山大学

Inventor： 张隆 ,  杨坤

IPC: H01M10/0562

CPC classification number: H01M10/0562 ,  H01M2300/0068

Abstract: 一种用于固体电解质的钠快离子导体材料，它的化学分子式为Na3P1-xSbxSe4，x为摩尔比，x＝0.2-1。上述钠快离子导体材料的制备方法主要是在将原料放入氧化铝坩埚，再放入石英管中，抽真空至0.1Pa，烧封石英管；再将石英管放入马弗炉中，以0.2℃/分钟的升温速率加热到700～900℃，保温24小时，炉内冷却至室温；将冷却后的块体从石英管中取出，放入球磨机，在高纯氩气(99.999％)保护下球磨，转速为100～200转/分钟，球磨时间6小时。本发明制备工艺简单，制备周期短，制备的钠快离子导体材料的离子电导率最高超过3mS/cm，同时极大地降低了成本。

公开(公告)号：CN104779375A

公开(公告)日：2015-07-15

申请号：CN201510108922.9

申请日：2015-03-12

Applicant: 燕山大学

Inventor： 张隆 ,  杨坤 ,  董建英 ,  芦磊

IPC: H01M4/36 ,  H01B12/00 ,  H01B13/00

CPC classification number: H01M4/362 ,  H01B12/00 ,  H01B13/00

Abstract: 一种基于硒掺杂的硫代锂离子超导体，其是一种分子式为Li10Ge1-xMxP2S12-2xSe2x(M＝Sn，Si)或Li10Ge1-xMxP2S12-2xSe1.5x(M＝Al)的物质，式中：0＜x≤1。上述基于硒掺杂的硫代锂离子超导体的制备方法主要是将含S和含Se的相关原料在行星球磨机中短时间球磨，再进行烧结，以0.5℃/分钟速率缓慢升温至500-600℃，保温48小时，然后以1℃/分钟速率缓慢冷却形成固体晶态电解质材料即基于硒掺杂的硫代锂离子超导体。本发明制备工艺简单，制得的超导体材料不仅提高了离子电导率，降低了激活能，还拓宽了材料的电化学窗口。

公开(公告)号：CN113258130B

公开(公告)日：2023-01-03

申请号：CN202110461449.8

申请日：2021-04-27

Applicant: 燕山大学

Inventor： 张隆 ,  宋瑞丰 ,  李林

IPC: H01M10/0562 ,  H01M10/052 ,  H01M10/054 ,  C01G15/00 ,  C01F17/36 ,  C01F17/10 ,  C01G49/00 ,  C01B19/00 ,  C01G45/00

Abstract: 本发明公开了非晶卤化物固体电解质及制备和在全固态电池中的应用，属于新能源材料技术领域，包括通过二元体系的稀土卤化物掺杂LixMXy或NaxMXy卤化物电解质；或对LixMXy卤化物电解质，通过Li2S或M硫化物与M氧化物共同掺杂；或对LixMXy卤化物电解质，通过Li2Se或M硒化物与M氧化物共同掺杂等三种途径对非晶卤化物固体电解质进行组分设计，通过加工制备成非晶卤化物固体电解质，并将非晶卤化物固体电解质应用于全固态电池成型中。本发明制备工艺简单，可重复性高，适合大规模工业生产，制备出的非晶卤化物固体电解质材料在服役温度区间性能稳定。

公开(公告)号：CN110336012A

公开(公告)日：2019-10-15

申请号：CN201910623741.8

申请日：2019-07-11

Applicant: 燕山大学

Inventor： 张隆 ,  刘艳艳

IPC: H01M4/36 ,  H01M4/58 ,  H01M4/62 ,  H01M10/0525 ,  H01M10/054 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00

Abstract: 本发明提供了一种碳复合的硫族化合物复合材料及其制备方法和应用，属于二次离子电池技术领域。本发明提供的碳复合的硫族化合物复合材料包括硫族化合物纳米晶和乱层石墨碳，所述硫族化合物纳米晶位于乱层石墨碳的网络化框架结构中，所述硫族化合物纳米晶的材质包括金属硫族化合物、二硫化硅和二硒化硅中的至少一种。本发明所提供的碳复合的硫族化合物复合材料在循环充放电100次以上时，仍然能够保持较高的质量比容量和99％以上的库伦效率，具有优异的循环稳定性和倍率性能。

公开(公告)号：CN106785010A

公开(公告)日：2017-05-31

申请号：CN201611142643.5

申请日：2016-12-13

Applicant: 燕山大学

Inventor： 张隆 ,  张德超

IPC: H01M10/056 ,  H01M10/054

CPC classification number: H01M10/056 ,  H01M10/054 ,  H01M2300/0065 ,  H01M2300/0088

