公开(公告)号：CN105355971A

公开(公告)日：2016-02-24

申请号：CN201510848827.2

申请日：2015-11-27

Applicant: 燕山大学

Inventor： 张隆 ,  杨坤

IPC: H01M10/0562

CPC classification number: H01M10/0562 ,  H01M2300/0068

Abstract: 一种用于固体电解质的钠快离子导体材料，它的化学分子式为Na3P1-xSbxSe4，x为摩尔比，x＝0.2-1。上述钠快离子导体材料的制备方法主要是在将原料放入氧化铝坩埚，再放入石英管中，抽真空至0.1Pa，烧封石英管；再将石英管放入马弗炉中，以0.2℃/分钟的升温速率加热到700～900℃，保温24小时，炉内冷却至室温；将冷却后的块体从石英管中取出，放入球磨机，在高纯氩气(99.999％)保护下球磨，转速为100～200转/分钟，球磨时间6小时。本发明制备工艺简单，制备周期短，制备的钠快离子导体材料的离子电导率最高超过3mS/cm，同时极大地降低了成本。

公开(公告)号：CN104779375A

公开(公告)日：2015-07-15

申请号：CN201510108922.9

申请日：2015-03-12

Applicant: 燕山大学

Inventor： 张隆 ,  杨坤 ,  董建英 ,  芦磊

IPC: H01M4/36 ,  H01B12/00 ,  H01B13/00

CPC classification number: H01M4/362 ,  H01B12/00 ,  H01B13/00

Abstract: 一种基于硒掺杂的硫代锂离子超导体，其是一种分子式为Li10Ge1-xMxP2S12-2xSe2x(M＝Sn，Si)或Li10Ge1-xMxP2S12-2xSe1.5x(M＝Al)的物质，式中：0＜x≤1。上述基于硒掺杂的硫代锂离子超导体的制备方法主要是将含S和含Se的相关原料在行星球磨机中短时间球磨，再进行烧结，以0.5℃/分钟速率缓慢升温至500-600℃，保温48小时，然后以1℃/分钟速率缓慢冷却形成固体晶态电解质材料即基于硒掺杂的硫代锂离子超导体。本发明制备工艺简单，制得的超导体材料不仅提高了离子电导率，降低了激活能，还拓宽了材料的电化学窗口。

公开(公告)号：CN104779375B

公开(公告)日：2017-04-12

申请号：CN201510108922.9

申请日：2015-03-12

Applicant: 燕山大学

Inventor： 张隆 ,  杨坤 ,  董建英 ,  芦磊

IPC: H01M4/36 ,  H01B12/00 ,  H01B13/00

Abstract: 一种基于硒掺杂的硫代锂离子超导体，其是一种分子式为Li10Ge1‑xMxP2S12‑2xSe2x(M＝Sn，Si)或Li10Ge1‑xMxP2S12‑2xSe1.5x(M＝Al)的物质，式中：0＜x≤1。上述基于硒掺杂的硫代锂离子超导体的制备方法主要是将含S和含Se的相关原料在行星球磨机中短时间球磨，再进行烧结，以0.5℃/分钟速率缓慢升温至500‑600℃，保温48小时，然后以1℃/分钟速率缓慢冷却形成固体晶态电解质材料即基于硒掺杂的硫代锂离子超导体。本发明制备工艺简单，制得的超导体材料不仅提高了离子电导率，降低了激活能，还拓宽了材料的电化学窗口。

公开(公告)号：CN105845976A

公开(公告)日：2016-08-10

申请号：CN201610223511.9

申请日：2016-04-12

Applicant: 燕山大学

Inventor： 张隆 ,  张德超 ,  杨坤

IPC: H01M10/0562

CPC classification number: H01M10/0562 ,  H01M2300/0085

Abstract: 一种四方相Na3SbS4钠快离子导体，它是一种由含大半径原子Sb构成的SbS4基团形成刚性骨架，构建适合Na离子扩散的迁移通道，且结构中的钠位置含大量的空位的四方相结构的快离子导体。上述离子导体的制备方法主要是按摩尔比2.29～3.01:1:3.09～4.01的比例，将单质Na、Sb和S混合后，放入石英管中真空密封，在马弗炉中加热到600～900℃，保温8～24小时，冷却至室温，在手套箱中用研钵手动或用球磨机进行球磨成粉末。本发明制备工艺简单、可重复性高，制得的Na3SbS4钠快离子导体具有极高的离子电导率，其数值超过3.4×10?3S/cm。

公开(公告)号：CN104900912A

公开(公告)日：2015-09-09

申请号：CN201510282131.8

申请日：2015-05-28

Applicant: 燕山大学

Inventor： 张隆 ,  杨坤 ,  董建英 ,  芦磊

IPC: H01M10/0562

CPC classification number: H01M10/0562

Abstract: 一种钠快离子导体Na3PSe4，它是具有高离子导电特性的立方相结构的导体，其制备方法主要是将起始原料Na、P、以及Se在手套箱内称重并置于坩埚中，然后放入石英管中真空密封，在马弗炉中熔融，最后冷却至室温形成块体并制成粉末。本发明制备工艺简单，制得的Na3PSe4固体电解质的钠离子电导率最高超过1mS/cm，是目前硫族化合物中性能最高的。