Abstract: 一种与Na3SbS4交联的聚合物钠快离子导体，其化学成分质量百分比为：聚合物:钠盐：Na3SbS4＝1.35‑15：0.54‑4：1；上述聚合物钠快离子导体的制备方法主要是按聚合物：有机溶剂的质量比＝1：2.17‑16的比例搅拌溶解，按钠盐：甲醇或乙二醇的质量比＝1：2.5‑15，Na3SbS4：甲醇或乙二醇的质量比＝1：6‑10的比例，将钠盐与Na3SbS4分别溶于甲醇或乙二醇中，将这两种溶液混合后与聚合物的有机溶液混合、搅拌，混合均匀后转移至真空烘箱中40‑120℃真空干燥，制得与Na3SbS4交联的聚合物钠快离子导体。本发明制备工艺简单、可重复性高，制得的聚合物钠快离子导体电解质柔韧好、机械强度高并且具有极高的室温电导率。

公开(公告)号：CN104332555A

公开(公告)日：2015-02-04

申请号：CN201410467814.6

申请日：2014-09-15

Applicant: 燕山大学

Inventor： 张隆 ,  李晓东 ,  段纷纷 ,  徐波 ,  田永君

IPC: H01L35/16 ,  C22C12/00

Abstract: 一种碘填充的方钴矿热电材料，其是一种分子式为ImAnTxCo4-xSb12-yTey的物质，其中I是对方钴矿笼子进行填充的元素碘，A是选自碱金属、碱土金属及稀土金属的填充元素；T为Fe或Ni的一种，并且上述分子式满足0＜m≤1，0≤n＜1，0≤x＜3.5，0≤y≤1。本发明的制备方法主要是将原料各组分冷压成预制坯，再将预制坯经过三步高温高压过程。本发明首次制备出碘阴离子填充的Co4Sb12-型方钴矿热电材料，相比其它类型的填充元素，碘填充能更有效地降低热导率，也是迄今为止在方钴矿中具有最低热导率的材料。

公开(公告)号：CN115051027B

公开(公告)日：2024-12-24

申请号：CN202210903411.6

申请日：2022-07-27

Applicant: 燕山大学

Inventor： 张隆 ,  宋瑞丰

IPC: H01M10/0562 ,  H01M10/0525 ,  C01F7/78 ,  C01G25/00 ,  C01F17/30 ,  C01B33/08

Abstract: 本发明涉及新能源材料技术领域，具体涉及一种含卤化锂原位析出相的锂硫银锗矿型固态电解质及其制备方法和应用。该电解质是由阳离子M对锂硫银锗矿化合物进行掺杂而得，其中，所述阳离子M的离子半径大于磷的离子半径。该电解质通过高能球磨诱导具有大离子半径的阳离子M(具体可以是Al、Si、Sc、Y、Zr)占据P位，实现P位的掺杂，形成一系列新型的阳离子M掺杂的锂硫银锗矿硫化物电解质材料，由此提高卤素X在晶粒内部的均匀分布，避免在晶粒表面形成LiX包覆层；亚稳态的卤素X原子伴随Li原子原位析出LiX微粒，弥散分布在晶界处，极大地抑制了金属锂在电解质内部的沉积生长，大幅提升抑制锂枝晶能力，使得全固态电池能够在大电流密度下工作。

公开(公告)号：CN115051027A

公开(公告)日：2022-09-13

申请号：CN202210903411.6

申请日：2022-07-27

Applicant: 燕山大学

Inventor： 张隆 ,  宋瑞丰

IPC: H01M10/0562 ,  H01M10/0525 ,  C01F7/78 ,  C01G25/00 ,  C01F17/30 ,  C01B33/08

Abstract: 本发明涉及新能源材料技术领域，具体涉及一种含卤化锂原位析出相的锂硫银锗矿型固态电解质及其制备方法和应用。该电解质是由阳离子M对锂硫银锗矿化合物进行掺杂而得，其中，所述阳离子M的离子半径大于磷的离子半径。该电解质通过高能球磨诱导具有大离子半径的阳离子M(具体可以是Al、Si、Sc、Y、Zr)占据P位，实现P位的掺杂，形成一系列新型的阳离子M掺杂的锂硫银锗矿硫化物电解质材料，由此提高卤素X在晶粒内部的均匀分布，避免在晶粒表面形成LiX包覆层；亚稳态的卤素X原子伴随Li原子原位析出LiX微粒，弥散分布在晶界处，极大地抑制了金属锂在电解质内部的沉积生长，大幅提升抑制锂枝晶能力，使得全固态电池能够在大电流密度下工作。

公开(公告)号：CN109659606A

公开(公告)日：2019-04-19

申请号：CN201811581632.6

申请日：2018-12-24

Applicant: 燕山大学

Inventor： 张隆 ,  张赵帅

IPC: H01M10/0565 ,  H01M10/0525

Abstract: 本发明涉及新能源技术领域，尤其涉及一种复合电解质膜及其制备方法和锂二次电池。本发明提供的复合电解质膜，包括无机纳米填料、聚酯和锂盐；所述无机纳米填料、聚酯和锂盐的质量比为5～40:20～80:10～30；所述无机纳米填料为活性快离子导体。本发明提供的复合电解质膜中无机纳米填料与聚酯的C-O-C和C＝O官能团间相互作用，提高了复合膜的锂离子传输数，有效地抑制了枝晶穿透性；而且本发明提供的复合电解质膜极大地拓宽了电化学窗口，并且与锂负极有着良好的界面相容性。实施例结果表明，本发明提供的复合电解质膜的抗锂枝晶能力较强，且电化学窗口较高。